具有反向倾斜介质槽的功率器件制造技术

本发明专利技术公开一种具有反向倾斜介质槽的功率器件，在有源区增设反向倾斜的介质槽

【技术实现步骤摘要】
具有反向倾斜介质槽的功率器件


[0001]本专利技术涉及功率器件
，具体涉及一种具有反向倾斜介质槽的功率器件
。

技术介绍

[0002]SOI(Silicon
‑
On
‑
Insulator
，绝缘衬底上的硅
)
功率器件通过电导调制效应显著降低导通电阻，具有驱动功耗低
、
导通能力强
、
热稳定性好
、
耐压高和安全工作区大等优点，易于电气隔离和功率集成，广泛用于电力电子
、
工业自动化
、
航空航天和武器装备等领域
。SOI
功率器件的横向耐压由横向电场沿耐压长度进行电离积分计算得到，因而提高横向耐压的设计思路是：提高平坦化表面电场分布和增加漂移区长度
。
在平坦化表面电场的基础上，随着功率器件有源层长度和厚度的增加，击穿电压增大
。
但是增加有源层长度和厚度会导致常规高压功率器件尺寸巨大，制造成本高昂，同时与半导体集成电路的等比例减小的发展趋本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
具有反向倾斜介质槽的功率器件，该功率器件为
SOILDMOS
功率器件，包括衬底层
(1)、
介质埋层
(2)、
有源层
(3)、
沟道区
(4)、
源区
(5)、
漏区
(6)、
栅极
(7)、
源极
(8)
和漏极
(9)
；介质埋层
(2)
位于衬底层
(1)
的上方，有源区
(5)
位于介质埋层
(2)
的上方；有源区
(5)
的左侧上部嵌有沟道区
(4)
，沟道区
(4)
的左侧上部嵌有源区
(5)
，有源区
(5)
的右侧上部嵌有漏区
(6)
；栅极
(7)
位于沟道区
(4)
的上方，并与源区
(5)、
沟道区
(4)
和有源区
(5)
实现连接；源极
(8)
位于源区
(5)
的上方，并与源极
(8)
实现连接；漏极
(9)
位于漏区
(6)
上方，并与漏区
(6)
实现连接；其特征在于：还包括由半导体介质材料所形成的介质槽
(10)
；介质槽
(10)
反向倾斜设置在有源区
(5)
的中部；介质槽
(10)
的上端位于沟道区
(4)
和漏区
(6)
之间，且介质槽
(10)
的上端面与有源区
(5)
的上表面相平；介质槽
(10)
的下端向漏区
(6)
方向倾斜，且介质槽
(10)
的下端面高于有源区
(5)
的下表面
。2.
根据权利要求1所述的具有反向倾斜介质槽的功率器件，其特征是，介质槽
(10)
呈倾斜1字形
、
下部倾斜的7字形
、
或倾斜阶梯型
。3.
根据权利要求1所述的具有反向倾斜介质槽的功率器件，其特征是，介质槽
(10)
的表面包覆有掺杂层
(11)
，且该掺杂层
(11)
的电极性与有源区
(5)
的电极性相反
。4.
根据权利要求1所述的具有反向倾斜介质槽的功率器件，其特征是，介质槽
(10)
与有源层
(3)
的上表面的夹角
α
的取值范围为
(0
°
，
90
°
)。5.
具有反向倾斜...

【专利技术属性】
技术研发人员：李琦，管理，陈永和，翟江辉，李海鸥，崔现文，程识，叶健，李佩，牛玉龙，
申请(专利权)人：桂林电子科技大学，
类型：发明
国别省市：