半导体碳化硅加工方法技术

本发明专利技术提供了一种半导体碳化硅加工方法，包括以下步骤：

【技术实现步骤摘要】
半导体碳化硅加工方法


[0001]本专利技术涉及半导体碳化硅加工领域，具体地，涉及一种半导体碳化硅加工方法
。

技术介绍

[0002]碳化硅为新起第三代半导体材料，具有良好的电子和化学特性
、
高温
、
高频
、
抗辐射特点，广泛用于于大规模功率和高密度集成电子器件
、
发光器件和光电探测器，在航空
、
航天
、
智能
、
核能
、
雷达以及光通讯具有重要应用；
[0003]目前市场主要加工以下：一种是以碳化硅产品为原型件的抛光产品，一种是以碳化硅异型件为加工产品的普通机械精磨级产品，市场上针对碳化硅晶圆加工中，对碳化硅异型件的加工较少，还对有异型尺寸要求，同时又能生产光学抛光等级的合格产品就更少；
[0004]针对上述现有技术的不足，本专利技术提供一种半导体碳化硅加工方法
。

技术实现思路

[0005]针对现有技术中的缺陷，本专利技术的目的是提供半导体碳化硅加工方法
。
[0006]根据本专利技术提供的：一种半导体碳化硅加工方法，包括以下步骤：
[0007]S1
：将原材料依次通过切割毛胚
、
铣磨粗加工工艺预先处理，使达到符合尺寸要求的半成品；
[0008]S2
：基于图纸的公差要求和表面粗糙度的要求，针对半成品利用精雕机进行一次机加工，并检测加工后成品的精度；
[0009]S3
：对符合精度的成品依次经过粗磨
、
精磨
、
抛光
、
清洗的方式进行二次加工；
[0010]S4
：检验二次加工后的成品，并将符合标准的成品进行封装处理；
[0011]清洗的方式采用双工艺清洁模式；
[0012]双工艺清洁模式中第一种清洗模式为：在喷射清洗设备内填充碳酸氢钠微晶体磨料，并调整合适的喷射角度，逐步移动设备对需喷涂表面基材整体进行清洁，若基材表面仍有残余，则重复清洁处理
。
[0013]优选地，在所述步骤
S1
中具体包括：
[0014]S1.1
：对原材料为圆柱型胚料进行切割，切割的余料留余
0.3
‑
2MM
；
[0015]S1.2
：选用粒度砂轮对余料铣磨，并铣磨余料的特殊形状面，去除余料的余量后，将获得半成品，且尺寸按公差要求留余
0.2MM
；
[0016]优选地，切割所述圆柱型胚料的方式为：线切割加工；
[0017]优选地，
S2.1
：按图纸参数要求选用不同粒度磨头安装至精雕机中，并针对半成品进行加工，且加工的成品尺寸面达到图纸要求；
[0018]S2.2
：基于图纸指标，对成品进行精度检测；
[0019]优选地，在所述步骤
S3
中具体包括：
[0020]S3.1
：对符合精度的成品采用碳化硼研磨工艺进行粗磨，且粗磨面的减薄将提升粗磨面
ra
值；
[0021]S3.2
粗磨后的成品采用砖石液研磨工艺进行精磨，且精磨面粗糙度达到纳米级，精磨面留余抛光余量
0.01mm
；
[0022]S3.3
：精磨后的成品采用
CMP
抛光工艺进行抛光，且抛光面进行抛光后达到图纸要求；
[0023]S3.4
：抛光后的成品采用双工艺清洁模式清理残留物；
[0024]优选地，对所述成品进行粗磨时选用以下设备：单面环抛研磨机
、
高抛单面研磨机
、
双面研磨机；
[0025]优选地，对所述成品进行精磨时将采用砖石液磨料配合研磨垫对其研磨；
[0026]优选地，所述
CMP
抛光工艺是为：采用抛光液研磨垫对产品抛光面进行抛光处理，达到纳米级要求及光洁度指标；
[0027]优选地，所述双工艺清洁模式中第二种清洗模式为：
13
槽超声工艺，其利用超声波清洗工艺对产品进行清洗处理；
[0028]优选地，在所述步骤
S4
中封装处理是为：对检测后成品采用无尘真空包装；
[0029]与现有技术相比，本专利技术具有如下的有益效果：
[0030]1、
