【技术实现步骤摘要】
显示面板及其制备方法、显示装置
[0001]本公开涉及显示
,具体而言,涉及一种显示面板及其制备方法
、
显示装置
。
技术介绍
[0002]VA(vertical alignment
,垂直对齐
)/TN(twisted nematic
,扭曲向列型
)
显示器基本显示原理为液晶在垂直电场作用下发生偏转,在不同旋转状态下的液晶对光双折射效果不同,会产生灰度差,从而达到显示的效果
。VA
显示器垂直电场的形成来自于对向基板和阵列基板侧之间的电压差,因此相对
IPS(in
‑
plane switching
,平面转换
)
以及
ADS(advanced super dimension switch)
平面显示器,
VA
显示器在对向基板内多一层导电结构
。
[0003]在高温高湿的信赖性测试过程中,
VA
产品会出现部分周边过孔腐蚀引起的显示不良
。
而过孔发生腐蚀的一个必要条件是有水汽进入面内,导致过孔发生电化学腐蚀失效
。
据此,会影响显示面板的结构性能和使用寿命
。
[0004]需要说明的是,在上述
技术介绍
部分公开的信息仅用于加强对本公开的背景的理解,因此可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息
。
技术实现思路
[0005]本公开 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.
一种显示面板,其特征在于,包括:对向基板和阵列基板,所述对向基板与所述阵列基板通过框胶粘接,以在所述框胶围绕区域以内形成盒内区域,其中:所述对向基板包括第一衬底和位于所述第一衬底朝向所述阵列基板一侧的遮光结构;所述遮光结构在朝向所述阵列基板一侧设有第一凹槽,所述第一凹槽在所述阵列基板的正投影位于所述盒内区域在所述阵列基板的正投影以外;所述对向基板还包括导电改善结构,所述导电改善结构位于所述遮光结构朝向所述阵列基板一侧,且所述导电改善结构填充所述第一凹槽的至少部分;所述导电改善结构包括第一导电结构和填充结构,所述第一导电结构位于所述填充结构一侧;且沿所述对向基板与所述阵列基板的排列方向,所述第一导电结构在对应所述第一凹槽位置存在变形
。2.
根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述第一凹槽在所述第一衬底的正投影位于所述框胶在所述第一衬底的正投影内
。3.
根据权利要求1或2所述的显示面板,其特征在于,所述填充结构位于所述第一导电结构背离所述遮光结构一侧;所述第一导电结构在对应所述第一凹槽位置形成凹陷,所述填充结构填充所述凹陷
。4.
根据权利要求3所述的显示面板,其特征在于,沿所述对向基板指向所述阵列基板方向,所述填充结构的高度超出所述第一凹槽
。5.
根据权利要求4所述的显示面板,其特征在于,所述盒内区域设有隔垫物,所述隔垫物位于所述第一导电结构朝向阵列基板一侧;所述填充结构与所述隔垫物同层制备
。6.
根据权利要求5所述的显示面板,其特征在于,所述隔垫物包括主隔垫物和辅隔垫物,所述主隔垫物与所述辅隔垫物间隔设置,且沿所述对向基板与所述阵列基板的排列方向,所述辅隔垫物的高度矮于所述辅隔垫物;所述填充结构与所述辅隔垫物结构相同
。7.
根据权利要求3所述的显示面板,其特征在于,所述填充结构的颜色为黑色
。8.
根据权利要求1或2所述的显示面板,其特征在于,所述填充结构填充所述第一凹槽,且所述填充结构超出所述第一凹槽;所述第一导电结构位于所述填充结构背离所述第一衬底一侧,且所述第一导电结构覆盖所述填充结构超出所述第一凹槽的顶部和侧壁
。9.
根据权利要求8所述的显示面板,其特征在于,所述对向基板还包括彩膜结构,所述彩膜结构与所述遮光结构同层制备于所述衬底基板;所述彩膜结构包括多个色阻单元,相邻所述色阻单元通过所述遮光结构间隔,且每个所述色阻单元包括三个色阻;所述填充结构与所述色阻单元中的一个所述色阻同层制备
。10.
根据权利要求9所述的显示面板,其特征在于,所述色阻单元包括蓝色色阻,所述填充结构与所述蓝色色阻同层制备
。11.
根据权利要求1或2所述的显示面板,其特征在于,沿所述对向基板与所述阵列基板的排列方向,所述第一凹槽的槽深小于所述遮光结构的厚度,或者,所述第一凹槽的槽深等于所述遮光结构的厚度
。12.
根据权利要求1或2所述的显示面板,其特征在于,所述第一凹槽环绕所述盒内区域设置;所述第一凹槽的数量为至少两个,且至少两个所述第一凹槽间隔设置
。13.
根据权利要求1或2所述的显示面板,其特征在于,所述遮光结构...
【专利技术属性】
技术研发人员:刘佳,童超,缪宁,张少平,王颖,王国丁,羊书康,雒斌,李梁梁,
申请(专利权)人:成都京东方显示科技有限公司,
类型:发明
国别省市:
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