薄膜晶体管制造技术

本申请实施例提供一种薄膜晶体管

【技术实现步骤摘要】
薄膜晶体管、显示面板、显示装置和制备方法


[0001]本申请涉及显示
，尤其涉及一种薄膜晶体管
、
显示面板
、
显示装置和薄膜晶体管的制备方法
。

技术介绍

[0002]相关技术中，薄膜晶体管的有源层具有与栅极正对的沟道，沟道两侧的区域通常需要进行导体化
。
然而，在导体化过程中，载流子可能会向沟道扩散，使沟道长度小于栅极的长度，从而使氧化物薄膜晶体管尤其是高迁移率的薄膜晶体管的阈值电压容易出现负偏
。

技术实现思路

[0003]本申请实施例提供一种薄膜晶体管
、
显示面板
、
显示装置和制备方法，以解决或缓解现有技术中的一项或更多项技术问题
。
[0004]作为本申请实施例的第一方面，本申请实施例提供一种薄膜晶体管，包括：
[0005]衬底；
[0006]有源层，设置于衬底的一侧，有源层包括沟道区
、
源区
、
漏区和两个过渡区，源区和漏区分别位于沟道区的两端，本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种薄膜晶体管，其特征在于，包括：衬底；有源层，设置于所述衬底的一侧，所述有源层包括沟道区
、
源区
、
漏区和两个过渡区，所述源区和所述漏区分别位于所述沟道区的两端，两个所述过渡区中的其中一个位于所述沟道区与所述源区之间，两个所述过渡区中的另一个位于所述沟道区与所述漏区之间，所述沟道区的载流子浓度为
C1
，各所述过渡区的载流子浓度为
C2
，所述源区和所述漏区的载流子浓度为
C3
，其中，
C1≤C2
＜
C3
；栅极，设置于所述有源层的背离所述衬底的一侧，所述栅极在所述衬底上的正投影与所述沟道区在所述衬底上的正投影重叠；源漏层，包括源极和漏极，所述源极与源区接触，所述漏极与所述漏区接触
。2.
根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述
C1、C3
满足：
3.
根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述
C1、C2、C3
分别满足：
C1
＜
E19cm
‑3，
C2
＜
E19cm
‑3，
C3
＞
E19cm
‑3。4.
根据权利要求2所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述
C1、C2、C3
进一步满足：
C1
＜
E17cm
‑3，
C2
＜
E17cm
‑3，
C3
＞
E20cm
‑3。5.
根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述沟道区的氧含量为
N1
，各所述过渡区的氧含量为
N2
，所述源区和所述漏区的氧含量为
N3
，其中，
N1≥N2
＞
N3。6.
根据权利要求5所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述
N1、N2、N3
分别满足：
N1
＞
40
％，
N2
＞
40
％，
N3
＜
40
％
。7.
根据权利要求1‑6中任一项所述的薄膜晶体管，其特征在于，沿所述沟道区朝向所述源区或所述漏区的方向，各所述过渡区的长度为
La
，其中，0μ
m≤La≤3
μ
m。8.
根据权利要求7所述的薄膜晶体管，...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘凤娟，刘威，卢昱行，王浩然，胡合合，孙宏达，宁策，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：