交叠结构的电容库创建方法技术

本申请的一种交叠结构的电容库创建方法，包括如下步骤：确定与交叠结构对应的采样参数，所述采样参数用于指示所述交叠结构的结构信息，所述采样参数至少包括独立参数，所述独立参数的取值范围与其他采样参数的取值相互独立；基于所述采样参数，获取所述交叠结构的至少一个采样模式；创建所述电容库中所述至少一个采样模式对应的采样电容值

【技术实现步骤摘要】
交叠结构的电容库创建方法、电容获取方法、设备及介质


[0001]本申请涉及集成电路
，具体涉及一种交叠结构的电容库创建方法
、
电容获取方法
、
设备及介质
。

技术介绍

[0002]随着互连线尺寸的缩小和芯片工作频率的提高，寄生效应，特别是寄生电容对于集成电路性能的影响越来越显著
。
因此，寄生电容的计算一直是
EDA(Electronic design automation)
等领域的重要问题
。
[0003]目前使用的寄生电容获取方法主要有两种：场求解器和模式匹配
。
相比于场求解器，模式匹配的提取方法速度更快，资源占用更少，且能够以合理的精度处理全芯片，对于超大规模集成电路（
VLSI
）的设计来说尤为重要
。
模式匹配具体来说，首先枚举数百万个样本几何图形（即导体结构对应的几何图形）并由场求解器求解每个几何图形的电容来创建预先表征的电容库（又称模式库），然后将互连布局划分为小的几何图形，最后通过模式匹配算法将输入几何图形与电容库进行比较，并使用相应的公式计算电容值
。
其中，电容库是基于查找表的形式进行创建，故又称为电容查找表，其主要包括采样参数和对应的采样电容值两部分
。
[0004]但现有的电容库在创建时，对于交叠结构，通常采用各个导体的宽度
、
以及各个导体之间的距离作为采样参数，各个导体之间的距离取值范围的计算与各个导体的宽度有关，无法直接使用这些参数进行建表，也会影响基于模式匹配算法从电容库查找寄生电容时影响提取效率和准确率
。

