抽真空方法及溅射镀膜方法技术

本发明专利技术提供了一种抽真空方法及溅射镀膜方法，抽真空方法包括以下步骤：将靶材安装在镀膜腔室中；使镀膜腔室与大气环境相互隔离，然后开启真空泵；将一板件传送至镀膜腔室中；将工作气体

【技术实现步骤摘要】
抽真空方法及溅射镀膜方法


[0001]本专利技术涉及镀膜
，尤其涉及一种抽真空方法
。

技术介绍

[0002]磁控溅射镀膜是常见的一种镀膜技术，磁控溅射镀膜常应用于半导体
、
太阳能
、
显示面板等行业
。
磁控溅射镀膜的工作原理大致如下：
Ar
原子在电场作用下形成
Ar
+
(
氩离子
)
，
Ar
+
经电场加速后轰击靶材表面，使靶材发生溅射，溅射出来的靶材原子或分子沉积在基板上从而形成薄膜
。
磁控溅射镀膜设备通常包括一个镀膜腔室，靶材和基板可以放置在镀膜腔室中
。
在镀膜过程中，镀膜腔室需要处于真空环境
。
[0003]当靶材耗尽时，使用者需要打开镀膜腔室然后更换靶材
。
靶材更换好之后，使用者需要对镀膜腔室进行抽真空，直至镀膜腔室的真空度满足镀膜的需求
。
然而，现有技术中，镀膜腔室所需要的抽真空时间较长<本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
抽真空方法，其特征在于，利用真空泵对镀膜设备的镀膜腔室进行抽真空，包括以下步骤：将靶材安装在所述镀膜腔室中；使所述镀膜腔室与大气环境相互隔离，然后开启所述真空泵对所述镀膜腔室抽真空；将一板件传送至所述镀膜腔室中，使得所述板件与所述靶材相对设置并且间隔设置；将工作气体通入所述镀膜腔室中；开启溅射电源，使所述镀膜腔室内形成第一电场，所述第一电场使得：所述工作气体转换为等离子体，所述等离子体中的离子轰击所述板件，所述板件溅射出的板件粒子与所述镀膜腔室中的待去除气体进行反应并生成非气态物质；消除所述第一电场，停止通入工作气体，继续让所述真空泵对所述镀膜腔室抽真空
。2.
根据权利要求1所述的抽真空方法，其特征在于，所述工作气体为氩气，所述离子为氩离子
。3.
根据权利要求1所述的抽真空方法，其特征在于，所述板件的材质为钛，所述板件粒子为钛粒子；或者，所述板件的材质为铝，所述板件粒子为铝粒子
。4.
根据权利要求1所述的抽真空方法，其特征在于，所述靶材的材质为铜
、
铝
、
金
、
钨
、
氧化铟锡
、
氧化铟锌的其中一者
。5.
根据权利要求1所述的抽真空方法，其特征在于，所述待去除气体包括氧气
、
氮气和水蒸气中的至少一者
。6.
根据权利要求1所述的抽真空方法，其特征在于，在开启所述真空泵之后，在所述镀膜腔室的真空度达到
1.0
×
10
‑3Pa
之后，再将所述板件传送至所述镀膜腔室中；当所述镀膜腔室的真空度达到
1.0
×
10
‑4Pa
，所述镀膜设备开始进行镀膜
。7.
根据权利要求1至6中任一项所述的抽真空方法，其特征在于，所述镀膜设备还包括顶升机构和基片台，所述基片台设置于所述镀膜腔室中，所述顶升机构用于驱动所述基片台升降；所述将一板件传送至所述镀膜腔室中，使得所述板件与所述靶材相对设置并且间隔设置，包括：将所述板件传送至所述基片台上，然后所述顶升机构驱动所述基片台上升，使得所述基片台处于制程位置；其中...

【专利技术属性】
技术研发人员：胡小波，张晓军，夏慧，谢明辉，冯俊杰，
申请(专利权)人：深圳市矩阵多元科技有限公司，
类型：发明
国别省市：