曝光方法技术

本申请涉及一种曝光方法

【技术实现步骤摘要】
曝光方法、装置、计算机设备、存储介质和计算机程序产品


[0001]本申请涉及半导体光刻曝光
，特别是涉及一种曝光方法
、
装置
、
计算机设备
、
存储介质和计算机程序产品
。

技术介绍

[0002]曝光机台为半导体工艺中的常用机台，其可以对各种膜层进行图形化处理等
。
但是，随着工作时间的延长，机台内部的硬件会有老化的现象，从而影响产品的性能
。
[0003]在曝光机台内部能量供应这一部分，伴随着内部硬件的老化，曝光的强度会有异常的现象，从而造成曝光图形的关键尺寸异常
。

技术实现思路

[0004]本申请实施例提供一种能够提高曝光图形的关键尺寸的均匀性的曝光方法
、
装置
、
计算机设备
、
计算机可读存储介质和计算机程序产品
。
[0005]一种曝光方法，包括：
[0006]获取对目标层曝光的基准衍射光强，所述衍射光强为光束经过衍射光学元件衍射后的光强；
[0007]获取对所述目标层的预设曝光区块曝光的实际衍射光强，所述预设曝光区块位于第
i+1
个曝光区块之前，
i
为正整数；
[0008]根据所述基准衍射光强
、
所述实际衍射光强计算得到第
i+1
个曝光区块的曝光剂量补偿值；
[0009]根据所述曝光剂量补偿值，对第
i+1<br/>个曝光区块的曝光剂量进行补偿
。
[0010]在其中一个实施例中，根据所述基准衍射光强
、
所述实际衍射光强计算得到第
i+1
个曝光区块的曝光剂量补偿值，包括：
[0011]根据对前
i
个曝光区块曝光的前
i
个实际衍射光强以及所述基准衍射光强，计算得到第
i+1
个曝光区块的曝光剂量补偿值
。
[0012]在其中一个实施例中，
[0013]根据对前
i
个曝光区块曝光的前
i
个实际衍射光强以及所述基准衍射光强，计算得到第
i+1
个曝光区块的曝光剂量补偿值，包括：
[0014]当
i
等于1时，根据对第
i
个曝光区块曝光的实际衍射光强与所述基准衍射光强的光强差值，计算第
i
个子剂量补偿值；
[0015]当
i
大于1时，根据对第
i
个曝光区块曝光的实际衍射光强与对第
i
‑1个曝光区块曝光的实际衍射光强的光强差值，计算第
i
个子剂量补偿值；
[0016]根据前
i
个子剂量补偿值之和，计算得到第
i+1
个曝光区块的曝光剂量补偿值
。
[0017]在其中一个实施例中，根据第
i
个曝光区块的尺寸和曝光速度，计算得到第
i
个区块的曝光时间，结合所述光强差值和所述曝光时间，计算所述第
i
个子剂量补偿值
。
[0018]在其中一个实施例中，
[0019]根据所述基准衍射光强
、
所述实际衍射光强计算得到第
i+1
个曝光区块的曝光剂量补偿值，包括：
[0020]根据对第
i
个曝光区块曝光的实际衍射光强与所述基准衍射光强的光强差值，计算得到第
i+1
个曝光区块的曝光剂量补偿值
。
[0021]在其中一个实施例中，根据对第
i
个曝光区块曝光的实际衍射光强与所述基准衍射光强的光强差值，计算得到第
i+1
个曝光区块的曝光剂量补偿值，包括：
[0022]对于前
i
个曝光区块，根据每个曝光区块所对应的尺寸和曝光速度，计算得到每个所述曝光区块的曝光时长；
[0023]计算前
i
个曝光区块的平均曝光时长；
[0024]根据所述光强差值和所述平均曝光时长，计算所述第
i+1
个曝光区块的曝光剂量补偿值
。
[0025]在其中一个实施例中，所述基准衍射光强为曝光机进行曝光之前，在第一预设时间内检测得到的初始衍射光强
。
[0026]在其中一个实施例中，所述第一预设时间为
0.5min
‑
1.5min。
[0027]在其中一个实施例中，根据所述曝光剂量补偿值，对第
i+1
个曝光区块的曝光剂量进行补偿之前，还包括：
[0028]判断对第
i
个曝光区块曝光的实际衍射光强是否低于阈值光强；
[0029]当对第
i
个曝光区块曝光的实际衍射光强低于所述阈值光强时，根据所述曝光剂量补偿值，对第
i+1
