横向激励体声波谐振器制造技术

本实用新型专利技术提供了一种横向激励体声波谐振器。该谐振器包括：半导体基体，半导体基体具有第一表面；压电层，压电层设置于第一表面上，压电层具有远离第一表面的第二表面；叉指电极层，叉指电极层设置于第二表面上，且叉指电极层包括第一汇流部、第二汇流部、多个第一叉指电极和多个第二叉指电极，各第一叉指电极与第一汇流部连接并间隔设置，各第二叉指电极与第二汇流部连接并间隔设置，任意一个第二叉指电极的至少部分位于两个第一叉指电极之间；散射体，散射体设置在叉指电极层和/或压电层中。通过本申请，减少了谐振器的声波能量散失，进而提升了谐振器的机械品质因数Q，使得谐振器的性能得到改善。性能得到改善。性能得到改善。

【技术实现步骤摘要】
横向激励体声波谐振器


[0001]本技术涉及谐振器
，具体而言，涉及一种横向激励体声波谐振器。

技术介绍

[0002]横向激励体声波谐振器(XBAR)是体声波(BAW)谐振器中的一种，具有较高的谐振频率f和有效机电耦合系数K
eff2
，但是由于该横向激励体声波谐振器自身的锚损耗通常会带来能量泄露的问题，从而导致谐振器的机械品质因数Q较低，使得谐振器的性能较差。
[0003]因此，亟需一种具有较高机械品质因数Q的谐振器。

技术实现思路

[0004]本技术的主要目的在于提供一种横向激励体声波谐振器，以解决现有技术中谐振器的机械品质因数Q较低的问题。
[0005]为了实现上述目的，本技术提供了一种横向激励体声波谐振器，包括：半导体基体，半导体基体具有第一表面；压电层，压电层设置于第一表面上，压电层具有远离第一表面的第二表面；叉指电极层，叉指电极层设置于第二表面上，且叉指电极层包括第一汇流部、第二汇流部、多个第一叉指电极和多个第二叉指电极，各第一叉指电极与第一汇流部连接并间隔设置，各第二叉指电极与第二本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种横向激励体声波谐振器，其特征在于，包括：半导体基体，所述半导体基体具有第一表面；压电层，所述压电层设置于所述第一表面上，所述压电层具有远离所述第一表面的第二表面；叉指电极层，所述叉指电极层设置于所述第二表面上，且所述叉指电极层包括第一汇流部、第二汇流部、多个第一叉指电极和多个第二叉指电极，各所述第一叉指电极与所述第一汇流部连接并间隔设置，各所述第二叉指电极与所述第二汇流部连接并间隔设置，任意一个所述第二叉指电极的至少部分位于两个所述第一叉指电极之间；散射体，所述散射体设置在所述叉指电极层和/或所述压电层中，其中：在所述散射体设置在所述叉指电极层的情况下，所述散射体设置在所述第一汇流部和所述第二汇流部中，在所述散射体设置在所述压电层的情况下，所述压电层至少包括第一区域以及位于所述第一区域相对两侧的第二区域，相邻所述第一叉指电极与所述第二叉指电极之间具有第三区域，所述第三区域在所述压电层中的投影位于所述第一区域中，所述散射体设置在所述第二区域中。2.根据权利要求1所述的横向激励体声波谐振器，其特征在于，在所述散射体设置在所述压电层的情况下，所述第一汇流部在所述第二表面上具有第一投影区域，所述第二汇流部在所述第二表面上具有第二投影区域，所述第二表面至少包括位于所述第二区域中的第一裸露区域，所述第一裸露区域位于所述第一投影区域和所述第二投影区域之间，所述散射体设置于所述第一裸露区域中。3.根据权利要求1所述的横向激励体声波谐振器，其特征在于，在所述散射体设置在所述压电层的情况下，所述第一汇流部在所述第二表面上具有第一投影区域，所述第二汇流部在所述第二表面上具有第二投影区域，所述第二表面至少包括位于所述第二区域中的第二裸露区域，所述第二裸露区域位于所述第一投影区域远离所述第二投影区域的一侧和所述第二投影区域远离所述第一投影区域的一侧，所述散射体至少设置于所述第二裸露区域中。4.根据权利要...

【专利技术属性】
技术研发人员：温志伟，刘文娟，孙博文，孙成亮，
申请(专利权)人：武汉敏声新技术有限公司，
类型：新型
国别省市：