株赛丽康专利技术

株赛丽康共有72项专利

  • 本发明涉及一种穿透硅通孔(TSV)的制造方法,更为涉及一种采用现有的沟槽型元件隔离工艺来简单制造穿透硅通孔(TSV),同时完成穿透硅通孔(TSV)与硅之间的有效的电隔离的穿透硅通孔(TSV)的制造方法。
  • 本发明涉及一种芯片驱动性能改善的背光图像传感器芯片。背光图像传感器芯片通过将除形成导电焊盘的焊盘区域和形成光滤波器的感测区域以外的区域用作辅助驱动区域,从而在无需进行追加工艺的情况下,具有有限的面积的背光图像传感器芯片能够执行供给辅助电...
  • 本发明涉及一种堆栈存储器,其将多个基板叠层而形成半导体存储器,各基板的存储器单元通过数据转储线连接。在存储器单元和数据转储线之间可增加开关。在通过数据转储线转储各基板的数据时,使由寄生组件导致的速度下降和功耗增加的问题最小化。并且,包括...
  • 本发明涉及一种半导体装置,更详细地,涉及一种利用接合时所使用的内部连接器能够有效地将在三维叠层结构的半导体装置内部中产生的热向半导体装置的外部排放的改善散热特性的半导体装置。
  • 本发明涉及一种在形成晶圆焊盘的工序的封装工序中,对在过孔背面形成焊盘的工序进行简化的技术。本发明的特征在于,用于制作晶圆的工序的封装工序包括以下步骤:在微透镜的上部粘贴玻璃后,从元件晶圆上分离出所述处理晶圆,从而使形成在所述元件晶圆上的...
  • 公开一种测量照度、接近度以及色温的图像传感器,包括:光源单元,配置以将特定波段波长的红外光发射到物体上;光源控制器,配置以控制供给至所述光源单元的电源;红外透射滤光器,配置以允许被物体反射后通过透镜入射的光中仅具有特定波段波长的红外射线...
  • 利用RGB数据的颜色校正方法
    本发明涉及一种不经过用于颜色校正的颜色空间的转换而能够利用RGB数据实现颜色校正的技术,为此,本发明的利用RGB数据的颜色校正方法包括以下步骤:提取对于RGB输入数据的色坐标上的开始色调值;从根据RGBYCM的各颜色控制值的所述开始色调...
  • 包括具有提高的光谱特性的红外像素的CMOS图像传感器及其制造方法
    本发明涉及一种包括具有提高的光谱特性的红外像素的CMOS图像传感器及其制造方法,其中在RGB像素的滤色器和红外像素的滤色器之间形成阶梯部。在根据各像素的滤色器和红外滤色器之间形成阶梯部,不管形成滤色器和红外滤色器的材料的特性如何,滤色器...
  • 本发明涉及一种包括颜色微透镜的CMOS图像传感器及其制造方法,其中通过将由透明材料制成的微透镜替代为由具有与滤色器的特性相似特性的材料制成的微透镜,改进了微透镜的颜色特性。根据本发明的包括颜色微透镜的CMOS图像传感器及其制造方法,改进...
  • 具有三维结构的图像传感器的分离式单位像素
    本发明公开了具有三维(3D)结构的图像传感器的分离式单位像素,其能够使得通过光电二极管产生的电荷传输至浮动扩散区的效率最大化。所述分离式单位像素可包括在其上形成有光电二极管以及传输晶体管的第一晶片以及在其上形成有复位晶体管以及源极跟随器...
  • 一种在制造使用背侧照明光电二极管的图像传感器并对两个晶片进行接合时能够简化工艺并确保接偏的工艺余量的技术。当通过三维CIS(CMOS图像传感器)制造工艺制造图像传感器时,利用一个晶片的通孔和另一个晶片的接合垫盘对两个晶片,即第一晶片和第...
  • 本发明公开了一种用于基板堆叠式图像传感器的全局快门的像素电路,其包括半导体芯片,所述半导体芯片包括:光电二极管,其被配置为输出通过光传感操作产生的电荷;和复位节点,其被配置为从复位电压节点接收复位电压并复位所述光电二极管。所述半导体芯片...
  • 本发明涉及一种通过降低有机发光二极管(AMOLED)显示面板中的颜色不均匀性来提高生产率的技术。为此目的,本发明包括:非易失性存贮器,其中存贮颜色不均匀性补偿参数,从而补偿显示面板中的颜色不均匀性;具有集成的显示驱动器的器件,其与非易失...
  • 本发明公开了一种使用显微透镜的相位差检测像素,通过调整显微透镜的形状,其检测相位差而不会出现输入信号损耗,所述显微透镜收集入射至光电二极管的光,从而光仅在特定方向上穿过。在使用显微透镜的相位差检测像素中,现有的相位差检测像素的不足的信号...
  • 本发明公开了一种具有立体堆栈结构的图像传感器,其中,顶部板的像素作为图像像素以及底部板的像素作为用于实现相位差自动对焦的像素,从而相位差自动对焦可被实现而不会出现分辨率损失。在具有立体堆栈结构的图像传感器中,现存的成像表面相位差自动对焦...
  • 图像传感器单元可划分为两个芯片,以及用于抑制噪声的电容形成于与具有两个芯片耦合结构的堆栈式芯片封装图像传感器中的顶部晶片的像素单元相对应的底部晶片中,从而改进了图像传感器的噪声特性。堆栈式芯片封装图像传感器包括:第一半导体芯片,其包括光...
  • 本发明涉及芯片堆栈式图像传感器及其制造方法。更加特别地,本发明涉及具有异质结结构的芯片堆栈式图像传感器及其制造方法,其中,第一半导体芯片和第二半导体芯片通过使用适于在每个半导体基板上形成的传感器特性的基板材料而被制造,以及将半导体芯片堆...
  • 具有双重检测功能的基板堆放图像传感器
    本发明涉及一种具有双重检测功能的基板堆放图像传感器,其中,第一至第四光电二极管形成在第一基板中,第五光电二极管形成在第二基板中,以及将所述基板彼此堆放并结合,第一至第四光电二极管和第五光电二极管彼此结合以获得作为一个像素的元件的完整光电...
  • 本发明涉及一种发光二极管面板的亮度补偿装置,设置于有机发光二极管(OLED)面板的外框部的驱动芯片利用设置于相邻位置的基准像素,从而求得排列于显示范围的像素元件的亮度偏差,从而可以进行补偿。所述本发明包括:基准像素元件部,其在有机发光二...
  • 电连接晶圆的方法和用该方法制造的半导体设备
    本发明涉及用于电连接晶圆的方法,该方法通过氧化物至氧化物接合方法物理地接合两个晶圆,并随后通过对接接触结构电连接这个两个晶圆。晶圆通过相对简单的方法彼此物理接合,并随后通过TSV或对接接触孔彼此电连接。因此,由于可以简化制造工艺,故可以...