【技术实现步骤摘要】
本申请涉及集成电路，具体涉及寄生电容提取方法、电子设备及可读存储介质。
技术介绍
1、随着大规模集成电路的发展，面对的集成电路设计的规模越来越大，同时对先进工艺下的寄生参数的求解精度要求越来越高。业界求取先进工艺下的最高精度方法为3d场求解器进行寄生电容的求解；在获得设计的设计数据后，进行更接近物理实际工艺结构的3d建模，然后在建立的3d模型上利用场求解器如fdm、bem或者frw等方法进行计生参数的求解，先进工艺下高精度3d建模方式能够最大真实的还原实际工艺的物理结构，同时场求解器也能够较准确地得到先进工艺下寄生参数。
2、但是，由于整体3d建模的复杂性，会占用大量内存空间；同时，场求解器对大规模集成电路所建立的矩阵规模也是上亿维度，会有海量内存的消耗，这些都不同程度的制约了3d方法抽取大规模集成电路的设计数据。因此，如何提供一种占用内存小且计算精确高的寄生电容参数的求解方式，是本领域技术人员亟需解决的技术问题。
技术实现思路
1、针对上述技术问题，本申请提供一种寄生电容提取方法、电子设备及可读存储介质。
2、为解决上述技术问题，本申请第一方面提供一种寄生电容提取方法，包括：对芯片的全局电路按预设规则进行划分，得到预设数量的计算区域；对预设数量的计算区域分别配置计算子任务，并获得计算子任务对应的计算区域对应的寄生电容信息，其中，每一计算子任务求解至少一个计算区域所对应的寄生电容信息；合并所有计算区域对应的寄生电容信息，得到全局电路所对应的全局寄生电容信息。
3、可选地，对预设数量的计算区域分别配置计算子任务，并获得计算子任务对应的计算区域对应的寄生电容信息的步骤，包括：基于环境扩展阈值信息从计算区域的边界对外进行扩展获取环境扩展区域，并基于环境扩展区域进行建模得到局部模型。基于建模得到的局部模型，求解计算区域所对应的寄生电容信息。
4、可选地，基于环境扩展阈值信息从计算区域的边界对外进行扩展获取环境扩展区域，并基于环境扩展区域进行建模得到局部模型的步骤，包括：获取与环境扩展区域有重叠区域的局部图形信息，局部图形信息包括局部导体图形信息及局部电介质图形信息。基于局部图形信息建立局部模型。
5、可选地，获取与环境扩展区域有重叠区域的局部图形信息的步骤，包括：确定与计算区域的边界相交的边界导体图形和/或计算区域的边界内的界内导体图形。基于边界导体图形在边界内的界内部分图形和/或界内导体图形确定局部图形信息。
6、可选地，基于建模得到的局部模型，求解计算区域所对应的寄生电容信息的步骤中，包括：基于边界导体图形在边界内的界内部分图形，确定边界导体图形的界内体积占比。根据界内体积占比计算界内部分图形对应的寄生电容。获取界内导体图形对应的寄生电容。根据界内部分图形的寄生电容和/或界内导体图形对应的寄生电容，获取计算区域对应的寄生电容。
7、可选地，根据界内体积占比计算界内部分图形对应的寄生电容的步骤，包括：根据界内体积占比缩放计算预设收敛精度。当基于边界导体图形的有效采样点确定界内部分图形对应的寄生电容的收敛精度达到缩放后的收敛精度时，则确定界内部分图形对应的寄生电容，其中，有效采样点对应于边界导体图形的界内部分图形。
8、可选地，基于建模得到的局部模型，求解计算区域所对应的寄生电容信息的步骤中，包括：基于界内部分图形从边界导体图形的所有采样点中确定有效采样点，基于有效采样点确定界内部分图形对应的寄生电容信息。
9、可选地，对预设数量的计算区域分别配置计算子任务，并获得计算子任务对应的计算区域对应的寄生电容信息的步骤，包括：基于计算资源中的主进程将各计算子任务分发到计算资源中的各子进程中，以使每一子进程计算至少一个计算区域对应的寄生电容信息。合并所有计算区域对应的寄生电容信息，得到全局电路所对应的全局寄生电容信息的步骤，包括：主进程合并所有子进程对应的计算区域对应的寄生电容信息，得到全局电路所对应的全局寄生电容信息。
10、可选地，基于计算资源中的主进程将各计算子任务分发到计算资源中的各子进程中，以使每一子进程计算至少一个计算区域对应的寄生电容信息的步骤，包括：子进程根据计算区域以及环境扩展阈值信息从全局电路中获取局部图形信息。根据局部图形信息构建计算区域对应的局部模型。基于局部模型获得计算区域对应的寄生电容信息。
11、本申请第二方面提供一种电子设备，该电子设备包括：存储器、处理器，其中，存储器上存储有计算机程序，计算机程序被处理器执行时实现如上任一项的寄生电容提取方法。
