悬梁结构的形成方法技术

本申请公开了一种悬梁结构的形成方法，包括：提供一衬底，衬底上形成有硬掩模层，衬底和硬掩模层中形成有沟槽，沟槽的深度和宽度的比值大于6，沟槽具有上部和下部，上部的宽度小于下部的宽度；在沟槽上部的周侧形成线性氧化层；在沟槽下部的周侧形成外延层；去除线形氧化层；在沟槽中填充外延层，外延层封闭沟槽上部和硬掩模层之间的区域，沟槽下部的外延层中具有空洞

【技术实现步骤摘要】
悬梁结构的形成方法


[0001]本申请涉及半导体集成电路制造
，具体涉及一种悬梁结构的形成方法
。

技术介绍

[0002]图像传感器中，互补金属氧化物半导体图像传感器
(complementary metal oxide semiconductor contact image sensor
，
CIS)
是采用
CMOS
器件制作的图像传感器，由于其具有集成度高
、
供电电压低和技术门槛低等优势，广泛应用于摄影摄像
、
安防系统
、
智能便携电话以及医疗电子等领域
。
[0003]CIS
的感光度与像素区
(pixel)
的尺寸大小强相关，传统的光电二极管
(photo diode
，
PD)
是通过光刻工艺和离子注入工艺形成，会受到光阻的深宽比以及离子注入的深度和浓度的限制
。
为了在小尺寸的像素上提高感光度，可纵向拓展
>PD
的空本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种悬梁结构的形成方法，其特征在于，所述方法应用于
CIS
的制作工艺中，所述方法包括：提供一衬底，衬底上形成有硬掩模层，衬底和硬掩模层中形成有沟槽，沟槽的深度和宽度的比值大于6，沟槽具有上部和下部，上部的宽度小于下部的宽度；在所述沟槽上部的周侧形成线性氧化层；在所述沟槽下部的周侧形成外延层；去除所述线形氧化层；在所述沟槽中填充外延层，所述外延层封闭所述沟槽上部和所述硬掩模层之间的区域，所述沟槽下部的外延层中具有空洞
。2.
根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在所述沟槽中填充外延层，包括：进行第一填充，使所述外延层覆盖所述沟槽上部的周侧；进行第二填充，使所述外延层封闭所述沟槽上部
。3.
根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述进行第一填充，包括：通过多次循环生长工艺进行填充，直至填充的外延层满足填充要求，进行第一填充后，进行氢气烘烤对外延层的形貌进行修复
。4.
根据权利要求3所述的方法，其特征在于，在进行所述循环生长工艺的过程中，通入包含氯化氢的反应气体进行刻蚀，通入包含
DC...

【专利技术属性】
技术研发人员：李睿，曹志伟，郑晓辉，李佳龙，
申请(专利权)人：华虹半导体无锡有限公司，
类型：发明
国别省市：