一种芯片阵列及微型芯片的转移方法技术

本发明专利技术公开了一种芯片阵列，所述芯片阵列包括：转移基板和阵列排布在所述转移基板上的若干个芯片；所述转移基板上设置有若干个凹槽，所述若干个芯片一一对应分布在所述若干个凹槽内；任一所述凹槽内设置有激光反应胶，所述芯片基于所述激光反应胶粘贴在所述凹槽内

【技术实现步骤摘要】
一种芯片阵列及微型芯片的转移方法


[0001]本专利技术主要涉及芯片封装
，具体涉及一种芯片阵列及微型芯片的转移方法
。

技术介绍

[0002]激光转移技术是
Micro LED
芯片封装工艺过程中常用的技术手段，目前的激光转移技术是在转移基板全面覆盖一层激光反应胶，用于芯片的附着和转移
。
[0003]目前的激光反应胶主要分为气化胶和发泡胶两类，气化胶在激光作用下气化消散，使得芯片可以从转移基板转移到封装基板上，但由于气化胶在反应时容易碎裂，导致部分胶体掉落在封装基板上，影响芯片的粘贴固定；而发泡胶在激光作用下膨胀，容易在转移芯片过程中对邻近的芯片造成干涉，导致芯片出现翻转和移位等情况，影响芯片转移的可靠性
。

