具有波导的图像传感器及其制造方法技术

本发明专利技术涉及具有波导的图像传感器及其制造方法。具有波导的图像传感器包括：半导体衬底，形成有光电二极管和外围电路区域；抗反射层，形成于半导体衬底上；绝缘层，形成于抗反射层上；布线层，形成于绝缘层上并连接至半导体衬底；至少一个层间介电层，堆叠在布线层上；以及波导，通过穿过在光电二极管上形成的层间介电层和布线层连接至绝缘层。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及具有作为入射光行进路径的波导的图像传感器及其制造方法，更具体 地涉及，在具有波导的图像传感器中，单独的布线层 形成于光电二极管上，从而当通过蚀刻形成波导时确保蚀刻的均勻性并防止在蚀刻过程中 由等离子体离子产生暗电流。
技术介绍
图像传感器是将光图像转换为电信号的半导体装置。典型的图像传感器包括电荷 耦合装置(CXD)和CMOS图像传感器。在这两种图像传感器之间，CMOS图像传感器代表通过使用CMOS制造技术将光图 像转换为电信号的装置。CMOS图像传感器采用这样的切换方案，其中M0S晶体管由多个像 素构成，随后通过CMOS晶体管检测输出。当与迄今为止已经广泛用作图像传感器的(XD图像传感器相比时，在CMOS图像传 感器中使用简单的驱动方案，并且可以实现各种扫描方案。此外，由于信号处理电路可以集 成在单个芯片中，因此使得产品小型化成为可能，而且由于利用了兼容的CMOS技术，因此 可降低制造成本并且可显著减少功率消耗。CMOS传感器由检测光的光电二极管和将检测到的光转换为作为数据的电信号的 CMOS逻辑电路组成。为了提高图像传感器的感光度，已经努力增大光电二极管面积与整个本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种具有波导的图像传感器，包括：半导体衬底，形成有光电二极管和外围电路区域；抗反射层，形成于所述半导体衬底上；绝缘层，形成于所述抗反射层上；布线层，形成于所述绝缘层上并连接至所述半导体衬底；至少一个层间介电层，堆叠在所述布线层上；以及波导，穿过在所述光电二极管上方形成的所述层间介电层和所述布线层连接至所述绝缘层。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：全寅均，吴世仲，安熙均，元俊镐，
申请(专利权)人：株赛丽康，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]