混合制造技术

本申请提供一种混合

【技术实现步骤摘要】
混合SOI工艺集成结构及其制备方法


[0001]本申请涉及半导体制造
，具体涉及一种混合
SOI
工艺集成结构及其制备方法
。

技术介绍

[0002]集成电路
(IC)
传统上已形成于块体半导体衬底上
。
近些年来，
SOI(Silicon
‑
On
‑
Insulator
，绝缘衬底上的硅
)
衬底已作为块体半导体衬底的替代出现
。SOI
衬底从上往下通常依次包括：顶层硅
、
埋氧化层和底层硅
。
目前存在同一
SOI
衬底上，制备不同
SOI
工艺中
(
不同器件中
)
需要的不同厚度规格的顶层硅难度较大的问题
。

技术实现思路

[0003]本申请提供了一种混合
SOI
工艺集成结构及其制备方法，可以解决同一
SOI
衬底上，制备不同
SOI<本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种混合
SOI
工艺集成结构的制备方法，其特征在于，包括：提供第一硅衬底，所述第一硅衬底上依次形成有绝缘层
、
第二硅衬底
、
第一掩膜层和第二掩膜层；定义
EDMOS
器件区和开关器件区，刻蚀所述
EDMOS
器件区和所述开关器件区之间的第二掩膜层
、
第一掩膜层和第二硅衬底以形成隔离沟槽；形成隔离层，所述隔离层填充所述隔离沟槽；形成第三掩膜层，所述第三掩膜层覆盖所述隔离层和所述第二掩膜层；去除所述开关器件区的所述第三掩膜层
、
所述第二掩膜层和所述第一掩膜层至所述第二硅衬底表面；对所述开关器件区的第二硅衬底执行热氧化工艺，以使部分厚度的第二硅衬底氧化成氧化硅层；以及去除所述开关器件区的所述氧化硅层以及所述
EDMOS
器件区的所述第二掩膜层和所述第一掩膜层
。2.
根据权利要求1所述的混合
SOI
工艺集成结构的制备方法，其特征在于，所述第一硅衬底中还形成有一富陷阱层
。3.
根据权利要求2所述的混合
SOI
工艺集成结构的制备方法，其特征在于，所述富陷阱层的厚度为
1.5
μ
m
～
2.5
μ
m。4.
根据权利要求1所述的混合
SOI
工艺集成结构的制备方法，其特征在于，所述第二硅衬底的厚度为
5.
根据权利要求4所述的混合
SOI
工艺集成结构的制备方法，其特征在于，对所述开关器件区的第二硅衬底执行热氧化工艺的过程中，氧化成所述氧化硅层的第二硅衬底的部分厚度为
6.
根据权利要求1所述的混合
SOI
工艺集成结构的制备方法，其特征在于，去除所述开关器件区的所述第三掩膜层
、
所述第二掩膜层和所述第一掩膜层至所述第二硅衬底表面的步骤包括：形成光刻胶层，所述光刻胶层覆盖所述第三掩膜层；通过曝光
、
显影工艺将所述开关器件区的所述光...

【专利技术属性】
技术研发人员：柳炀，陈志伟，
申请(专利权)人：上海华虹宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：