衬底处理装置和使用该衬底处理装置处理衬底的方法制造方法及图纸

一种处理衬底的方法包括：将衬底设置在干燥室中，以及将流体供应到设置有衬底的干燥室中。将流体供应到干燥室中包括：将气体供应到干燥室中，以及在开始供应气体之后将超临界流体供应到干燥室中。体供应到干燥室中。体供应到干燥室中。

【技术实现步骤摘要】
衬底处理装置和使用该衬底处理装置处理衬底的方法
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本专利申请要求于2022年6月14日在韩国知识产权局递交的韩国专利申请No.10
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2022
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0072286的优先权，其全部内容通过引用合并于此。


[0003]本公开涉及一种衬底处理装置和使用该衬底处理装置处理衬底的方法，并且更具体地，涉及一种能够控制干燥室中的压力的衬底处理装置和使用该衬底处理装置处理衬底的方法。

技术介绍

[0004]可以通过各种工艺来制造半导体器件。例如，半导体器件可以通过光刻工艺、蚀刻工艺、沉积工艺和电镀工艺来制造。在用于制造半导体器件的光刻工艺中，可以执行将液体(例如，显影溶液)施加到晶片上的润湿工艺。另外，可以执行从晶片上去除施加在晶片上的液体的干燥工艺。可以使用各种方法将液体施加到晶片上和/或从晶片上去除液体。

