半导体晶粒制造技术

本发明专利技术提供一种半导体晶粒。该半导体晶粒包含一处理电路、一第一焊垫以及一第二焊垫。该第一焊垫电性连接至该处理电路的一第一节点以及一第一打线。该第二焊垫电性连接至该处理电路的一第二节点以及一第二打线。该第一打线以及该第二打线彼此电磁耦合以构成具有等效负电感的一第一打线T线圈电路。效负电感的一第一打线T线圈电路。效负电感的一第一打线T线圈电路。

【技术实现步骤摘要】
半导体晶粒


[0001]本专利技术涉及半导体晶粒(semiconductor die)，尤其涉及一种具有独特焊垫(bond pad)配置的半导体晶粒，其可利用打线(bond wire)之间的互感(mutual inductance)来实作出具有等效负电感(equivalent negative inductance)的打线T线圈(bond wire T
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coil)电路。

技术介绍

[0002]电感性元件(例如电感与变压器)已被广泛地使用于各式各样的电路中，举例来说，电感可以是许多集成电路中普遍使用的一种芯片上(on
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die)被动元件。在一些应用中，芯片上T线圈(on
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chip T
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coil)电路可被用来补偿寄生电容，然而，半导体晶粒中使用芯片上T线圈会不可避免地导致较大的芯片面积。因此，需要一种可以不需使用芯片上T线圈便可补偿寄生电容的创新设计。

技术实现思路

[0003]本专利技术的目的之一在于提出一种具有独特焊垫配置的半导体晶粒，其可利用打线之间本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体晶粒，包含：处理电路；第一焊垫，电性连接至该处理电路的第一节点以及第一打线；以及第二焊垫，电性连接至该处理电路的第二节点以及第二打线；其中该第一打线以及该第二打线彼此电磁耦合以构成具有等效负电感的第一打线T线圈电路。2.如权利要求1所述的半导体晶粒，其中该处理电路为差动电路。3.如权利要求2所述的半导体晶粒，其中该第一节点上的第一信号是第一差动信号的正信号，以及该第二节点上的第二信号是该第一差动信号的负信号。4.如权利要求2所述的半导体晶粒，还包含：第三焊垫，电性连接至该处理电路的第三节点以及第三打线；以及第四焊垫，电性连接至该处理电路的第四节点以及第四打线；其中该第三打线以及该第四打线彼此电磁耦合以构成具有等效负电感的第二打线T线圈电路；第一差动信号包含该第一节点上的第一信号以及该第三节点上的第三信号；以及第二差动信号包含该第二节点上的第二信号以及该第四节点上的第四信号。5.如权利要求4所述的半导体晶粒，其中该第一节点上的该第一信号是该第一差动信号的正信号，该第二节点上的该第二信号是该第二差动信号的负信号，该第三节点上的该第三信号是该第一差动信号的负信号，以及该第四节点上的该第四信号是该第二差动信号的正信号。6.如权利要求1所述的半导体晶粒，还包含：第三焊垫，电性连接至该处理电路的该第一节点以及第三打线；其中该第一打线以及该第二打线彼此电磁耦合且该第三打线以及该第二打线彼此电磁耦合，以构成具有等效负电感的该第一打线T线圈电路。7.如权利要求1所述的半导体晶粒，其中该处理电路为传送器电路的一部分。8.如权利要求1所述的半导体晶粒，其中...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈焕昇，柯明吟，陈俊玮，
申请(专利权)人：达发科技香港有限公司，
类型：发明
国别省市：