12、本申请第三方面提供一种可读存储介质，该可读存储介质上存储有计算机程序，计算机程序被处理器执行时实现如上任一项的寄生电容提取方法。
13、本申请提供的寄生电容提取方法、电子设备及可读存储介质，其中，寄生电容提取方法，包括：对芯片的全局电路按预设规则进行划分，得到预设数量的计算区域；对预设数量的计算区域分别配置计算子任务，并获得计算子任务对应的计算区域对应的寄生电容信息，其中，每一计算子任务求解至少一个计算区域所对应的寄生电容信息；合并所有计算区域对应的寄生电容信息，得到全局电路所对应的全局寄生电容信息。如此，本申请能够对芯片设计所对应的全局电路划分成预设数量的计算区域，从而基于预设数量的计算区域采用分布式技术进行求解每一个每个计算区域所对应的寄生电容信息，最终得到全局电路的全局寄生电容信息，其中，基于分布式技术分配计算子任务可以对单一的计算区域的电路图形进行建模及求解寄生电容，所占用内存小且计算精确高；另外，基于以上技术方案，本申请能够应用于求解大规模集成电路的全局寄生电容信息；进一步地，本申请应用于3d建模寄生电容时，能够使得单个3d建模占用内存小且电容计算精确高，进而能够快速、精确求解全局寄生电容信息。
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1.一种寄生电容提取方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的寄生电容提取方法，其特征在于，对所述预设数量的计算区域分别配置计算子任务，并获得计算子任务对应的计算区域对应的寄生电容信息的步骤，包括：
3.根据权利要求2所述的寄生电容提取方法，其特征在于，基于环境扩展阈值信息从计算区域的边界对外进行扩展获取环境扩展区域，并基于所述环境扩展区域进行建模得到局部模型的步骤，包括：
4.根据权利要求3所述的寄生电容提取方法，其特征在于，获取与所述环境扩展区域有重叠区域的局部图形信息的步骤，包括：
5.根据权利要求4所述的寄生电容提取方法，其特征在于，基于建模得到的所述局部模型，求解所述计算区域所对应的寄生电容信息的步骤中，包括：
6.根据权利要求5所述的寄生电容提取方法，其特征在于，根据所述界内体积占比计算所述界内部分图形对应的寄生电容的步骤，包括：
7.根据权利要求4所述的寄生电容提取方法，其特征在于，基于建模得到的所述局部模型，求解所述计算区域所对应的寄生电容信息的步骤中，包括：
8.根据权利
9.根据权利要求8所述的寄生电容提取方法，其特征在于，基于计算资源中的主进程将各计算子任务分发到所述计算资源中的各子进程中，以使每一子进程计算至少一个计算区域对应的寄生电容信息的步骤，包括：
10.一种电子设备，其特征在于，所述电子设备包括：存储器、处理器，其中，所述存储器上存储有计算机程序，所述计算机程序被所述处理器执行时实现如权利要求1至9中任一项所述的寄生电容提取方法。
11.一种可读存储介质，其特征在于，所述可读存储介质上存储有计算机程序，所述计算机程序被处理器执行时实现如权利要求1至9中任一项所述的寄生电容提取方法。
...【技术特征摘要】
1.一种寄生电容提取方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的寄生电容提取方法，其特征在于，对所述预设数量的计算区域分别配置计算子任务，并获得计算子任务对应的计算区域对应的寄生电容信息的步骤，包括：
3.根据权利要求2所述的寄生电容提取方法，其特征在于，基于环境扩展阈值信息从计算区域的边界对外进行扩展获取环境扩展区域，并基于所述环境扩展区域进行建模得到局部模型的步骤，包括：
4.根据权利要求3所述的寄生电容提取方法，其特征在于，获取与所述环境扩展区域有重叠区域的局部图形信息的步骤，包括：
5.根据权利要求4所述的寄生电容提取方法，其特征在于，基于建模得到的所述局部模型，求解所述计算区域所对应的寄生电容信息的步骤中，包括：
6.根据权利要求5所述的寄生电容提取方法，其特征在于，根据所述界内体积占比计算所述界内部分图形对应的寄生电容的步骤，包括：
7.根据权利要求4所述...
【专利技术属性】
技术研发人员：请求不公布姓名，请求不公布姓名，请求不公布姓名，
申请(专利权)人：杭州行芯科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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