【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】对衬底的表面进行等离子体处理的方法
[0001]根据第一方面,本专利技术涉及一种对衬底,尤其介电衬底的表面进行等离子体处理的方法
。
[0002]特定来说,所述方法包含以下步骤:
(i)
在大气压下用等离子体束对衬底的表面进行处理,以获得衬底的经等离子体处理的表面;
(ii)
利用活化组合物活化衬底的经等离子体处理的表面,以获得衬底的经活化表面;以及
(iii)
任选地在衬底的经活化表面上无电沉积涂层金属,以获得衬底的电镀表面
。
[0003]根据第二方面,本专利技术进一步涉及具有根据第一方面的方法获得的金属涂布表面的衬底
。
技术介绍
[0004]将金属层湿式化学沉积到衬底表面上在所属领域中具有悠久传统
。
此湿式化学沉积可通过涂层金属的电解电镀或无电镀来实现
。
无电镀为在无需外部电子供应的帮助下涂层金属的连续薄膜的受控自催化沉积
。
与之相反,电解电镀需要此类外部电子的供应
。
[0005]这些方法在电子工业中具有较高重要性,并且用于印刷电路板
、
半导体装置和类似商品的制造,以及其它应用
。
在这方面最重要的涂层金属为铜,因为其用于构建形成所述商品中的电路的导电线
。
[0006]由于大部分常规衬底包含非金属并且因此非导电的表面,所述衬底表面通常必须经活化以便使其易于接受无电电解和
/
或电镀工艺 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.
一种对介电衬底的表面进行等离子体处理的方法,所述介电衬底包含通孔
(TH)
和
/
或盲微孔
(BMV)
,所述方法包含以下步骤:
(t)
利用去污工艺的处理溶液对所述衬底的所述表面进行湿式化学处理以从所述衬底的所述表面去除残留物,以便获得所述衬底的经湿式化学处理的表面,
(i)
在大气压下用等离子体束对所述衬底的所述经湿式化学处理的表面进行处理以获得所述衬底的经等离子体处理的表面,
(ii)
利用活化组合物活化所述衬底的所述经等离子体处理的表面以获得所述衬底的经活化表面,
(iii)
任选地在所述衬底的所述经活化表面上无电沉积涂层金属以获得所述衬底的电镀表面,以及
(iv)
任选地将额外涂层金属电解沉积于在任选步骤
(iii)
后获得的所述衬底的所述电镀表面上或在步骤
(ii)
后获得的所述衬底的所述经活化表面上,以便获得经电解金属涂布的表面
。2.
根据权利要求1所述的方法,其中步骤
(t)
包含应用用于对所述衬底的所述表面进行溶胀
、
蚀刻和还原处理以及任选的冲洗和
/
或清洁处理的子步骤
。3.
根据权利要求1或2所述的方法,其中步骤
(t)
包含子步骤
(t
‑
1)、(t
‑
2)
和
(t
‑
3)
,其中子步骤
(t
‑
1)
包含将第一处理剂
、
优选溶胀剂施加到所述衬底的所述表面以获得所述衬底的溶胀表面,其中子步骤
(t
‑
2)
包含将第二处理剂
、
优选蚀刻剂施加到所述衬底的所述表面
、
优选施加到所述衬底的所述溶胀表面以获得所述衬底的经蚀刻表面,以及其中子步骤
(t
‑
3)
包含将第三处理剂
、
优选还原剂施加到所述衬底的所述表面,优选施加到所述衬底的所述经蚀刻表面
。4.
根据前述权利要求中任一权利要求所述的方法,其中没有可固化聚合物层,优选没有可固化有机聚合物层沉积于所述经湿式化学处理的表面和
/
或所述经等离子体处理的表面上
。5.
根据前述权利要求中任一权利要求所述的方法,其包含在步骤
(i)
之前或之后进行的以下步骤
(p)
,
(p)
利用预处理工艺
、
优选清洁工艺对所述衬底的表面进行预处理以获得所述衬底的经预处理的表面
。6.
根据权利要求5所述的方法,其中步骤
(p)
包含子步骤
(p
‑
1)
和
/
或
(p
‑
2)
,其中子步骤
(p
‑
1)
包含将第一预处理剂
、
优选具有或不具有调节剂的清洁剂施加到所述衬底的所述表面以获得所述衬底的经清洁和调节的表面,和
/
或其中子步骤
(p
‑
2)
包含将第二预处理剂
、
优选蚀刻
/
清洁剂施加到所述衬底的所述表面,优选施加到所述衬底的所述经清洁和调节的表面
。7.
根据前述权利要求中任一权利要求所述的方法,其中步骤
(iii)
包含将涂层组合物施加到所述衬底的所述经活化表面,其中所述涂层组合物包含所述涂层金属,其优选选自铜
、
镍或其合金
。8.
根据前述权利要求中任一权利要求所述的方法,其中步...
【专利技术属性】
技术研发人员:F,
申请(专利权)人:德国艾托特克有限两合公司,
类型:发明
国别省市:
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