技术实现思路

[0005]本专利技术构思的实施例可以提供一种能够容易地控制干燥室中的压力的衬底处理装置和使用该衬底处理装置处理衬底的方法。
[0006]本专利技术构思的实施例还可以提供一种能够持续地增加干燥室中的压力的衬底处理装置和使用该衬底处理装置处理衬底的方法。
[0007]本专利技术构思的实施例还可以提供一种能够防止衬底损坏的衬底处理装置和使用该衬底处理装置处理衬底的方法。
[0008]本专利技术构思的实施例还可以提供一种能够提高衬底的清洁效率的衬底处理装置和使用该衬底处理装置处理衬底的方法。
[0009]根据本公开的一个方面，一种处理衬底的方法可以包括：将衬底设置在干燥室中，以及将流体供应到设置有衬底的干燥室中。将流体供应到干燥室中可以包括：将气体供应到干燥室中，以及在开始供应气体之后将超临界流体供应到干燥室中。
[0010]根据本公开的一个方面，一种处理衬底的方法可以包括：对衬底进行湿处理，以及对湿处理后的衬底进行干处理。对衬底进行干处理可以包括：将衬底设置在干燥室中；将气体供应到干燥室中以使干燥室中的压力达到第一压力；以及在干燥室中的压力为第一压力之后，将超临界流体供应到干燥室中。
[0011]根据本公开的一个方面，一种衬底处理装置可以包括：干燥室；超临界流体供应单元，被配置为将超临界流体供应到干燥室中；以及气体供应单元，被配置为将气体供应到干燥室中。干燥室可以包括：提供干燥空间的干燥室外壳，以及在干燥室外壳中的干燥卡盘。
附图说明
[0012]图1是示出了根据本专利技术构思的一些实施例的衬底处理装置的示意图。
[0013]图2是示出了根据本专利技术构思的一些实施例的润湿室的截面图。
[0014]图3是示出了根据本专利技术构思的一些实施例的干燥室的截面图。
[0015]图4是示出了根据本专利技术构思的一些实施例的气体供应单元和超临界流体供应单元的示意图。
[0016]图5是示出了根据本专利技术构思的一些实施例的处理衬底的方法的流程图。
[0017]图6至图12是示出了图5的流程图中的处理衬底的方法的图。
[0018]图13是示出了当执行根据本专利技术构思的一些实施例的处理衬底的方法时干燥室中的压力的曲线图。
[0019]图14是示出了根据本专利技术构思的一些实施例的气体供应单元和超临界流体供应单元的示意图。
[0020]图15是示出了根据本专利技术构思的一些实施例的衬底处理装置的示意图。
具体实施方式
[0021]在下文中，将参照附图详细描述本专利技术构思的实施例。贯穿说明书，相同的附图标记或相同的附图指示符可以表示相同的组件或元件。
[0022]图1是示出了根据本专利技术构思的一些实施例的衬底处理装置的示意图。
[0023]参照图1，可以设置衬底处理装置P。衬底处理装置P可以是在半导体制造过程中处理衬底的装置。更具体地，衬底处理装置P可以是对衬底执行润湿工艺和干燥工艺的装置。换言之，衬底处理装置P可以被配置为通过将液体供应或喷洒到衬底上来润湿衬底，和/或可以被配置为通过从衬底去除衬底上的液体来干燥和清洁衬底。例如，衬底处理装置P可以被配置为将显影溶液供应或喷洒到执行了极紫外(EUV)曝光工艺的衬底上。另外，衬底处理装置P可以被配置为干燥衬底上的显影溶液。润湿工艺是指在衬底上均匀地涂布液体的工艺。本说明书中使用的术语“衬底”可以指半导体晶片。半导体晶片可以包括但不限于硅(Si)晶片。衬底处理装置P可以包括装载端口LP、传送区TZ、润湿室B、润湿溶液供应单元FS、传送单元TU、干燥室A、气体供应单元5、超临界流体供应单元3、以及控制单元C。
[0024]装载端口LP可以是装载衬底的端口。例如，执行了各种半导体制造工艺的衬底可以装载在装载端口LP上。可以设置多个装载端口LP。多个衬底可以装载在多个装载端口LP中的每个装载端口上。然而，为了便于解释，下文将描述单个装载端口LP。
[0025]传送区TZ可以是用于移动或传送装载在装载端口LP上的衬底的区域。例如，传送单元TU可以被配置为将装载在装载端口LP上的衬底传送到润湿室B和/或干燥室A中。传送区TZ可以覆盖多个装载端口LP。例如，传送区TZ可以移动或传送装载在多个装载端口LP中的每个装载端口上的衬底。
[0026]润湿室B可以是用于对衬底执行润湿工艺的腔室。润湿室B可以提供执行润湿工艺的空间。当衬底设置在润湿室B中时，液体(例如，各种化学物质和/或IPA)可以被涂布或施加到衬底上。液体的涂布可以通过各种方法执行。例如，可以将液体供应或喷洒到旋转的衬底上，并且因此液体可以通过由衬底的旋转产生的离心力均匀地分布在衬底上。可以设置多个润湿室B。例如，可以设置两个润湿室B。两个润湿室B可以设置为彼此面对。然而，为了
便于解释，下文将描述单个润湿室B。稍后将参照图2更详细地描述润湿室B。
[0027]润湿溶液供应单元FS可以被配置为将流体供应到润湿室B中。为了实现这一点，润湿溶液供应单元FS可以包括流体罐和泵。由润湿溶液供应单元FS供应到润湿室B中的流体可以称为润湿溶液。润湿溶液可以包括各种化学物质和/或水。更具体地，润湿溶液可以包括显影溶液或异丙醇(IPA)。
[0028]传送单元TU可以被配置为传送衬底。例如，传送单元TU可以将装载在装载端口LP上的衬底通过传送区TZ传送到润湿室B中。另外，传送单元TU可以将衬底从润湿室B中取出，并且然后可以将衬底传送到干燥室A中。为了实现这一点，传送单元TU可以包括致动器(例如，马达)和由致动器致动的机械臂。传送单元TU可以在润湿室B中拾取衬底，并使用机械臂将衬底传送到干燥室A中。可以设置单个传送单元TU，但本专利技术构思的实施例不限于此。
[0029]干燥室A可以是用于干燥衬底的腔室。例如，干燥室A可以被配置为干燥和/或清洁已经通过润湿室B的衬底。换言之，干燥室A可以从润湿室B中的涂布有显影溶液和/或IPA的衬底上去除液体。干燥室A可以提供执行干燥工艺的空间。可以设置多个干燥室A。例如，可以设置两个干燥室A。本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种处理衬底的方法，所述方法包括：将衬底设置在干燥室中；以及将流体供应到设置有所述衬底的所述干燥室中，其中，将所述流体供应到所述干燥室中包括：将气体供应到所述干燥室中；以及在开始供应所述气体之后将超临界流体供应到所述干燥室中。2.根据权利要求1所述的方法，其中，执行将所述气体供应到所述干燥室中直到所述干燥室中的压力达到第一压力，并且其中，执行将所述超临界流体供应到所述干燥室中直到所述干燥室中的压力达到高于所述第一压力的第二压力。3.根据权利要求2所述的方法，其中，所述第一压力选自约10巴至约80巴的范围，并且其中，所述第二压力选自约20巴至约160巴的范围。4.根据权利要求2所述的方法，其中，将所述流体供应到所述干燥室中还包括：在所述干燥室中的压力达到所述第二压力之后，释放所述干燥室中的所述流体，以将所述干燥室中的压力从所述第二压力调整为第三压力，并且其中，所述第三压力低于所述第二压力且高于所述第一压力。5.根据权利要求4所述的方法，其中，所述第三压力选自约60巴至约100巴的范围。6.根据权利要求4所述的方法，其中，将所述流体供应到所述干燥室中还包括：在释放所述干燥室中的所述流体以将所述干燥室中的压力调整为所述第三压力之后，将所述超临界流体供应到所述干燥室中，以将所述干燥室中的压力从所述第三压力调整为所述第二压力。7.根据权利要求2所述的方法，其中，在所述干燥室中的压力达到所述第一压力之后，开始将所述超临界流体供应到所述干燥室中。8.一种处理衬底的方法，所述方法包括：对衬底进行湿处理；以及对湿处理后的所述衬底进行干处理，其中，对所述衬底进行干处理包括：将所述衬底设置在干燥室中；将气体供应到所述干燥室中，以将所述干燥室中的压力增加到第一压力；以及在所述干燥室中的压力达到所述第一压力之后，将超临...

【专利技术属性】
技术研发人员：朴相真，朴智焕，李根泽，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：