一种透明导电氧化物薄膜制造技术

本发明专利技术涉及太阳电池领域，具体公开了一种透明导电氧化物薄膜

【技术实现步骤摘要】
一种透明导电氧化物薄膜


[0001]本专利技术涉及太阳电池领域，具体涉及一种透明导电氧化物薄膜
。

技术介绍

[0002]在太阳电池中，透明导电氧化物薄膜
(TCO)
作为透明电极具有非常重要的作用，收集光生载流子，促进载流子的有效传输
。
获得高透过率，低电阻率的
TCO
至关重要
。
[0003]目前，产业上常用的
TCO
制备方法包括磁控溅射和反应等离子体沉积
(RPD)。
磁控溅射已经在光伏电池量产中发挥了重要作用，该方法能实现大面积快速沉积
、
精确控制薄膜厚度，可大规模生产
。
但是该方法也存在一个严重问题，由于衬底直接暴露在等离子体中，对硅片表面有一定的轰击作用，特别是对于异质结电池，非晶硅层非常薄，只有
10nm
左右，因此等离子体轰击对硅片表面造成严重损伤，导致电池性能的下降
。
和磁控溅射相比，
RPD
技术制备的
TCO
薄膜本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种透明导电氧化物薄膜，其特征在于，所述的薄膜的迁移率高于
70.0cm2/V
·
s
，载流子浓度低于
3.0
×
10
20
/cm3，平均透过率高于
85.0
％，电阻率低于
3.0
×
10
‑4Ω
·
cm。2.
根据权利要求1所述的透明导电氧化物薄膜，其特征在于，所述的透明导电氧化物薄膜为
IWO(In2O3掺入
WO3)
薄膜
。3.
根据权利要求1所述的透明导电氧化物薄膜，其特征在于，所述的
IWO
薄膜的掺
WO3浓度范围为0‑
20
％
。4.
根据权利要求1所述的透明导电氧化物薄膜，其特征在于，所述的
IWO
薄膜的厚度为
50nm
‑
140nm。5.
根据权利要求1所述的透明导电氧化物薄膜，其特征在于，所述的
IWO
薄膜是通过反应等离子体沉积
(RPD)
并退火处...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘欢，熊雯靖，白赛，
申请(专利权)人：电子科技大学长三角研究院湖州，
类型：发明
国别省市：