【技术实现步骤摘要】
形成多个沉积半导体层的堆叠结构的方法
[0001]本申请是申请日为
2018
年7月3日
、
申请号为
201880045332.8、
专利技术名称为“形成多个沉积半导体层的堆叠结构的方法”的专利技术专利申请的分案申请
。
[0002]相关申请的交叉引用
[0003]本申请要求由
Miao
等人于
2017
年7月6日递交的名称为“METHODS OF FORMING A STACK OF MULTIPLE DEPOSITED SEMICONDUCTOR LAYERS”的美国临时申请第
62/529,207
号的权益,该临时申请的全部内容出于所有目的通过引用的方式并入在此
。
[0004]本技术的实施方式涉及半导体处理领域,包括沉积技术
。
技术介绍
[0005]通过在基板表面上产生经复杂图案化的材料层的工艺,使集成电路成为可能
。
在基板上产生图案化的材料需要用于沉积待图案化的材料的受控方法
。
使用物理
、
化学和等离子体增强式沉积技术在基板上沉积不同的材料
。
通常,这些层应该跨基板表面均匀且平滑地沉积
。
另外,不同的材料具有不同的特性
。
不同材料的许多层可带来对层的堆叠结构或基板本身的不同影响
。
这些不同影响可改变集成电路和其他半导体装置的性能和可靠性 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.
一种半导体结构,包括:基板,所述基板的特征在于第一表面和与所述第一表面相对的第二表面;第一氧化硅层,所述第一氧化硅层上覆于所述基板的所述第一表面;第一硅层,所述第一硅层上覆于所述第一氧化硅层,所述第一硅层包括多晶硅或非晶硅;第一氮化硅层,所述第一氮化硅层上覆于所述第一硅层;第二硅层,所述第二硅层上覆于所述第一氮化硅层;和应力层,所述应力层形成在所述基板的所述第二表面上
。2.
如权利要求1所述的半导体结构,其中所述应力层包括氮化硅
。3.
如权利要求1所述的半导体结构,其中所述应力层产生在所述基板上的压缩应力
。4.
如权利要求1所述的半导体结构,其中所述基板的特征在于基板弯曲的大小小于
100
μ
m。5.
如权利要求1所述的半导体结构,其中所述第二硅层是图案化的
。6.
如权利要求1所述的半导体结构,...
【专利技术属性】
技术研发人员:缪丽妍,殷正操,韩新海,林龙,
申请(专利权)人:应用材料公司,
类型:发明
国别省市:
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