【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】半导体装置
[0001]本专利技术的一个方式涉及一种金属氧化物的制造方法
。
本专利技术的一个方式涉及一种晶体管
、
半导体装置及电子设备
。
另外,本专利技术的一个方式涉及一种半导体装置的制造方法
。
另外,本专利技术的一个方式涉及一种半导体晶片及模块
。
[0002]注意,在本说明书等中,半导体装置是指能够通过利用半导体特性而工作的所有装置
。
除了晶体管等半导体元件之外,半导体电路
、
运算装置或存储装置也是半导体装置的一个方式
。
显示装置
(
液晶显示装置
、
发光显示装置等
)、
投影装置
、
照明装置
、
电光装置
、
蓄电装置
、
存储装置
、
半导体电路
、
摄像装置
、
电子设备等有时包括半导体装置
。
[0003]注意,本专利技术的一个方式不局限于上述
。
本说明书等所公开的专利技术的一个方式涉及一种物体
、
方法或制造方法
。
另外,本专利技术的一个方式涉及一种工序
(process)、
机器
(machine)、
产品
(manufacture)
或者组合物
(composition ofmatte
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.
一种半导体装置,包括:第一层;所述第一层上的第二层;第一布线;第二布线;以及第三布线,其中,所述第一层包括第一复用器
、
第二复用器以及第一至第四模拟开关,所述第二层包括第一至第四晶体管,所述第一至第四晶体管各自包括源极
、
漏极及第一栅极,所述第一布线与所述第一至第四晶体管各自的源极和漏极中的一个电连接,所述第一模拟开关及所述第二模拟开关各自的第一端子与所述第一复用器电连接,所述第一模拟开关及所述第二模拟开关各自的第二端子与所述第二布线电连接,所述第一模拟开关的第三端子与所述第一晶体管及所述第二晶体管各自的源极和漏极中的另一个电连接,所述第二模拟开关的第三端子与所述第三晶体管及所述第四晶体管各自的源极和漏极中的另一个电连接,所述第三模拟开关及所述第四模拟开关各自的第一端子与所述第二复用器电连接,所述第三模拟开关及所述第四模拟开关各自的第二端子与所述第三布线电连接,所述第三模拟开关的第三端子与所述第一晶体管及所述第三晶体管各自的第一栅极电连接,并且,所述第四模拟开关的第三端子与所述第二晶体管及所述第四晶体管各自的第一栅极电连接
。2.
根据权利要求1所述的半导体装置,还包括:第四布线,其中所述第一至所述第四晶体管各自还包括第二栅极,并且所述第四布线与所述第一至第四晶体管各自的第二栅极电连接
。3.
根据权利要求1或2所述的半导体装置,其中所述第一至第四晶体管各自在沟道形成区域中包含金属氧化物
。4.
根据权利要求3所述的半导体装置,其中所述金属氧化物包含铟
、
镓及锌
。5.
根据权利要求1至4中任一项所述的半导体装置,其中所述第一至第四模拟开关各自使用
CMOS
电路构成
。6.
根据权利要求5所述的半导体装置,其中所述
CMOS
电路所包括的晶体管在沟道形成区域中包含硅
。7.
一种半导体装置,包括:第一层;所述第一层上的第二层;第一布线;第二布线;以及
第三布线,其中,所述第一层包括第一复用器
、
第二复用器以及第一至第三模拟开关,所述第二层包括第一晶体管以及第三晶体管,所述第一晶体管及所述第三晶体管各自包括源极
、
漏极以及第一栅极,所述第一布线与所述第一晶体管及所述第三晶体管各自的源极和漏极中的一个电连接,所述第一模拟开关及所述第二模拟开关各自的第一端子与所述第一复用器电连接,所述第一模拟开关及所述第二模拟开关各自的第二端子与所述第二布线电连接,所述第一模拟开关的第三端子与所述第一晶体管的源极和漏极中的另一个电连接,所述第二模拟开关的第三端子与所述第三晶体管的源极和漏极中的另一个电连接,所述第三模拟开关的第一端子与所述第二复用器电连接,所述第三模拟开关的第二端子与所述第三布线电连接,并且,所述第三模拟开关的第三端子与所述第一晶体管及所述第三晶体管各自的第一栅极电连接
。8.
根据权利要求7所述的半导体装置,还包括:第四布线,其中所述第一晶体管及所述第三晶体管...
【专利技术属性】
技术研发人员:国武宽司,伊藤优希,
申请(专利权)人:株式会社半导体能源研究所,
类型:发明
国别省市:
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