【技术实现步骤摘要】
用于微转贴印刷的设备及方法
[0001]分案申请的相关信息
[0002]本案是第二代分案申请
。
本第二代分案申清是基于申请日为
2015
年
07
月
20
日
、
申请号为
201910398916.X、
专利技术名称为“用于微转贴印刷的设备及方法”的第一代分案申请案
。
该第一代分案申清的母案是申请日为
2015
年
07
月
20
日
、
申请号为
201580039312.6、
专利技术名称为“用于微转贴印刷的设备及方法”的专利技术专利申请案
。
[0003]优先申请案
[0004]本申请案主张
2014
年7月
20
日申请的标题为“用于微转贴印刷的设备及方法
(Apparatus and Method for Micro
‑
Transfer Printing)”的第
62/026,694
号美国临时专利申请案及
2014
年7月
21
日申请的标题为“用于微转贴印刷的方法及工具
(Methods and Tools for Micro
‑
Transfer Printing)”的第
62/027,166
号美国临时专利申请案的优先权及权利,所述临时申请案中的每一者的全部内容 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】 【专利技术属性】
1.
一种用于将半导体装置组装于目的地衬底的接收表面上的方法,所述方法包括:提供形成于原生衬底上的所述半导体装置;使所述半导体装置的顶部表面与具有接触表面的服贴式转贴装置接触,其中所述接触表面与所述半导体装置的所述顶部表面之间的接触至少暂时地将所述半导体装置结合到所述服贴式转贴装置;使所述半导体装置与所述原生衬底分离,使得所述服贴式转贴装置的所述接触表面在所述半导体装置从所述原生衬底释放的情况下使所述半导体装置安置于其上;在使所述半导体装置与所述目的地衬底的所述接收表面接触之前,将所述半导体装置的背侧表面在与所述原生衬底分离之后暴露于等离子体
(
例如,大气等离子体
)
;使安置于所述接触表面上的所述半导体装置与所述目的地衬底的所述接收表面接触;以及使所述服贴式转贴装置的所述接触表面与所述半导体装置分离,借此将所述半导体装置组装于所述目的地衬底的所述接收表面上
。2.
根据权利要求1所述的方法,其中使所述背侧表面暴露于等离子体改进所述半导体装置与所述目的地衬底的所述接收衬底之间的结合
。3.
根据权利要求1或2所述的方法,其中使所述背侧表面暴露于等离子体清洁所述半导体装置的所述背侧表面
。4.
根据权利要求1所述的方法,其中使所述背侧表面暴露于等离子体从所述半导体装置的所述背侧表面移除薄氧化物层
。5.
根据权利要求1所述的方法,其中所述目的地衬底是选自由聚合物
、
塑料
、
树脂
、
聚酰亚胺
、PEN、PET、
金属
、
金属箔
、
玻璃
、
半导体及蓝宝石组成的群组的部件
。6.
根据权利要求1所述的方法,其中所述目的地衬底具有对于可见光的大于或等于
50
%
、80
%
、90
%或
95
%的透明度
。7.
根据权利要求1所述的方法,其中所述原生衬底包括选自由无机半导体材料
、
单晶硅晶片
、
绝缘体上硅晶片
、
多晶硅晶片
、GaAs
晶片
、Si(1 1 1)、InAlP、InP、GaAs、InGaAs、AlGaAs、GaSb、GaAlSb、AlSb、InSb、InGaAlSbAs、InAlSb
及
InGaP
组成的群组的部件
。8.
根据权利要求1所述的方法,其中所述等离子体包括还原气体
。9.
根据权利要求1所述的方法,其包括控制工作循环
、
滞留时间
、
所述等离子体的功率及所述等离子体到所述半导体装置的距离中的至少一者,以防止所述半导体装置从所述服贴式转贴装置的所述接触表面的剪切及剥层
。10.
根据权利要求1所述的方法,其中所述半导体装置的所述背侧表面包括金属
。11.
根据权利要求
10
所述的方法,其中所述金属是铜
、
锡
、
铝及其混合物中的至少一者
。12.
根据权利要求
10
所述的方法,其中所述目的地衬底的所述接收表面至少部分地包括金属
。13.
根据权利要求
12
所述的方法,其中所述金属是铜
、
锡
、
铝及其混合物中的至少一者
。14.
技术研发人员:克里斯托弗,
申请(专利权)人:艾克斯展示公司技术有限公司,
类型:发明
国别省市:
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