个曝光区块的曝光剂量进行补偿
。
[0030]在其中一个实施例中，当所述第
i
个曝光区块的实际衍射光强不低于所述阈值光强时，根据第
i+1
个曝光区块的原曝光剂量对其进行曝光
。
[0031]在其中一个实施例中，所述阈值光强的获取方法，包括：
[0032]获取第二预设时间内对所述目标层曝光的衍射光强分布；
[0033]获取所述第二预设时间内的所述目标层的关键尺寸分布；
[0034]根据所述衍射光强分布以及所述关键尺寸分布，获取使得所述关键尺寸超出预设尺寸范围时的衍射光强值，以作为所述阈值光强
。
[0035]一种曝光装置，包括：
[0036]光源模块，包括发光器以及衍射光学元件；
[0037]检测模块，用于检测衍射光强，所述衍射光强为发光器发出的光束经过衍射光学元件衍射后的光强；
[0038]控制模块，连接所述光源模块以及所述检测模块，用于根据权利要求1‑
11
任一项所述的方法控制曝光
。
[0039]在其中一个实施例中，所述发光器包括激光器，所述光源模块还包括变焦元件
、
环状光学元件
、
折射光学元件以及光耦合元件
。
[0040]一种计算机设备，包括存储器和处理器，所述存储器存储有计算机程序，所述处理器执行所述计算机程序时实现上述任一项所述的方法的步骤
。
[0041]一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，所述计算机程序被处理器执行时实现上述任一项所述的方法的步骤
。
[0042]一种计算机程序产品，包括计算机程序，该计算机程序被处理器执行时实现上述
任一项所述的方法的步骤
。
[0043]上述曝光方本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种曝光方法，其特征在于，包括：获取对目标层曝光的基准衍射光强，所述衍射光强为光束经过衍射光学元件衍射后的光强；获取对所述目标层的预设曝光区块曝光的实际衍射光强，所述预设曝光区块位于第
i+1
个曝光区块之前，
i
为正整数；根据所述基准衍射光强
、
所述实际衍射光强计算得到第
i+1
个曝光区块的曝光剂量补偿值；根据所述曝光剂量补偿值，对第
i+1
个曝光区块的曝光剂量进行补偿
。2.
根据权利要求1所述的曝光方法，其特征在于，根据所述基准衍射光强
、
所述实际衍射光强计算得到第
i+1
个曝光区块的曝光剂量补偿值，包括：根据对前
i
个曝光区块曝光的前
i
个实际衍射光强以及所述基准衍射光强，计算得到第
i+1
个曝光区块的曝光剂量补偿值
。3.
根据权利要求2所述的曝光方法，其特征在于，当
i
等于1时，根据对第
i
个曝光区块曝光的实际衍射光强与所述基准衍射光强的光强差值，计算第
i
个子剂量补偿值；当
i
大于1时，根据对第
i
个曝光区块曝光的实际衍射光强与对第
i
‑1个曝光区块曝光的实际衍射光强的光强差值，计算第
i
个子剂量补偿值；根据前
i
个子剂量补偿值之和，计算得到第
i+1
个曝光区块的曝光剂量补偿值
。4.
根据权利要求3所述的曝光方法，其特征在于，根据第
i
个曝光区块的尺寸和曝光速度，计算得到第
i
个区块的曝光时间，结合所述光强差值和所述曝光时间，计算所述第
i
个子剂量补偿值
。5.
根据权利要求1所述的曝光方法，其特征在于，根据所述基准衍射光强
、
所述实际衍射光强计算得到第
i+1
个曝光区块的曝光剂量补偿值，包括：根据对第
i
个曝光区块曝光的实际衍射光强与所述基准衍射光强的光强差值，计算得到第
i+1
个曝光区块的曝光剂量补偿值
。6.
根据权利要求5所述的曝光方法，其特征在于，对于前
i
个曝光区块，根据每个曝光区块所对应的尺寸和曝光速度，计算得到每个所述曝光区块的曝光时长；计算前
i
个曝光区块的平均曝光时长；根据所述光强差值和所述平均曝光时长，计算所述第
...

【专利技术属性】
技术研发人员：程朝，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：