一种二元化合物的制备方法技术

本申请实施例提供一种二元化合物的制备方法，包括：步骤

【技术实现步骤摘要】
一种二元化合物的制备方法


[0001]本申请属于半导体材料
，尤其涉及一种二元化合物的制备方法
。

技术介绍

[0002]随着现代电子信息技术的高速发展，硅基集成电路产业进入“后摩尔时代”，晶体管的尺寸微缩和性能提升面临着种种技术阻碍，因此亟需新材料和新工艺的开发研究
。
[0003]二维半导体材料是发展下一代电子和光电子器件有前途的材料之一，其具有原子级的厚度
、
合适的带隙
、
迁移率高等特点
。
其中，二维过渡金属硫族化合物的制备方法主要有自上而下和自下而上两种路径
。
自下而上是通过物理或化学合成方法制备二维材料的技术路线，其中化学气相沉积是目前主流的二维材料制备手段，化学气相沉积法制备的二维材料具有合成范围广，层数可控，可实现晶圆级尺寸的制备等优势，同时还能够与硅基相兼容，是下一代半导体工艺中必要的材料合成方法
。
[0004]根据相图可知，很多过渡金属硫族化合物具有丰富的物相，但目前只局限于常见的物相，由于很多物相对于温度和元素配比要求比较高，很多相并没有实现可控制备
。
[0005]因此，如何能否通过化学气相沉积的方法，可控地制备材料体系中的每一个物相，是目前二维材料的可控物相生长，以及大面积制备存在的一个亟待解决的问题
。

技术实现思路

[0006]针对上述相关技术中存在的问题，本专利技术提供了一种二元化合物的制备方法，能够实现二元化合物的大面积可控相变
。
[0007]故，本申请实施例提出一种二元化合物的制备方法，包括：
[0008]步骤
S1
：在衬底上生成第一薄膜和第二薄膜；
[0009]步骤
S2
：所述第一薄膜和所述第二薄膜通过化学气相沉积法，生成不同物相比例的二元化合物，
[0010]其中，在步骤
S1
中，所述第一薄膜和所述第二薄膜的含量通过所述第一薄膜和所述第二薄膜的厚度来控制，在步骤
S21
中，通过控制所述第一薄膜和所述第二薄膜的厚度比例，控制不同物相比例的所述二元化合物的生成
。
[0011]在一些实施方式中，所述步骤
S1
包括：通过磁控溅射法，在所述衬底上生成所述第一薄膜和所述第二薄膜
。
[0012]在一些实施方式中，所述步骤
S1
包括：通过电子束蒸发镀膜法，在所述衬底上生成所述第一薄膜和所述第二薄膜
。
[0013]在一些实施方式中，其特征在于，所述步骤
S2
包括：将生长所述第一薄膜和所述第二薄膜的所述衬底放入石英舟中，再将所述石英舟至于管式炉内进行化学气相沉积
。
[0014]在一些实施方式中，所述衬底包括第一衬底和第二衬底，所述步骤
S1
包括：在所述第一衬底上生成所述第一薄膜，在所述第二衬底上生成所述第二薄膜，所述步骤
S2
包括：将所述第一衬底上生成的所述第一薄膜置于所述第二衬底上生成的所述第二薄膜上方，所述
第一薄膜和所述第二薄膜通过化学气相沉积法，生成不同物相比例的二元化合物薄膜
。
[0015]在一些实施方式中，所述衬底包括导电层和绝缘层，所述导电层设置在所述绝缘层上方
。
[0016]在一些实施方式中，所述第一薄膜为
Te
薄膜，所述第二薄膜为
Pd
薄膜
。
[0017]在一些实施方式中，所述第一薄膜为
Te
薄膜，所述第二薄膜为
Mo
薄膜
。
[0018]在一些实施方式中，所述第一薄膜为
Se
薄膜，所述第二薄膜为
Pd
薄膜
。
[0019]在一些实施方式中，所述衬底为硅
/
氧化硅衬底
。
[0020]本专利技术提供的二元化合物的制备方法中，在衬底上生成第一薄膜和第二薄膜，并且通过控制第一薄膜和第二薄膜的厚度比例控制参与反应的两种元素的含量，在相同的反应温度下即可控制不同物相的二元化合物的生成，也就是，根据本申请实施例的二元化合物的制备方法，能够实现二维二元化合物的大面积可控相变
。
附图说明
[0021]为了更清楚地说明本申请实施例或相关技术中的技术方案，下面将对实施例或相关技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图示出的结构获得其他的附图
。
[0022]图1为本专利技术实施例提供的二元化合物的制备方法的流程示意图；
[0023]图2为本专利技术实施例一提供的二元化合物的制备方法的模拟反应示意图；
[0024]图3为本专利技术实施例二提供的二元化合物的制备方法的模拟反应示意图
。
[0025]本申请目的的实现
、
功能特点及优点将结合实施例，参照附图做进一步说明
。
具体实施方式
[0026]下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚
、
完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请的一部分实施例，而不是全部的实施例
。
基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围
。
[0027]应当理解，当在本说明书和所附权利要求书中使用时，术语“包括”和“包含”指示所描述特征
、
整体
、
步骤
、
操作
、
元素和
/
或组件的存在，但并不排除一个或多个其它特征
、
整体
、
步骤
、
操作
、
元素
、
组件和
/
或其集合的存在或添加
。
[0028]还应当理解，在此本申请说明书中所使用的术语仅仅是出于描述特定实施例的目的而并不意在限制本申请
。
如在本申请说明书和所附权利要求书中所使用的那样，除非上下文清楚地指明其它情况，否则单数形式的“一”、“一个”及“该”意在包括复数形式
。
对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本申请中的具体含义
。
[0029]在现有的二元化合物的制备方法中，首先，在衬底上生长二维
Pd(
钯
)
的薄膜，然后通过以
Te(
碲
)
单质为碲源，通过化学气相沉积法在衬底上形成碲化钯的薄膜
。
但是，根据相图可知，
PdTe2是
Pd
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种二元化合物的制备方法，其特征在于，包括：步骤
S1
：在衬底上生成第一薄膜和第二薄膜；步骤
S2
：所述第一薄膜和所述第二薄膜通过化学气相沉积法，生成不同物相比例的二元化合物，其中，在步骤
S1
中，所述第一薄膜和所述第二薄膜的含量通过所述第一薄膜和所述第二薄膜的厚度来控制，在步骤
S21
中，通过控制所述第一薄膜和所述第二薄膜的厚度比例，控制不同物相比例的所述二元化合物的生成
。2.
如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤
S1
包括：通过磁控溅射法，在所述衬底上生成所述第一薄膜和所述第二薄膜
。3.
如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤
S1
包括：通过电子束蒸发镀膜法，在所述衬底上生成所述第一薄膜和所述第二薄膜
。4.
如权利要求1至3任一项所述的方法，其特征在于，所述步骤
S2
包括：将生长所述第一薄膜和所述第二薄膜的所述衬底放入石英舟中，再将所述石英舟至于管式炉内进行化学气相沉积
。5.
如权利要求4所述的方法，其特征在于，所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐晓龙，黄梦婷，王业亮，黄元，陈辉，张德成，丁一鸣，杨诗其，
申请(专利权)人：北京理工大学，
类型：发明
国别省市：