【技术实现步骤摘要】
磁存储单元及存储器
[0001]本专利技术涉及半导体制造技术,特别是涉及一种磁存储单元及存储器
。
技术介绍
[0002]MRAM(MagneticRandomAccessMemory
,磁随机存储器
)
发展到当前的第三代
SOT
‑
MRAM(Spin
‑
orbitTorqueMRAM
,自旋轨道矩磁存储器
)
可分为三种类型的器件
type
‑
z、type
‑
y
和
type
‑
x
,
type
‑
z
为垂直磁各向异性器件,
type
‑
y
和
type
‑
x
为面内磁各向异性器件
。
由于
type
‑
z
器件中自由层易轴方向垂直于自旋积累的方向,这种器件需要外磁场辅助来打破自旋轨道矩的 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.
一种磁存储单元,其特征在于,包括:自旋霍尔层;与多个磁隧道结,所述多个磁隧道结设置于所述自旋霍尔层上,所述磁隧道结具有形状各向异性,所述磁隧道结的长宽比大于1,且长度方向上的对称轴与所述自旋霍尔层中写入电流的流经方向所在直线之间形成预设夹角
。2.
根据权利要求1所述的磁存储单元,其特征在于,所述磁隧道结为椭圆形或者长方形
。3.
根据权利要求1所述的磁存储单元,其特征在于,所述预设夹角为
30
°
~
60
°
。4.
根据权利要求1所述的磁存储单元,其特征在于,所述多个磁隧道结的大小不同
。5.
根据权利要求4所述的磁存储单元,其特征在于,所述多个磁隧道结依次排布在所述自旋霍尔层上,且大小依次减小
。6.
根据权利要求5所述的磁存储单元,其特征在于...
【专利技术属性】
技术研发人员:张洪超,熊丹荣,姜伯年,吕术勤,刘宏喜,曹凯华,王戈飞,
申请(专利权)人:致真存储北京科技有限公司,
类型:发明
国别省市:
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