磁存储单元及存储器制造技术资料下载

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文档序号：39749190

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本发明涉及一种磁存储单元及存储器，磁存储单元包括自旋霍尔层与多个磁隧道结，多个磁隧道结设置于自旋霍尔层上，磁隧道结具有形状各向异性，磁隧道结的长宽比大于1，且长度方向上的对称轴与所述自旋霍尔层中写入电流的流经方向所在直线之间形成预设夹角该专利属于致真存储（北京）科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过致真存储（北京）科技有限公司授权不得商用。

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