技术实现思路

[0004]本专利技术的目的在于克服现有技术的不足，本专利技术提供了一种芯片阵列及微型芯片的转移方法，所述芯片阵列通过在转移基板上设置带有激光反应胶的凹槽，通过凹槽限制激光反应胶的反应活动范围，避免激光反应胶对邻近芯片造成影响，从而提高芯片转移的可靠性
。
[0005]本专利技术提供了一种芯片阵列，所述芯片阵列包括：转移基板和阵列排布在所述转移基板上的若干个芯片；
[0006]所述转移基板上设置有若干个凹槽，所述若干个芯片一一对应分布在所述若干个凹槽内；
[0007]任一所述凹槽内设置有激光反应胶，所述芯片基于所述激光反应胶粘贴在所述凹槽内
。
[0008]进一步的，所述凹槽内设置有芯片容纳区域，所述芯片设置在所述芯片容纳区域内
。
[0009]进一步的，所述凹槽的宽度为
d1
，所述芯片容纳区域的边长为
d2
，所述
d1
和所述
d2
之间的约束关系为：1μ
m≤d1
‑
d2≤2
μ
m。
[0010]进一步的，所述若干个凹槽之间间隙铺设有遮光层
。
[0011]进一步的，所述遮光层的厚度为
c
；
[0012]所述遮光层厚度
c
的范围为：
20nm≤c≤50nm。
[0013]进一步的，所述这遮光层为金属镀层，或所述遮光层为碳粉层，或所述遮光层为光吸收涂层，或所述遮光层为树脂层
。
[0014]进一步的，所述凹槽的深度为
a
，所述芯片的电极厚度为
b
，所述激光反应胶的厚度为
d
；
[0015]所述凹槽深度
a、
芯片电极厚度
b
和激光反应胶厚度
d
之间的约束关系为：
1.5*b≤d
≤a。
[0016]进一步的，所述激光反应胶的光吸收率大于
99
％
。
[0017]进一步的，所述激光反应胶为气化胶，或所述激光反应胶为发泡胶
。
[0018]本专利技术还提供了一种微型芯片的转移方法，所述转移方法基于所述芯片阵列实现，所述转移方法包括：
[0019]在透光载片上刻蚀形成若干个凹槽，基于所述若干个凹槽形成凹槽阵列；
[0020]在所述凹槽阵列之间镀设遮光层；
[0021]在所述凹槽内填充激光反应胶，形成所述转移基板；
[0022]将芯片对应贴合在转移基板的凹槽内，形成芯片阵列；
[0023]将所述芯片阵列贴合在封装基板上，并通过激光转移芯片
。
[0024]进一步的，所述在所述凹槽阵列之间镀设遮光层包括：
[0025]在透光载片上设置图案化光刻胶，在所述凹槽阵列中形成图案化掩膜；
[0026]在所述图案化掩膜形成的河道内沉积形成遮光层；
[0027]通过剥离液将光刻胶去除
。
[0028]本专利技术提供了一种芯片阵列及微型芯片的转移方法，所述芯片阵列通过在转移基板上设置带有激光反应胶的凹槽，通过凹槽限制激光反应胶的反应活动范围，避免激光反应胶对邻近芯片造成影响，从而提高芯片转移的可靠性
。
附图说明
[0029]为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见的，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其它的附图
。
[0030]图1是本专利技术实施例中芯片阵列结构的示意图；
[0031]图2是本专利技术实施例中芯片阵列结构的俯视图；
[0032]图3是本专利技术实施例中芯片转移流程示意图；
[0033]图4是本专利技术实施例中种微型芯片的转移方法的流程图；
[0034]图5是本专利技术实施例中透光载片制备流程示意图；
[0035]图6是本专利技术实施例中芯片阵列制备流程示意图；
[0036]图7是本专利技术实施例中遮光层制备方法流程示意图
。
具体实施方式
[0037]下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚
、
完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例
。
基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本专利技术保护的范围
。
[0038]图1示出了本专利技术实施例中芯片阵列结构的示意图，图2示出了本专利技术实施例中芯片阵列结构的俯视图，图3示出了本专利技术实施例中芯片2转移流程示意图，所述芯片阵列包括：转移基板1和阵列排布在所述转移基板1上的若干个芯片2，所述转移基板1上设置有若
干个凹槽
12
，所述若干个芯片2一一对应分布在所述若干个凹槽
12
内
。
根据器件封装的芯片2排布要求，在所述转移基板1上加工若干个凹槽
12
，基于所述若干个凹槽
12
限制所述若干个芯片2的位置，可以提高所述转移基板1上芯片2排布位置的准确性，从而提高芯片2的转移效率和转移可靠性
。
[0039]具体的，任一所述凹槽
12
内设置有激光反应胶3，所述芯片2基于所述激光反应胶3粘贴在所述凹槽
12
内，在转移所述芯片2时，所述激光反应胶3可以与预设波长的激光光线发生反应，从而使得芯片2在所述激光反应胶3上脱离，实现对所述芯片2的转移
。
[0040]进一步的，在所述凹槽
12
内设置所述激光反应胶3，使得所述凹槽
12
可以限制所述激光反应胶3与激光反应时的活动范围，即避免所述激光反应胶3在反应过程中对邻近的芯片2造成影响，提高所述芯片2转移的可靠性
。
[0041]进一步的，所述本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种芯片阵列，其特征在于，所述芯片阵列包括：转移基板和阵列排布在所述转移基板上的若干个芯片；所述转移基板上设置有若干个凹槽，所述若干个芯片一一对应分布在所述若干个凹槽内；任一所述凹槽内设置有激光反应胶，所述芯片基于所述激光反应胶粘贴在所述凹槽内
。2.
如权利要求1所述的芯片阵列，其特征在于，所述凹槽内设置有芯片容纳区域，所述芯片设置在所述芯片容纳区域内
。3.
如权利要求2所述的芯片阵列，其特征在于，所述凹槽的宽度为
d1
，所述芯片容纳区域的边长为
d2
；所述
d1
和所述
d2
之间的约束关系为：1μ
m≤d1
‑
d2≤2
μ
m。4.
如权利要求1所述的芯片阵列，其特征在于，所述若干个凹槽之间间隙铺设有遮光层
。5.
如权利要求4所述的芯片阵列，其特征在于，所述遮光层的厚度为
c
，所述遮光层厚度
c
的范围为：
20nm≤c≤50nm。6.
如权利要求4所述的芯片阵列，其特征在于，所述这遮光层为金属镀层，或所述遮光层为碳粉层，或所述遮光层为光吸收涂层，或所述遮光层为树脂层
。7.
如权利要求1所述的芯...

【专利技术属性】
技术研发人员：谭孟苹，赵志学，赵龙，周鑫，郑银玲，
申请(专利权)人：佛山市国星光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：