一种基于改进遗传算法的亚分辨率辅助图形布局优化方法技术

本发明专利技术公开一种基于改进遗传算法的亚分辨率辅助图形布局优化方法

【技术实现步骤摘要】
一种基于改进遗传算法的亚分辨率辅助图形布局优化方法


[0001]本专利技术属于集成电路光刻
，涉及一种基于改进遗传算法的亚分辨率辅助图形布局优化方法
。

技术介绍

[0002]在集成电路光刻过程中，随着工艺节点的不断提高，光刻工艺尺寸越来越小
。
光刻工艺尺寸的减小会导致光刻工艺中工艺窗口的降低，为了提升密集图形的工艺窗口，在当下光刻工艺中主要采用离轴照明的方法
。
该方法会提升密集图形的工艺窗口，但是孤立图形的透光量将会有所降低，导致孤立图形的工艺窗口有所下降
。
因此为了提示孤立图形的工艺窗口，目前主流的做法是通过在孤立图形周围加入一些尺寸较小的线条或者沟槽，用于提升孤立图形的透光量，以此提升孤立图形的工艺窗口
。
该尺寸较小的线条或者沟槽就是亚分辨率辅助图形
。
[0003]而为了提升亚分辨率辅助图形插入后的性能，会添加多层亚分辨率辅助图形
。
亚分辨率辅助图形的参数主要有以下几个：辅助图形和主图形之间的距离，辅助图形的宽度，辅助本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种基于改进遗传算法的亚分辨率辅助图形布局优化方法，其特征在于所述方法包括以下步骤：步骤
S1
：由于亚分辨率辅助图形插入规则由亚分辨率辅助图形参数表示；将亚分辨率辅助图形参数视为一个个体的多段基因；由
m
个个体构建种群；初始化当前迭代次数
T
＝0；步骤
S2
：将步骤
S1
个体，进行交叉操作，得到新的子代个体；步骤
S3
：将步骤
S2
得到的子代个体，进行变异操作，得到变异后子代个体；步骤
S4
：将变异后子代个体的基因组转换成对应亚分辨率辅助图形参数；步骤
S5
：根据步骤
S4
所得到的每个个体的亚分辨率辅助图形参数，通过光刻模拟软件将亚分辨率辅助图形插入到测试主图形中，然后通过光刻模型对插入后测试主图形进行曝光模拟并输出模拟结果；步骤
S6
：根据步骤
S5
模拟结果，获取每位个体亚分辨辅助图形插入之后的掩膜误差增强因子
MEEF、
曝光能量变化宽裕度
NILS、
工艺变化带
PVBand
，以及亚分辨率辅助图形曝光后是否被显影的标记，并通过代价函数计算每位个体的适应度
F
：
F
＝
FLAG*(
α
*MEEF+
β
*NILS+
γ
*PVBand)
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
式
(1)
其中
FLAG
表示显影标记；
α
为掩膜误差增强因子
MEEF
的权重；
β
为曝光能量变化宽裕度
NILS
的权重；
γ
为工艺变化带
PVBand
的权重；步骤
S7
：判断当前迭代是否达到迭代后期，根据迭代次数是否达到
0.8*
ξ
进行判断，
ξ
为最大迭代次数，若是则进行步骤
S8
；若否则直接进行步骤
S10
；步骤
S8
：对每位个体的适应度
F
进行修正，得到修正后适应度
S(F)
；步骤
S9
：判断当前迭代次数
T
是否达到最大迭代次数
ξ
，若是则执行步骤
S11
，若否则执行步骤
S10
；步骤
S10
：根据步骤
S8
所得个体的适应度进行选择，选择出适应度较大的个体，作为下一代的种群个体，更新
T
＝
T+1
，并返回步骤
S2
；步骤
S11
：获取当前最后一代中的修正后适应度
S(F)
表现最优的个体，该个体对应的亚分辨率辅助图形插入规则参数即为最优亚分辨率辅助图形插入规则
。2.
根据权利要求1所述方法，其特征在于步骤
S1
中，所述亚分辨率辅助图形参数包括辅助图形和主图形之间的距离
d
BtM
，辅助图形宽度
d
BW
，辅助图形和辅助图形之间的距离
d
BtB
；将辅助图形和主图形之间的距离
d
BtM
，辅助图形宽度
d
BW
，相邻辅助图形之间的距离
d
BtB
视为一个...

【专利技术属性】
技术研发人员：李璇，任堃，高大为，
申请(专利权)人：浙江大学，
类型：发明
国别省市：