一种物理气相沉淀设备制造技术

本实用新型专利技术属于物理气相沉淀设备领域，具体涉及一种物理气相沉淀设备，包括沉淀室，所述沉淀室上方设有磁控室，所述磁控室外壁底端固定连接靶材，所述连接靶材下方上设置有压环装置，所述压环装置包括所述固定圆台底部固定连接在沉淀室内壁底端，所述环形本体与所述固定圆台相连通，所述通孔贯穿环形本体的侧壁，所述卡槽环形设置在环形本体的外壁上

【技术实现步骤摘要】
一种物理气相沉淀设备


[0001]本技术涉及气相沉淀
，具体为一种物理气相沉淀设备
。

技术介绍

[0002]通过物理气相沉积
(PhysicalVaporDeposition
，简称：
PVD)
技术是半导体工业中最广为使用的一类薄膜制造技术，泛指采用物理方法制备薄膜的薄膜制备工艺，其制备工艺中一般需要使用到物理气相沉淀设备，即
PVD
设备
。
[0003]目前，现有技术中，例如公告号为
CN108950510A
的中国专利，公开了一种物理气相沉淀设备，采用这样的机构后，彻底避免由于出现缝隙而造成在基片的侧边镀膜，进一步避免了绕镀，承接环被覆盖环完全覆盖且表面形成熔射层，进一步防止了承接环被污染
。
但物理气相沉积工艺
(
例如铝淀积工艺
)
有时需要淀积3～4微米厚，较厚的沉积物质
(
例如铝
)
会把晶圆的对准标记填满，使晶圆的对准标记无法辨别，导致后续的光刻等工艺因难以对准而无法完成正常的工艺过程；另外，环形本体的内径需要根据晶圆的尺寸确定，现有的压环装置，调节不便，鉴于此，我们提出一种物理气相沉淀设备
。

