一种沉积设备制造技术

本申请公开一种沉积设备包括：腔室

【技术实现步骤摘要】
一种沉积设备


[0001]本技术涉及光伏制造
，具体涉及一种沉积设备
。

技术介绍

[0002]在晶体硅太阳能电池的生产过程中，需要在电池表面制作能够减少光在硅片表面反射率的减反射膜，可以显著提高晶体硅太阳能电池的转化效率，晶体硅太阳能电池生产中通常采用沉积设备制作减反射膜，在制作减反射膜的过程中，工艺气体均采用自沉积设备的沉积腔一端进气，另一端抽气的输送方式，使得沉积设备在进气的过程中大都不均匀，导致镀膜的均匀性不好，不良片产生的几率较大
。
[0003]为了解决上述问题，现有技术中，通常通过在沉积腔内设置一个具有多个喷口的进气管路，工艺气体自进气管路的一端进入，并从沉积腔的底部抽气，通过将该进气管路设置为于沉积腔内往复移动，以使多个喷口在电池表面往复喷出工艺气体，以在电池表面形成减反射膜
。
[0004]但是，由于工艺气体于进气管路的一端进入，导致不同位置的喷口喷出的气体时间不一致，仍旧存在进气不均匀的问题，同时由于进气管路往复移动，使得电池表面附着的减反射膜的厚度不均匀，影响晶体硅太阳能电池的转换效率
。

