一种基于射流和半导体制冷耦合冷却的平面磁控溅射靶制造技术

本申请涉及磁控溅射技术领域，特别是涉及一种基于射流和半导体制冷耦合冷却的平面磁控溅射靶，其包括基座组件

【技术实现步骤摘要】
一种基于射流和半导体制冷耦合冷却的平面磁控溅射靶


[0001]本申请涉及磁控溅射
，特别是涉及一种基于射流和半导体制冷耦合冷却的平面磁控溅射靶
。

技术介绍

[0002]磁控溅射是一种应用十分广泛的薄膜沉积技术，溅射技术上的不断发展和对新功能薄膜的探索研究，使磁控溅射应用延伸到许多生产和科研领域
。
[0003]传统平面磁控溅射靶根据靶材的形状分为圆形靶材以及矩形靶材，一般采用层流换热结构进行冷却，同时，为方便靶材更换，在传统磁控溅射靶结构中，一般将靶材安装在靶材固定板上，通过靶材固定板与散热介质接触对靶材进行非直接接触式散热，导致换热效率低，导热率低的靶材容易在溅射过程中因为温度过高而开裂，即相关技术中的层流冷却和非直接接触式换热结构存在散热效率低的缺陷
。

技术实现思路

[0004]为了改善相关技术中磁控溅射靶散热效率低的问题，本技术提供一种基于射流和半导体制冷耦合冷却的平面磁控溅射靶
。
[0005]一种基于射流和半导体制冷耦合冷却的平面磁控溅射靶，包括基座组件
、
安装在所述基座组件的导磁组件以及安装在所述导磁组件的靶材组件，所述导磁组件包括安装在所述基座组件的导磁座以及安装在所述导磁座的靶材安装座，所述导磁座内具有进水槽以及与所述进水槽连通的出水槽，还包括冷却组件，所述冷却组件包括安装在所述靶材安装座的半导体冷却片，所述半导体冷却片具有热端以及冷端，所述半导体冷却片的热端朝向所述导磁座的进水槽，所述半导体冷却片的冷端与所述靶材组件贴合
。
[0006]进一步的，所述靶材安装座开设有冷却片限位槽，所述半导体冷却片嵌合安装在所述冷却片限位槽中
。
[0007]进一步的，所述冷却组件还包括射流孔板，所述射流孔板安装在所述导磁座，所述射流孔板位于所述进水槽以及所述半导体冷却片之间，所述射流孔板开设有若干导向孔
。
[0008]进一步的，所述导磁座上开设有用于配合所述射流孔板的孔板限位槽，所述射流孔板嵌合安装在所述孔板限位槽中
。
[0009]进一步的，所述冷却组件还包括温度传感器，所述温度传感器位于所述出水槽中
。
[0010]进一步的，所述导磁座上开设有用于配合安装所述温度传感器的安装孔，所述温度传感器嵌合安装在所述安装孔中
。
[0011]进一步的，所述靶材组件包括安装在所述靶材安装座的靶材件以及靶压盖，所述靶材件与所述半导体冷却片贴合
。
[0012]进一步的，所述基座组件包括靶基座以及安装在所述靶基座的绝缘板，所述导磁座安装在所述绝缘板上
。
[0013]本技术，具有以下优点：
[0014]1.
本技术提供一种基于射流和半导体制冷耦合冷却的平面磁控溅射靶，在导磁组件以及靶材组件之间设置冷却组件，冷却组件包括安装在靶材安装座的半导体冷却片，同时半导体片贴合靶材组件，对靶材进行直接接触式散热，利用半导体冷却片冷却率高的特性，当水流从进水槽中出来后，水流会与半导体冷却片热端接触，带走半导体冷却片热端的热量，从而在保证靶材便于更换的情况下，提高冷却效果
。
本技术利用半导体制冷技术结构紧凑
、
控温精度高
、
无需制冷剂
、
可连续工作
、
无污染等优点，以及射流换热效率高
、
便于集成的优点，将两种技术相结合，提出一种基于射流与半导体制冷相耦合
、
直接接触式冷却的磁控溅射靶结构，可有效提升靶材冷却效果，有效解决相关技术中的层流冷却和非直接接触式换热结构存在散热效率低的缺陷
。
[0015]2.
本技术一种基于射流和半导体制冷耦合冷却的平面磁控溅射靶，在设置半导体冷却片的基础上，在导磁座上安装射流孔板，当水流从进水槽中射出时，水流通过射流孔板在压力作用下会形成射流，从而对半导体冷却片的热端进行更高效的冷却，进一步提高冷却效率
。
[0016]3.