技术实现思路

[0004]本技术的主要目的是提供一种物理气相沉淀设备，能够解决上述
技术介绍
中所提出的问题
。。
[0005]为实现上述目的，本技术提出的物理气相沉淀设备，包括沉淀室，所述沉淀室上方设有磁控室，所述磁控室外壁底端固定连接靶材，所述连接靶材下方上设置有压环装置，所述压环装置包括：
[0006]固定圆台，所述固定圆台底部固定连接在沉淀室内壁底端；
[0007]环形本体，所述环形本体与所述固定圆台相连通；
[0008]通孔，所述通孔贯穿环形本体的侧壁；
[0009]及卡槽，所述卡槽环形设置在环形本体的外壁上
。
[0010]优选的，所述固定圆台的底部设有若干环形设置的凹槽，且相邻两个所述凹槽之间围成的面积相等，所述环形本体的内环边缘位置固定连接有伸出板，所述伸出板的个数为四个，相邻两个所述伸出板之间形成的弧长相等，且两个相邻所述伸出板之间均设有凸出台，其中，所述凸出台和所述伸出板均与所述环形本体的平面平行，所述凸出台的形状为梯形结构减少了压环装置和晶圆的接触面积，进而减少粘片现象的发生
。
[0011]优选的，所述卡槽内设有与其相匹配设置的紧锁盘，所述紧锁盘上设有若干定位紧锁孔，所述定位紧锁孔与所述通孔相通，所述定位紧锁孔上设置有定位装置
。
[0012]优选的，所述定位装置包括定位销，且所述定位销的一端开设有螺纹孔，所述螺纹孔配合有螺栓，所述螺栓的一端插入到所述螺纹孔内部，所述螺栓的另一端固定在调节手轮上，且所述螺栓上设有刻度尺，通过在所述环形本体上设置的所述紧锁盘，可以利用所述调节手轮的旋转，使所述环形本体上的所述条形板与所述凹槽相对滑动，可以调节所述环
形本体的直径，可以适应不同晶圆的尺寸
。
[0013]优选的，所述磁控室包括进气管，所述进气管贯穿磁控室上壁，且进气管的底端与连接管的上端相固定连接，所述连接管的底端固定连接有磁铁
。
[0014]优选的，所述圆台内设有保护环
。
[0015]优选的，所述环形本体的顶端设有若干条形板
。
[0016]有益效果
[0017]本技术提供了一种物理气相沉淀设备
。
具备以下有益效果：
[0018](1)、
该物理气相沉淀设备工作时，环形本体仅有凸出台与晶圆相接触，减少了压环装置和晶圆的接触面积，进而减少粘片现象的发生，同时，伸出板的位置与晶圆的对准标记相对应，当压环压设于晶圆上方时，伸出板能够位于晶圆的对准标记的上方，阻挡物理气相沉积过程中沉积物质填充到晶圆的对准标记，进而避免了因物理气相沉积过程中沉积物质沉积充满晶圆的对准标记而使其无法辨别的问题，进而保护了晶圆在后续光刻工艺中的正常对准；此外，通过在环形本体上设置的紧锁盘，可以利用调节手轮的旋转，使环形本体上的条形板与凹槽相对滑动，可以调节环形本体的直径，可以适应不同晶圆的尺寸，结构简单，效果明显
。
[0019](2)、
该物理气相沉淀设备磁控管腔内设置有极性相反的磁铁，磁铁产生磁场束缚电子，限制电子的运动范围，并延长电子的运动轨迹，使电子最大幅度的离化进入沉淀腔室内的气体原子，以形成该气体的离子，气体原子包括惰性气体原子
。
附图说明
[0020]为了更清楚地说明本技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图示出的结构获得其他的附图
。
[0021]图1为本技术正视结构示意图；
[0022]图2为本技术压环装置俯视结构示意图；
[0023]图3为本技术压环装置中环形本体正视结构示意图；
[0024]图4为本技术压环装置中圆台底部仰视结构示意图；
[0025]图5为本技术定位装置结构示意图；
[0026]图6为本技术压环装置中紧锁盘结构示意图
。
[0027]附图标号说明：
[0028]1、
沉淀室；
11、
靶材；
2、
磁控室；
21、
进气管；
22、
连接管；
23、
磁铁；
3、
压环装置；
31、
环形本体；
32、
通孔；
33、
卡槽；
34、
固定圆台；
35、
伸出板；
36、
保护环；
37、
凸出台；
38、
凹槽；
39、
条形板；
310、
紧锁盘；
311、
定位紧锁孔；
4、
定位装置；
41、
定位销；
42、
螺纹孔；
43、
螺栓；
44、
调节手轮；
46、
刻度尺
。
[0029]本技术目的的实现
、
功能特点及优点将结合实施例，参照附图做进一步说明
。
具体实施方式
[0030]下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行
清楚
、
完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例
。
基于本技术中的实本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种物理气相沉淀设备，包括沉淀室
(1)
，其特征在于：所述沉淀室
(1)
上方设有磁控室
(2)
，所述磁控室
(2)
外壁底端固定连接靶材
(11)
，所述连接靶材
(11)
下方上设置有压环装置
(3)
，所述压环装置
(3)
包括：固定圆台
(34)
，所述固定圆台
(34)
底部固定连接在沉淀室
(1)
内壁底端；环形本体
(31)
，所述环形本体
(31)
与所述固定圆台
(34)
相连通；通孔
(32)
，所述通孔
(32)
贯穿环形本体
(31)
的侧壁；及卡槽
(33)
，所述卡槽
(33)
环形设置在环形本体
(31)
的外壁上
。2.
根据权利要求1所述的一种物理气相沉淀设备，其特征在于：所述固定圆台
(34)
的底部设有若干环形设置的凹槽
(38)
，且相邻两个所述凹槽
(38)
之间围成的面积相等，所述环形本体
(31)
的内环边缘位置固定连接有伸出板
(35)
，所述伸出板
(35)
的个数为四个，相邻两个所述伸出板
(35)
之间形成的弧长相等，且两个相邻所述伸出板
(35)
之间均设有凸出台
(37)
，其中，所述凸出台
(37)
和所述伸出板
(35)
均与所述环形本体
(31)
的平面平行，所述凸出台
(37)
的形状为梯形结构
。3....

【专利技术属性】
技术研发人员：刘娜，
申请(专利权)人：刘娜，
类型：新型
国别省市：