一种铌酸锂芯片无陪片装卡方法技术

本发明专利技术公开了一种铌酸锂芯片无陪片装卡方法，包括：准备陪磨片和陪片，将陪磨片的输入端和输出端分别粘接陪片得到陪磨片组件；准备铌酸锂芯片；将陪磨片

【技术实现步骤摘要】
一种铌酸锂芯片无陪片装卡方法


[0001]本专利技术属于集成光学器件
，尤其涉及一种铌酸锂芯片无陪片装卡方法
。

技术介绍

[0002]铌酸锂芯片用于生产高速电光调制器时，调制器的啁啾小，传输损耗小，消光比大，稳定性好，抗光损伤能力强，同时可以实现宽带调制，最大的优势在于它的电光系数比较高
。
因此高速电光调制器器件已经被广泛应用，并且还有很大的发展空间，对于这类应用，它是最有发展前途的介质材料，因此当前许多微波光子学系统中都选用宽带铌酸锂电光调制器作为电光转换的核心器件
。
而铌酸锂芯片是其中的核心部件，目前生产的芯片输入端和输出端全部为带陪片结构，陪片的尺寸为
1mm*2mm
，此尺寸的陪片磨抛后经常出现脱落或陪片下缺胶，严重影响了铌酸锂芯片的可靠性
。

