一种制造技术

本发明专利技术公开了一种

【技术实现步骤摘要】
一种SnO2微米线异质结基自驱动紫外探测器及其制法与应用


[0001]本专利技术属于光电探测器及其制法，具体为一种
SnO2微米线异质结基自驱动紫外探测器及其制法与应用
。

技术介绍

[0002]随着进入信息时代，各种光电子设备在小型化和高效化以及低碳环保化等方面提出更高的要求
。
其中，紫外发光器件被广泛应用于医疗消毒
、
防伪鉴别
、
环境净化
、
数据存储
、
通信和显示领域
。
因而，发展紫外光电探测器具有重要意义
。
[0003]SnO2是一种宽禁带半导体材料，带隙宽
(3.6eV
～
4.0eV)
，它拥有优异的物理化学稳定性
、
高的激子束缚能
、
高电子迁移率等优点，且
SnO2微纳结构丰富，充分表明
SnO2材料是作为紫外探测器件的理想候选材料
。
目前，已发表报道的基于
SnO2材料所制备的紫外探本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种
SnO2微米线异质结基自驱动紫外探测器，其特征在于：包括
p
‑
GaN
衬底
(1)
，所述
p
‑
GaN
衬底
(1)
，
p
‑
GaN
衬底
(1)
上间隔设置金属阳极
(2)
和
MgO
薄膜
(3)
，所述
MgO
薄膜
(3)
表面依次设置
AgNWs
修饰的
n
‑
SnO2微米线
(4)、
导电玻璃
(5)
；所述
Ag NWs
修饰的
n
‑
SnO2微米线
(4)
与
p
‑
GaN
衬底
(1)
形成异质结；所述金属阳极
(2)
与
p
‑
GaN
衬底
(1)
欧姆接触，所述导电玻璃
(5)
与
Ag NWs
修饰的
n
‑
SnO2微米线
(4)
欧姆接触
。2.
根据权利要求1所述的一种
SnO2微米线异质结基自驱动紫外探测器，其特征在于：所述
p
‑
GaN
衬底
(1)
的空穴浓度为5×
10
19
～
1.0
×
10
20
cm
‑3，空穴迁移率为
10
～
100cm2/V
·
s。3.
根据权利要求1所述的一种
SnO2微米线异质结基自驱动紫外探测器，其特征在于：所述
AgNWs
修饰的
n
‑
SnO2微米线
(4)
长度为
0.5cm
～
1cm
，直径为8～
20
μ
m
，电子浓度为
0.5
×
10
18
～1×
10
18
cm
‑3，电子迁移率为
40
～
50cm2/V
·
s。4.
根据权利要求1所述的一种
SnO2微米线异质结基自驱动紫外探测器，其特征在于：所述金属阳极
(2)
为
Ni、Au、Ti、Pd
中的一种或多种，所述金属阳极
(2)
的厚度为
25
～
35nm。5.
根据权利要求1所述的一种
Sn...

【专利技术属性】
技术研发人员：阚彩侠，杨振宇，许统，姜明明，
申请(专利权)人：南京航空航天大学，
类型：发明
国别省市：