在市场上针对碳化硅晶圆的加工中，能够对碳化硅的异型件进行生产；
[0031]2、
在此碳化硅异型产品加工过程中，加工精度
±
0.01
，精磨面等级可达
RA0.015
，抛光面等级可达
0.2nm
以下，光学等级可达
S/D
：
10/5
，相较市场上同类工艺有着显著的领先；
[0032]3、
在此碳化硅的加工过程中不仅能生产有异型尺寸要求，同时又能做光学抛光等级的合格产品
。
附图说明
[0033]通过阅读参照以下附图对非限制性实施例所作的详细描述，本专利技术的其它特征
、
目的和优点将会变得更明显：
[0034]图1为本专利技术的加工流程示意图
。
具体实施方式
[0035]下面结合具体实施例对本专利技术进行详细说明
。
以下实例将有助于本领域的技术人员进一步理解本专利技术，但不以任何形式限制本专利技术
。
应当指出的是，对本领域的普通技术人员来说，在不脱离本专利技术构思的前提下，还可以做出若干变化和改进
。
这些都属于本专利技术的保护范围
。
[0036]本专利技术提供了如图1中所示的一种半导体碳化硅加工方法，包括以下步骤：
[0037]S1
：将原材料依次通过切割毛胚
、
铣磨粗加工工艺预先处理，使达到符合尺寸要求的半成品；
[0038]在步骤
S1
中具体为：对原材料为圆柱型胚料进行切割，切割的余料留余
0.3
‑
2MM
，再选用粒度砂轮对余料铣磨，并铣磨余料的特殊形状面，去除余料的余量后，将获得半成品，且尺寸按公差要求留余
0.2MM
；
[0039]需要补充的是，在本实施例中：切割所述圆柱型胚料的方式为：线切割加工
。
[0040]S2
：基于图纸的公差要求和表面粗糙度的要求，针对半成品利用精雕机进行一次
机加工，并检测加工后成品的精度；
[0041]在步骤
S2
中具体为：按图纸参数要求选用不同粒度磨头安装至精雕机中，并针对半成品进行加工，且加工的成品尺寸面达到图纸要求，再基于图纸指标，对成品进行精度检测
。
[0042]S3
：对符合精度的成品依次经过本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种半导体碳化硅加工方法，其特征在于，包括以下步骤：
S1
：将原材料依次通过切割毛胚
、
铣磨粗加工工艺预先处理，使达到符合尺寸要求的半成品；
S2
：基于图纸的公差要求和表面粗糙度的要求，针对半成品利用精雕机进行一次机加工，并检测加工后成品的精度；
S3
：对符合精度的成品依次经过粗磨
、
精磨
、
抛光
、
清洗的方式进行二次加工；
S4
：检验二次加工后的成品，并将符合标准的成品进行封装处理；清洗的方式采用双工艺清洁模式；双工艺清洁模式中第一种清洗模式为：在喷射清洗设备内填充碳酸氢钠微晶体磨料，并调整合适的喷射角度，逐步移动设备对需喷涂表面基材整体进行清洁，若基材表面仍有残留杂质，则重复清洁处理
。2.
根据权利要求1所述的半导体碳化硅加工方法，其特征在于，在所述步骤
S1
中具体包括：
S1.1
：对原材料为圆柱型胚料进行切割，切割的余料留余
0.3
‑
2MM
；
S1.2
：选用粒度砂轮对余料铣磨，并铣磨余料的特殊形状面，去除余料的余量后，将获得半成品，且尺寸按公差要求留余
0.2MM。3.
根据权利要求2所述的半导体碳化硅加工方法，其特征在于，切割所述圆柱型胚料的方式为：线切割加工
。4.
根据权利要求1所述的半导体碳化硅加工方法，其特征在于，在所述步骤
S2
中具体包括：
S2.1
：按图纸参数要求选用不同粒度磨头安装至精雕机中，并针对半成品进行加工，且加工的成品尺寸面达到图纸要求；
S2.2
...

【专利技术属性】
技术研发人员：朱建成，卢彬，
申请(专利权)人：南京蓝鼎光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：