一种功率集成隔离结构制造技术

本发明专利技术公开一种功率集成隔离结构

【技术实现步骤摘要】
一种功率集成隔离结构、功率集成电路及其制备方法


[0001]本专利技术涉及功率半导体器件和功率集成电路所应用的单片功率集成技术的隔离
，特别涉及一种功率集成隔离结构
、
功率集成电路及其制备方法
。

技术介绍

[0002]单片功率集成因其集成度极高的优势，可以大幅提升功率半导体器件和功率集成电路的性能，在消费电子
、
汽车电子和航空电源等领域有十分广泛的应用
。
隔离结构是单片功率集成技术中不可或缺的关键结构之一，在硅基半导体器件或电路中，常用的隔离结构包括自隔离
、PN
结隔离和介质隔离
。
其中自隔离和
PN
结隔离的本质均是通过
PN
结的反偏实现各器件
/
电路间的隔离，容易引入
NPN
或
NPNP
等寄生结构，在高温
、
高压或大电流等情况下极易导致隔离性能大幅下降，造成单片集成器件
/
电路的异常工作
>(PN
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种功率集成隔离结构，其特征在于，包括一水平的半绝缘层，使得半导体表面器件和
/
或电路和其他器件和
/
或电路底部隔离，所述半绝缘层上侧纵向连接有至少一纵向隔离层，使得半导体表面器件和
/
或电路与其他器件和
/
或电路侧壁隔离
。2.
根据权利要求1所述的一种功率集成隔离结构，其特征在于，所述半绝缘层为介质隔离层，所述介质隔离层为钒离子注入形成的衍生物；所述纵向隔离层为介质隔离层
、PN
结隔离层
、
半绝缘隔离层中的一种或几种组合
。3.
根据权利要求1所述的一种功率集成隔离结构，其特征在于，所述半绝缘层位于
SiC
基层中，其中，所述半绝缘层位于半导体器件和
/
或电路下方或上方，所述半绝缘层横截面呈长条形
、
曲线状
、
锯齿状
、
连续凹凸状
、
梯形状或楔形状中的一种或集中组合；所述纵向隔离层位于任意相邻两个器件和
/
或电路之间，其中，所述纵向隔离层横截面呈矩形状
、
曲线状
、
锯齿状
、
连续凹凸状
、
梯形状或楔形状中的一种或集中组合
。4.
根据权利要求1所述的一种功率集成隔离结构，其特征在于，所述纵向隔离层至少一个位于所述半绝缘层的端部，所述纵向隔离层通过刻蚀回填嵌入所述半绝缘层内
。5.
根据权利要求1所述的一种功率集成隔离结构，其特征在于，所述纵向隔离层垂直或近似垂直于所述半绝缘层
。6.
一种功率集成电路，其特征在于，包括权利要求1‑5任一项所述的功率集成隔离结构，还包括
n
个集成电路芯片，
n
个所述集成电路芯片水平布置，所述半绝缘层至少位于
n
‑1个所述集成电路芯片的底部，所述纵向隔离层至少具有
n
个，并且垂直嵌入连接于所述半...

【专利技术属性】
技术研发人员：许一力，
申请(专利权)人：杭州谱析光晶半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：