半导体器件的制造方法和半导体器件技术

本发明专利技术提供一种半导体器件的制造方法和半导体器件，属于半导体技术领域

【技术实现步骤摘要】
半导体器件的制造方法和半导体器件


[0001]本专利技术涉及半导体
，具体地涉及一种半导体器件的制造方法和半导体器件
。

技术介绍

[0002]利用磁阻特性进行信息存储的非易失性磁性存储器
SOT
‑
MRAM(Spin
‑
orbit torque magnetic random access memory )
，以其高读写速度
、
高稳定性
、
非挥发性等优异性能，有望取代现存的存储器
。SOT
‑
MRAM
的工作原理是利用磁隧道结（
magnetic tunnel junction
，
MTJ
）在不同状态下磁阻的差异进行信息读写
。
磁隧道结
MTJ
包括自由层
、
氧化物的隧穿层和固定层的三明治结构，其中，固定层的磁化方向恒定不变，自由层的磁化方向可以由具有自旋霍尔效应的重金属层通入的电流改变
。/>固定层与自由层的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种半导体器件的制造方法，其特征在于，所述半导体器件的制造方法包括：在半导体衬底上沉积底电极层
、
磁隧道结膜层
、
硬掩膜膜层和光刻胶层；刻蚀所述光刻胶层
、
所述硬掩膜膜层和所述磁隧道结膜层，形成磁隧道结
MTJ
，在所述磁隧道结
MTJ
的底部形成
Footing
结构；沉积第一介质层，所述第一介质层包裹刻蚀后的硬掩膜膜层和所述磁隧道结
MTJ
，覆盖所述底电极层以及所述
Footing
结构的顶部；以及刻蚀所述第一介质层，移除所述硬掩膜膜层
、
所述底电极层以及所述
Footing
结构的顶部的第一介质层，在所述磁隧道结
MTJ
的底部侧壁周围刻蚀出沟槽，以切断所述
Footing
结构
。2.
根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述磁隧道结膜层包括在所述底电极层上沉积的自由层
、
隧穿层和固定层
。3.
根据权利要求2所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，在所述磁隧道结
MTJ
的底部侧壁周围刻蚀出沟槽之后，所述第一介质层包裹所述硬掩膜膜层
、
所述隧穿层以及所述固定层的侧壁，包裹所述自由层的部分侧壁
。4.
根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述硬掩膜膜层为金属硬掩膜层，或金属硬掩膜层与介质硬掩膜层组成的叠层
...

【专利技术属性】
技术研发人员：姜晓东，张丛，曹凯华，范晓飞，刘宏喜，王戈飞，
申请(专利权)人：致真存储北京科技有限公司，
类型：发明
国别省市：