技术实现思路

[0005]针对上述技术问题，本申请提供一种交叠结构的电容库创建方法，能对交叠结构的导体进行更加完整的创建电容库，从而能提高寄生电容的提取的效率和准确率
。
[0006]为解决上述技术问题，本申请提供一种交叠结构的电容库创建方法，包括如下步骤：确定与交叠结构对应的采样参数，所述采样参数用于指示所述交叠结构的结构信息，所述采样参数至少包括独立参数，所述独立参数的取值范围与其他采样参数的取值相互独立；基于所述采样参数，获取所述交叠结构的至少一个采样模式；创建所述电容库中所述至少一个采样模式对应的采样电容值
。
[0007]在一实施方式中，所述独立参数至少包括所述交叠结构中的第二导体相对于第一导体的偏移系数
。
[0008]在一实施方式中，确定与交叠结构对应的采样参数的步骤，包括：至少确定位于第一金属层上的所述第一导体和位于所述第二金属层上的所述第二导体；至少确定所述第一导体的第一宽度
、
所述第二导体的第二宽度，以及所述第二导体相对于所述第一导体的偏移系数为所述采样参数，其中，所述偏移系数由所述第一导体的第一宽度
、
所述第二导体的第二宽度
、
所述第一导体的第一中心位置
、
所述第二导体的第二中心位置确定
。
[0009]在一实施方式中，所述偏移系数为归一化系数，其中
r=2*s/(w1 + w2)
，
r
为所述归一化系数，
s
为所述第一导体与所述第二导体的中心沿水平方向的偏移位移，
w1
为所述第一导体的第一宽度，
w2
为所述第二导体的第二宽度
。
[0010]在一实施方式中，基于所述采样参数，获取所述交叠结构的至少一个采样模式，包括：基于所述采样参数中的所述第一导体的第一宽度，获取与所述第一宽度对应的至少一个第一采样图形；基于所述采样参数中的所述第二导体的第二宽度，获取与所述第二宽度对应的至少一个第二采样图形；基于所述采样参数中的偏移系数，获取与所述偏移系数对应的至少一个偏移系数采样值；基于所述至少一个第一采样图形
、
所述至少一个第二采样图形以及至少一个偏移系数采样值，获取所述交叠结构对应的至少一个采样模式
。
[0011]在一实施方式中，基于所述采样参数中的所述第一导体的第一宽度，获取与所述第一宽度对应的至少一个第一采样图形，包括：基于最小第一宽度以及多个预设第一倍数，获取与所述第一宽度对应的多个第一采样图形；和
/
或基于所述采样参数中的所述第二导体的第二宽度，获取与所述第二宽度对应的至少一个第二采样图形，包括：基于最小第二宽度以及多个预设第二倍数，获取与所述第二宽度对应的多个第二采样图形；和
/
或基于所述采样参数中的偏移系数，获取与所述偏移系数对应的至少一个偏移系数采样值，包括：基于所述采样参数中的偏移系数的取值范围，获取与所述偏移系数对应的多个偏移系数采样值
。
[0012]在一实施方式中，所述偏移系数的取值范围的为
[
‑
1,1]。
[0013]在一实施方式中，基于所述采样参数中的偏移系数的取值范围，获取与所述偏移系数对应的多个偏移系数采样值的步骤，包括：采用0点附近选点密集，
±1处选点稀疏的策略，获取与所述偏移系数对应的多个偏移系数采样值
。
[0014]在一实施方式中，基于所述至少一个第一采样图形
、
至少一个第二采样图形以及至少一个偏移系数采样值，获取所述交叠结构对应的至少一个采样模式，包括：对多个第一采样图形
、
多个第二采样图形以及多个偏移系数采样值进行组合，获取多个采样模式
。
[0015]在一实施方式中，确定与交叠结构对应的采样参数，包括：获取用于确定所述交叠结构中第一金属层上的第三导体与所述第一导体之间的位置关系的第一参数
、
和
/
或第二金属层上的第四导体与所述第二导体之间的位置关系的第二参数
。
[0016]本申请还提供一种交叠结构的电容获取方法，所述电容获取方法包括：确定目标交叠结构的目标参数，所述目标参数用于指示所述目标交叠结构的结构信息，所述目标参数至少包括目标独立参数，所述目标独立参数的取值范围与其他目标参数的取值相互独立；基于所述目标交叠结构的目标参数，从电容库中确定与所述目标交叠结构匹配的采样模式，根据所述匹配的采样模式确定所述目标交叠结构的电容
。
[0017]在一实施方式中，根据所述匹配的采样模式确定所述目标交叠结构的电容的步骤，包括：从所述电容库中查询匹配的采样模式对应的采样电容值，并将所述采样电容值确定为所述目标交叠结构的电容值
。
[0018]在一实施方式中，所述交叠结构的电容获取方法还包括：若所述目标参数与所述电容库中的任一采样模式均不匹配，则采用插值算法基于所述电容库，获取所述目标交叠结构之间的电容值
。
[0019]本申请还提供一种电子设备，所述电子设备包括存储器和处理器，所述处理器用
于在执行所述存储本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种交叠结构的电容库创建方法，其特征在于，包括如下步骤：确定与交叠结构对应的采样参数，所述采样参数用于指示所述交叠结构的结构信息，所述采样参数至少包括独立参数，所述独立参数的取值范围与其他采样参数的取值相互独立；基于所述采样参数，获取所述交叠结构的至少一个采样模式；创建所述电容库中所述至少一个采样模式对应的采样电容值
。2.
根据权利要求1所述的电容库创建方法，其特征在于，所述独立参数至少包括所述交叠结构中的第二导体相对于第一导体的偏移系数
。3.
根据权利要求2所述的电容库创建方法，其特征在于，确定与交叠结构对应的采样参数的步骤，包括：至少确定位于第一金属层上的所述第一导体和位于所述第二金属层上的所述第二导体；至少确定所述第一导体的第一宽度
、
所述第二导体的第二宽度，以及所述第二导体相对于所述第一导体的偏移系数为所述采样参数，其中，所述偏移系数由所述第一导体的第一宽度
、
所述第二导体的第二宽度
、
所述第一导体的第一中心位置
、
所述第二导体的第二中心位置确定
。4.
根据权利要求3所述的电容库创建方法，其特征在于，所述偏移系数为归一化系数
r
，其中
r=2*s/(w1 + w2)
，
r
为所述归一化系数，
s
为所述第一导体与所述第二导体的中心沿水平方向的偏移位移，
w1
为所述第一导体的第一宽度，
w2
为所述第二导体的第二宽度
。5.
根据权利要求3所述的电容库创建方法，其特征在于，基于所述采样参数，获取所述交叠结构的至少一个采样模式，包括：基于所述采样参数中的所述第一导体的第一宽度，获取与所述第一宽度对应的至少一个第一采样图形；基于所述采样参数中的所述第二导体的第二宽度，获取与所述第二宽度对应的至少一个第二采样图形；基于所述采样参数中的偏移系数，获取与所述偏移系数对应的至少一个偏移系数采样值；基于所述至少一个第一采样图形
、
所述至少一个第二采样图形以及至少一个偏移系数采样值，获取所述交叠结构对应的至少一个采样模式
。6.
根据权利要求5所述的电容库创建方法，其特征在于，基于所述采样参数中的所述第一导体的第一宽度，获取与所述第一宽度对应的至少一个第一采样图形，包括：基于最小第一宽度以及多个预设第一倍数，获取与所述第一宽度对应的多个第一采样图形；和
/
或基于所述采样参数中的所述第二导体的第二宽度，获取与所述第二宽度对应的至少一个第二采样图形，包括：基于最小第二宽度以及多个预设第二倍数，获取与所述第二宽度对应的多个第二采样图形；和
/
或基于所述采样参数中的偏移系数，获取与所述偏移系数对应的至少一...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈献，
申请(专利权)人：杭州行芯科技有限公司，
类型：发明
国别省市：