晶圆刷及晶圆刷洗方法技术

本发明专利技术提供了一种晶圆刷及晶圆刷洗方法

【技术实现步骤摘要】
晶圆刷及晶圆刷洗方法


[0001]本专利技术涉及半导体领域，尤其涉及一种晶圆刷及晶圆刷洗方法
。

技术介绍

[0002]晶圆刷在大规模集成电路制造工艺中被广泛应用，特别是在湿化学清洗工艺中，如晶圆刷洗
(Scrubber Clean)
和化学机械研磨
(Chemical Mechanical Planarization
，简称
CMP)
之后的清洗
。
晶圆刷的主要目的是清除晶圆表面的微尘颗粒
(Particle)
；晶圆刷洗中的晶圆刷用于刷洗晶圆背面，化学机械研磨之后的清洗中晶圆刷则用于双面刷洗
。
晶圆刷的刷洗都会在晶圆表面施加一定的压力，压力过大会导致晶圆上的图案损伤，压力太小则对有黏性的微尘颗粒很难清除；随着特征尺寸的不断缩小，以上两方面问题会越来越明显
。
[0003]如何在更小的压力下更有效的清除晶圆表面的微尘颗粒，以减少晶圆上的图案的损伤，提高制程的稳定性，具有十分重要的应用价值
。<br/>
技术实现思路
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种晶圆刷，其特征在于，包括：振动波发生器，用于产生相对于晶圆刷的水平方向的机械振动波；刷头，与所述振动波发生器连接，接收所述机械振动波并且在水平方向振动；去离子水管道，通过所述振动波发生器与所述刷头连接，去离子水流经所述去离子水管道进入所述刷头
。2.
根据权利要求1所述的晶圆刷，其特征在于，所述振动波发生器包括：声波发生单元，用于发生声波；声波能换单元，与所述声波发生单元连接，用于将所述声波转化成水平方向的所述机械振动波
。3.
根据权利要求2所述的晶圆刷，其特征在于，所述声波为超声波
。4.
根据权利要求2所述的晶圆刷，其特征在于，所述声波的频率小于
100kHz。5.
根据权利要求2所述的晶圆刷，其特征在于，所述声波的频率大于
800kHz。6.
根据权利要求1所述的晶圆刷，其特征在于，所述晶圆刷还包括一开关，与所述振动波发生器和所述去离子水管道连接，用于控制所述振动波发生器发出所述机械振动波的同时，去离子水经过所述去离子水管道进入所述刷头
。7.
根据权利要求1所述的晶圆刷，其特征在于，所述刷头形状为板状或者滚筒状
。8.
根据权利要求1所述的晶圆刷，其特征在于，所述刷头表面有凸起，所述凸起为弹性凸起

【专利技术属性】
技术研发人员：周维杰，常靖华，孙卫明，
申请(专利权)人：上海积塔半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：