本技术一种基于射流和半导体制冷耦合冷却的平面磁控溅射靶，在设置半导体冷却片以及射流孔板的基础上，还设置有温度传感器，通过温度传感器可以方便的得知出水槽中的水温，同时还可根据温度传感器的水温调节进水槽的出水量，从而提高或降低冷却效率，使得靶材件位于恒定的温度下进行运转，保证靶材件不易损坏
。
附图说明
[0017]为了更清楚地说明本申请实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图
。
[0018]图1为本申请实施例一种基于射流和半导体制冷耦合冷却的平面磁控溅射靶的剖面示意图；
[0019]图2为图1中基座组件
、
导磁组件以及靶材组件的剖面示意图
。
[0020]附图标记说明：
[0021]1、
基座组件；
11、
靶基座；
12、
绝缘板；
2、
导磁组件；
21、
导磁座；
211、
进水槽；
212、
出水槽；
213、
内磁柱；
214、
外磁环；
215、
孔板限位槽；
216、
安装孔；
22、
靶材安装座；
221、
冷却片限位槽；
3、
靶材组件；
31、
靶材件；
32、
靶压盖；
4、
冷却组件；
41、
半导体冷却片；
42、
射流孔板；
43、
温度传感器
。
具体实施方式
[0022]为使本申请的上述目的
、
特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图对本申请的具体实施方式做详细的说明
。
在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本申请
。
但是本申请能够以很多不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本申请内涵的情况下做类似改进，因此本申请不受下面公开的具体实施例的限制
。
[0023]在本申请的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时
针”、“逆时针”、“轴向”、“径向”、“周向”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位
...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种基于射流和半导体制冷耦合冷却的平面磁控溅射靶，包括基座组件
(1)、
安装在所述基座组件
(1)
的导磁组件
(2)
以及安装在所述导磁组件
(2)
的靶材组件
(3)
，所述导磁组件
(2)
包括安装在所述基座组件
(1)
的导磁座
(21)
以及安装在所述导磁座
(21)
的靶材安装座
(22)
，所述导磁座
(21)
内具有进水槽
(211)
以及与所述进水槽
(211)
连通的出水槽
(212)
，其特征在于，还包括冷却组件
(4)
，所述冷却组件
(4)
包括安装在所述靶材安装座
(22)
的半导体冷却片
(41)
，所述半导体冷却片
(41)
具有热端以及冷端，所述半导体冷却片
(41)
的热端朝向所述导磁座
(21)
的进水槽
(211)
，所述半导体冷却片
(41)
的冷端与所述靶材组件
(3)
贴合
。2.
根据权利要求1所述的一种基于射流和半导体制冷耦合冷却的平面磁控溅射靶，其特征在于，所述靶材安装座
(22)
开设有冷却片限位槽
(221)
，所述半导体冷却片
(41)
嵌合安装在所述冷却片限位槽
(221)
中
。3.
根据权利要求1或2所述的一种基于射流和半导体制冷耦合冷却的平面磁控溅射靶，其特征在于，所述冷却组件
(4)
还包括射流孔板
(42)
，所述射流孔板
(42)
安装在所述导磁座
(21)
，所述射流孔板
(42)
位于所述进水槽
(211)
以及...

【专利技术属性】
技术研发人员：朱国，刘文玉，杜琪鑫，黄坜平，
申请(专利权)人：湖南城市学院，
类型：新型
国别省市：