技术实现思路

[0003]本专利技术解决的技术问题是：克服现有技术的不足，提供了一种铌酸锂芯片无陪片装卡方法，能够研磨出无陪片的铌酸锂芯片，进而提高了铌酸锂器件的可靠性和性能的提升
。
[0004]本专利技术目的通过以下技术方案予以实现：一种铌酸锂芯片无陪片装卡方法，包括：准备陪磨片和陪片，将陪磨片的输入端和输出端分别粘接陪片得到陪磨片组件；准备铌酸锂芯片；将陪磨片
、
陪磨片组件和酸锂芯片进行装卡得到芯片组合体；将芯片组合体的四个侧面旋涂胶水后并固化
。
[0005]上述铌酸锂芯片无陪片装卡方法中，所述陪磨片组件包括陪磨片和两个陪片；其中，所述陪磨片的输入端粘接一个陪片，所述陪磨片的输出端粘接另一个陪片；所述陪片的边沿与所述陪磨片的边沿对齐
。
[0006]上述铌酸锂芯片无陪片装卡方法中，粘接用的胶为硅橡胶，粘接后加热进行固化；其中，固化条件为
80℃
持续时间为
1h。
[0007]上述铌酸锂芯片无陪片装卡方法中，准备铌酸锂芯片包括：将铌酸锂芯片用划切机划切开，清洗后，表面旋涂一层光刻胶，常温固化后备用
。
[0008]上述铌酸锂芯片无陪片装卡方法中，将陪磨片
、
陪磨片组件和酸锂芯片进行装卡得到芯片组合体包括：准备好芯片粘接平台，擦净粘接平台表面污垢后开始粘接，第一片为陪磨片，第二片为陪磨片组件，第三片为铌酸锂芯片，第四片为陪磨片组件，第五片为陪磨片，得到芯片组合体
。
[0009]上述铌酸锂芯片无陪片装卡方法中，所述芯片组合体的上侧面
、
下侧面
、
左侧面和右侧面旋涂
UV
胶后并固化；其中，固化为面光源照射
2min。
[0010]上述铌酸锂芯片无陪片装卡方法中，所述陪磨片和所述铌酸锂芯片的尺寸相等
。
[0011]上述铌酸锂芯片无陪片装卡方法中，所述陪片的宽度为
2mm
，所述陪片的厚度为
0.5mm
，所述陪磨片的厚度为
1mm。
[0012]上述铌酸锂芯片无陪片装卡方法中，所述铌酸锂芯片的厚度为
1mm
，光刻胶的固化条件为常温固化，且旋涂光刻胶厚度为
50
μ
m
‑
100
μ
m。
[0013]上述铌酸锂芯片无陪片装卡方法中，所述陪磨片的宽度与所述陪片的长度相等
。
[0014]本专利技术与现有技术相比具有如下有益效果：
[0015](1)
本专利技术研磨出的铌酸锂芯片输入端和输出端无陪片粘接
。
[0016](2)
本专利技术研磨出的铌酸锂芯片长度一致性和垂直度一致性好于有陪片装卡工艺
。
[0017](3)
本专利技术研磨出的无陪片铌酸锂芯片表面无因陪片粘接胶造成的对芯片本身的应力，从而提高铌酸锂芯片的整体性能
。
[0018](4)
本专利技术研磨出的无陪片铌酸锂芯片更易清洗干净
。
附图说明
[0019]通过阅读下文优选实施方式的详细描述，各种其他的优点和益处对于本领域普通技术人员将变得清楚明了
。
附图仅用于示出优选实施方式的目的，而并不认为是对本专利技术的限制
。
而且在整个附图中，用相同的参考符号表示相同的部件
。
在附图中：
[0020]图1是本专利技术实施例提供的装卡底座的示意图；
[0021]图2是本专利技术实施例提供的陪磨片的示意图；
[0022]图3是本专利技术实施例提供的陪片的示意图；
[0023]图4是本专利技术实施例提供的铌酸锂芯片的示意图；
[0024]图5是本专利技术实施例提供的芯片装卡后的整体结构图
。
具体实施方式
[0025]下面将参照附图更详细地描述本公开的示例性实施例
。
虽然附图中显示了本公开的示例性实施例，然而应当理解，可以以各种形式实现本公开而不应被这里阐述的实施例所限制
。
相反，提供这些实施例是为了能够更透彻地理解本公开，并且能够将本公开的范围完整的传达给本领域的技术人员
。
需要说明的是，在不冲突的情况下，本专利技术中的实施例及实施例中的特征可以相互组合
。
下面将参考附图并结合实施例来详细说明本专利技术
。
[0026]本实施例提供了一种铌酸锂芯片无陪片装卡方法，该方法包括：
[0027]准备陪磨片和陪片，将陪磨片的输入端和输出端分别粘接陪片得到陪磨片组件；
[0028]准备铌酸锂芯片；
[0029]将陪磨片
、
陪磨片组件和酸锂芯片进行装卡得到芯片组合体；
[0030]将芯片组合体的四个侧面旋涂胶水后并固化
。
[0031]具体的，粘接胶准备：铌酸锂芯片无陪片装卡工艺需要用到3款胶水，一款胶水用于芯片与芯片的粘接，此胶水为一款
UV
胶；另外一款胶水为硅橡胶，此胶水用于陪磨片与陪片的粘接；最后一款胶水为光刻胶，用于正式芯片表面图形的保护
。UV
胶为一款可去除的
UV
胶，且能够耐研磨
。
[0032]陪磨片准备：将划切好的陪磨片
(
陪磨片尺寸大小与正式的铌酸锂芯片大小一致
)
的输入端和输出端分别与划切好的陪片进行粘接得到陪磨片组件，粘接胶为硅橡胶，粘接后加热进行固化
。
陪片的宽度为
2mm
，陪片的厚度为
0.5mm
，陪磨片的厚度为
1mm。
陪磨片组件
包括陪磨片和两个陪片；其中，所述陪磨片的输入端粘接一个陪片，所述陪磨片的输出端粘接另一个陪片；所述陪片的边沿与所述陪磨片的边沿对齐
。
[0033]铌酸锂芯片准备：将铌酸锂芯片用划切机划切开，清洗干净后，表面旋涂一层光刻胶，常本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种铌酸锂芯片无陪片装卡方法，其特征在于包括：准备陪磨片和陪片，将陪磨片的输入端和输出端分别粘接陪片得到陪磨片组件；准备铌酸锂芯片；将陪磨片
、
陪磨片组件和酸锂芯片进行装卡得到芯片组合体；将芯片组合体的四个侧面旋涂胶水后并固化
。2.
根据权利要求1所述的铌酸锂芯片无陪片装卡方法，其特征在于：所述陪磨片组件包括陪磨片和两个陪片；其中，所述陪磨片的输入端粘接一个陪片，所述陪磨片的输出端粘接另一个陪片；所述陪片的边沿与所述陪磨片的边沿对齐
。3.
根据权利要求2所述的铌酸锂芯片无陪片装卡方法，其特征在于：粘接用的胶为硅橡胶，粘接后加热进行固化；其中，固化条件为
80℃
持续时间为
1h。4.
根据权利要求1所述的铌酸锂芯片无陪片装卡方法，其特征在于：准备铌酸锂芯片包括：将铌酸锂芯片用划切机划切开，清洗后，表面旋涂一层光刻胶，常温固化后备用
。5.
根据权利要求1所述的铌酸锂芯片无陪片装卡方法，其特征在于：将陪磨片
、
陪磨片组件和酸锂芯片进行装卡得到芯片组合体包括：准备好芯片粘接平台，擦净粘接平台表面污垢后开始粘接，第一片为陪磨片，第二片为陪磨片组件，第...

【专利技术属性】
技术研发人员：乔建坤，夏君磊，郑国康，周建伟，孙钰，窦长旋，
申请(专利权)人：北京航天时代光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：