具有栅极连接器特征的模制功率半导体封装制造技术

本文公开了一种具有栅极连接器特征的模制功率半导体封装，其包括嵌入在模制化合物中的功率半导体管芯以及嵌入在位于功率半导体管芯上方的模制化合物中的引线框架。引线框架的第一部分包括电连接到功率半导体管芯的第一负载端子的分支。引线框架的第二部分与第一部分的分支向内间隔开，并且电连接到功率半导体管芯的栅极端子。引线框架的第一部分具有突出于模制化合物的第一侧面的突起，以形成模制封装的第一引线。引线框架的第二部分的纵轴与第一引线相交。引线框架的切断区域将引线框架的第二部分与第一引线物理地断开连接。的第二部分与第一引线物理地断开连接。的第二部分与第一引线物理地断开连接。

【技术实现步骤摘要】
具有栅极连接器特征的模制功率半导体封装

技术介绍

[0001]多个功率SiC管芯(芯片)的对称切换实现了用于1200V以及高达580A或更大的高功率应用。常规的模制功率半导体封装设计为高侧和低侧开关节点连接提供了对称连接，但是用于高侧和低侧的栅极接触部是不对称的，这为高侧和低侧带来了不同的最大可能的切换速度。除非针对应用大幅降低额定值，否则这可能导致在增大的频率下的振荡，由于栅极接触部的高电感连接，这可能会破坏模块。
[0002]因此，需要形成适合于用于1200V以及高达580A或更大的高功率应用的改进的模制功率半导体封装设计。

技术实现思路

[0003]根据模制功率半导体封装的实施例，该模制功率半导体封装包括：模制化合物；嵌入在模制化合物中的多个第一功率半导体管芯；以及嵌入在位于多个第一功率半导体管芯上方的模制化合物中的第一引线框架，其中，第一引线框架的第一部分包括电连接到第一功率半导体管芯的第一负载端子的多个分支，其中，第一引线框架的第二部分与第一部分的分支向内间隔开，并且电连接到第一功率半导体管芯的栅极端子，其中，第一引线框架的第一部分具有本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种模制功率半导体封装，包括：模制化合物；多个第一功率半导体管芯，其嵌入在所述模制化合物中；以及第一引线框架，其嵌入在位于所述多个第一功率半导体管芯上方的所述模制化合物中，其中，所述第一引线框架的第一部分包括电连接到所述第一功率半导体管芯的第一负载端子的多个分支，其中，所述第一引线框架的第二部分与所述第一部分的所述分支向内间隔开，并且电连接到所述第一功率半导体管芯的栅极端子，其中，所述第一引线框架的所述第一部分具有突出于所述模制化合物的第一侧面的突起，以形成所述模制功率半导体封装的第一引线，其中，所述第一引线框架的所述第二部分的纵轴与所述第一引线相交，其中，所述第一引线框架的切断区域将所述第一引线框架的所述第二部分与所述第一引线物理地断开连接。2.根据权利要求1所述的模制功率半导体封装，其中，所述第一引线框架的所述切断区域定位在所述模制化合物的周界内部。3.根据权利要求2所述的模制功率半导体封装，其中，所述第一引线框架的所述切断区域包括多个互连的钻孔区域、机械加工区域或激光切割区域。4.根据权利要求2所述的模制功率半导体封装，其中，所述模制化合物在所述第一引线框架的所述切断区域之上具有减小的厚度，或者被从所述第一引线框架的所述切断区域之上完全去除。5.根据权利要求1所述的模制功率半导体封装，其中，所述第一引线框架的所述切断区域定位在所述模制化合物外部。6.根据权利要求5所述的模制功率半导体封装，其中，所述第一引线框架的所述切断区域包括冲压区域。7.根据权利要求1所述的模制功率半导体封装，还包括：压配引脚，其附接到所述第一引线框架的所述第二部分并且从所述模制化合物的前表面向外延伸，其中，所述模制化合物的所述第一侧面在所述模制化合物的所述前表面与背表面之间延伸。8.根据权利要求1所述的模制功率半导体封装，还包括：多个第二功率半导体管芯，其嵌入在所述模制化合物中并且电连接到所述多个第一功率半导体管芯以形成半桥；以及第二引线框架，其嵌入在位于所述多个第二功率半导体管芯上方的所述模制化合物中，其中，所述第二引线框架的第一部分包括电连接到所述第二功率半导体管芯的第一负载端子的多个分支，其中，所述第二引线框架的第二部分与所述第二引线框架的所述第一部分的所述分支向内间隔开，并且电连接到所述第二功率半导体管芯的栅极端子，
其中，所述第二引线框架的所述第一部分具有突出于所述模制化合物的与所述第一侧面相对的第二侧面的突起，以形成所述模制功率半导体封装的第二引线，其中，所述第二引线框架的所述第二部分的纵轴与所述第二引线相交，其中，所述第二引线框架的切断区域将所述第二引线框架的所述第二部分与所述第二引线物理地断开连接。9.根据权利要求8所述的模制功率半导体封装，其中，所述第一引线框架的所述切断区域和所述第二引线框架的所述切断区域两者定位在所述模制化合物的周界内部，其中，所述模制化合物在所述第一引线框架的所述切断区域之上具有减小的厚度，或者被从所述第一引线框架的所述切断区域之上完全去除，并且其中，所述模制化合物在所述第二引线框架的所述切断区域之上具有减小的厚度，或者被从所述第二引线框架的所述切断区域之上完全去除。10.一种生产模制功率半导体封装的方法，所述方法包括：将第一引线框架定位在多个第一功率半导体管芯上方，所述第一引线框架包括彼此一体连接的第一部分和第二部分，其中，所述第一部分包括多个分支，并且所述第二部分与所述分支向内间隔开；将所述多个分支电连接到所述第一功率半导体管芯的第一负载端子；将所述第一引线框架的所述第二部分电连接到所述第一功率半导体管芯的栅极端子；采用模制化合物对所述第一引线框架和所述多个第一功率半导体管芯进行模制，其中，所述第一引线框架的所述第一部分具有突出于所述模制化合物的第一侧面的突起，以形成所述模制功率半导体封装的第一引线，并且所述第一引线框架的所述第二部分的纵轴与所述第一引线相交；以及在进行所述模制之后，切断所述第一引...

【专利技术属性】
技术研发人员：I，
申请(专利权)人：英飞凌科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：