技术实现思路

[0005]本技术的目的在于提供一种沉积设备，以解决现有技术中沉积设备进气不均匀
、
晶体硅太阳能电池表面减反射膜附着不均匀的问题
。
[0006]为解决上述技术问题，本技术采用的技术方案是：
[0007]一种沉积设备，包括：
[0008]腔室，用于提供真空环境；
[0009]承载组件，用于承载目标硅片，所述承载组件水平设置在所述腔室内；
[0010]真空组件，与所述腔室相连通，用于对所述腔室抽真空；以及
[0011]特气机构，包括设置在所述腔室内的喷气组件和设置在所述腔室的顶壁中部的进气管，所述喷气组件通过所述进气管与外部的供气系统相连通，所述喷气组件包括一个一阶喷气单元和分别与所述一阶喷气单元连通的四个二阶喷气单元，四个二阶喷气单元呈2乘2矩阵水平排列；
[0012]所述一阶喷气单元包括水平布置且相互垂直交叉的两个一阶管路，两个所述一阶管路的中点相重合，两个所述一阶管路的交叉处与所述进气管相连通，每个所述一阶管路的端部下方连接一个二阶喷气单元；
[0013]每个所述二阶喷气单元包括水平布置且相互垂直交叉的两个二阶管路，相互垂直交叉的两个所述二阶管路的中点相重合，两个所述二阶管路的交叉处与对应所述一阶管路的端部相连通，每个所述二阶管路的端部下方连接一个喷嘴，每个所述喷嘴均沿高度方向布置，且相邻两个所述喷嘴的喷射范围相接且不重合
。
[0014]进一步地，所述二阶管路的数量为8个，8个所述二阶管路的轴线位于同一水平面内，2个所述一阶管路的轴线位于同一水平面内
。
[0015]进一步地，所述一阶管路的径向尺寸大于所述二阶管路的径向尺寸
。
[0016]进一步地，所述喷嘴的数量为
16
个，
16
个所述喷嘴呈4乘4矩阵水平排列，且
16
个所述喷嘴的轴线相平行
。
[0017]进一步地，所述喷嘴的顶壁呈弧形结构，所述弧形结构沿所述喷嘴的轴线朝向所述特气机构凸起
。
[0018]进一步地，所述喷嘴的喷口呈矩形
。
[0019]进一步地，所述真空组件包括设置在所述腔室的底壁上的抽气口和通过所述抽气口与所述腔室相连通的真空装置，所述真空装置设置在所述腔室外
。
[0020]进一步地，所述抽气口设置在所述腔室底壁的中部
。
[0021]进一步地，所述承载组件包括水平设置在所述腔室内的支承板和设置在所述支承板上方的石墨舟，所述支承板与所述腔室的底壁间隔设置
。
[0022]进一步地，所述腔室的下方设置有支撑座
。
[0023]由于上述技术方案的运用，本申请与现有技术相比的有益效果在于：
[0024](1)
本申请在腔室内设置有一阶喷气单元和四个二阶喷气单元，并在腔室的顶壁中部设置有进气管，一阶喷气单元的两个一阶管路的交叉处与进气管相连通，二阶喷气单元的两个二阶管路的交叉处与对应一阶管路的端部相连通，每个二阶管路的端部下方连接一个喷嘴，使得工艺气体进入每个喷嘴的时间相同，使得多个喷嘴可以同时向目标硅片喷出工艺气体，进气均匀；
[0025](2)
相邻两个喷嘴的喷射范围相接，使得多个喷嘴的喷射范围合并呈一个完整的附着区域，使得目标硅片表面附着的减反射膜的厚度均匀，以提高晶体硅太阳能电池的转换效率
。
附图说明
[0026]为了更清楚地说明本技术具体实施方式或现有技术中的技术方案，下面将对具体实施方式或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见，下面描述中的附图是本技术的一些实施方式，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图
。
[0027]图1为本技术实施例的一种沉积设备的剖视结构示意图；
[0028]图2为图1所示的特气机构的俯视结构示意图
。
[0029]附图标记说明：
[0030]1‑
腔室；2‑
承载组件；
21
‑
支承板；
22
‑
石墨舟；3‑
真空组件；
31
‑
抽气口；
32
‑
真空装置；4‑
特气机构；
41
‑
进气管；
42
‑
一阶喷气单元；
421
‑
一阶管路；
43
‑
二阶喷气单元；
431
‑
二阶管路；
44
‑
喷嘴；5‑
支撑座
。
具体实施方式
[0031]为了使本
的人员更好地理解本申请方案，下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚
、
完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是
本申请一部分的实施例，而不是全部的实施例
。
基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都应当属于本申请保护的范围
。
[0032]需要说明的是，本申请的说明书和权利要求书及上述附图中的术语“第一”、“第二”等是用于区别类似的对象，而不必用于描述特定的顺序或先后次序
。
应该理解这样使用的数据在适当情况下可以互换，以便这里描述的本申请的实施例
。
此外，术语“包括”和“具有”以及他们的任何变形，意图在于覆盖不排他的包含，例如，包含了一系列步骤或单元的过程
、
方法
、
系统
...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种沉积设备，其特征在于，包括：腔室，用于提供真空环境；承载组件，用于承载目标硅片，所述承载组件水平设置在所述腔室内；真空组件，与所述腔室相连通，用于对所述腔室抽真空；以及特气机构，包括设置在所述腔室内的喷气组件和设置在所述腔室的顶壁中部的进气管，所述喷气组件通过所述进气管与外部的供气系统相连通，所述喷气组件包括一个一阶喷气单元和分别与所述一阶喷气单元连通的四个二阶喷气单元，四个二阶喷气单元呈2乘2矩阵水平排列；所述一阶喷气单元包括水平布置且相互垂直交叉的两个一阶管路，两个所述一阶管路的中点相重合，两个所述一阶管路的交叉处与所述进气管相连通，每个所述一阶管路的端部下方连接一个二阶喷气单元；每个所述二阶喷气单元包括水平布置且相互垂直交叉的两个二阶管路，相互垂直交叉的两个所述二阶管路的中点相重合，两个所述二阶管路的交叉处与对应所述一阶管路的端部相连通，每个所述二阶管路的端部下方连接一个喷嘴，每个所述喷嘴均沿高度方向布置，且相邻两个所述喷嘴的喷射范围相接且不重合
。2.
如权利要求1所述的一种沉积设备，其特征在于，所述二阶管路的数量为8个，8个所述二阶管路的轴线位于同一水平面内，2个所述一阶管路的轴线位于同一水平面内
。3.
如权利要求2所述的一种沉积设备，其特征在于，所述一阶管路的径...

【专利技术属性】
技术研发人员：何保杨，翁航，冯佳兵，施梓祺，高弋元，
申请(专利权)人：芜湖协鑫集成新能源科技有限公司，
类型：新型
国别省市：