半导体处理方法及半导体处理装置制造方法及图纸

本发明专利技术涉及一种半导体处理方法及半导体处理装置

【技术实现步骤摘要】
半导体处理方法及半导体处理装置


[0001]本专利技术涉及半导体制造
，尤其涉及一种半导体处理方法及半导体处理装置
。

技术介绍

[0002]目前，半导体集成电路
(IC)
产业已经经历了指数式增长
。IC
材料和设计中的技术进步已经产生了数代
IC
，其中，每代
IC
都比前一代
IC
具有更小和更复杂的电路
。
在
IC
发展的过程中，功能密度
(
即每一芯片面积上互连器件的数量
)
已普遍增加，而几何尺寸
(
即使用制造工艺可以产生的最小部件
)
却已减小
。
除了
IC
部件变得更小和更复杂之外，在其上制造
IC
的晶圆变得越来越大，这就对晶圆的质量要求越来越高
。
[0003]离子注入工艺是半导体制造工艺中用于调整膜层性能的常用工艺
。
离子注入工艺通常包括如下步骤：采本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种半导体处理方法，其特征在于，包括如下步骤：去除化学试剂中粒径大于预设尺寸的颗粒物；采用去除粒径大于预设尺寸的颗粒物之后的化学试剂对半导体结构进行表面处理；注入掺杂离子至所述半导体结构的预定区域；对注入所述掺杂离子之后的所述半导体结构进行激光激活处理
。2.
根据权利要求1所述的半导体处理方法，其特征在于，所述预设尺寸为小于或者等于1微米的尺寸
。3.
根据权利要求1所述的半导体处理方法，其特征在于，去除化学试剂中粒径大于预设尺寸的颗粒物的具体步骤包括：过滤掉第一化学试剂中粒径大于第一预设尺寸的颗粒物；过滤掉第二化学试剂中粒径大于第二预设尺寸的颗粒物，所述第二预设尺寸小于或者等于所述第一预设尺寸
。4.
根据权利要求1所述的半导体处理方法，其特征在于，采用去除粒径大于预设尺寸的颗粒物之后的化学试剂对半导体结构进行表面处理的具体步骤包括：采用经过滤后的第一化学试剂对所述半导体结构的表面进行平坦化处理；采用经过滤后的第二化学试剂除去所述半导体结构的表面残留的所述第一化学试剂
。5.
根据权利要求1所述的半导体处理方法，其特征在于，注入掺杂离子至所述半导体结构的预定区域的具体步骤包括：自所述半导体结构的背面向所述半导体结构的预定区域注入所述掺杂离子，所述半导体结构的背面是与所述半导体结构的正面相对的表面，所述半导体结构的正面形成有器件结构
。6.
根据权利要求1所述的半导体处理方法，其特征在于，所述掺杂离子为氢离子或者磷离子
。7.
根据权利要求5所述的半导体处理方法，其特征在于，对注入所述掺杂离子之后的所述半导体结构进行激光激活处理的具体步骤包括：采用激光照射所述半导体结构的背面，升高所述半导体结构的温度
。8....

【专利技术属性】
技术研发人员：庄望超，沈显青，
申请(专利权)人：上海积塔半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：