SEM制造技术

本文公开了在扫描电子显微镜

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】SEM图像增强
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求于
2021
年3月
19
日提交的
EP
申请
21163831.7
的优先权，该申请的全部内容通过引用并入本文
。


[0003]本文中的描述涉及图像增强领域，并且具体涉及扫描电子显微镜
(SEM)
图像增强
。

技术介绍

[0004]在集成电路
(IC)
的制造过程中，对未完成或完成的电路部件进行检查，以确保它们根据设计被制造并且没有缺陷
。
可以采用使用光学显微镜或带电粒子
(
例如，电子
)
束显微镜
(
诸如扫描电子显微镜
(SEM))
的检查系统
。
随着
IC
部件的物理尺寸不断缩小并且其结构也变得越来越复杂，缺陷检测和检查的准确性和生产量变得越来越重要
。
[0005]然而，在检查电绝缘材料时，
SEM
图像的质量通常受到
SEM
诱导的充电伪影的影响
。
在
SEM
成像中用于减少
SEM
诱导的充电伪影的已知技术是对使用不同扫描方向获得的多个
SEM
图像进行平均
。
然而，期望对本领域进行进一步的改进
。

技术实现思路

[0006]根据本专利技术的第一方面，提供了一种降低扫描电子显微镜
(SEM)
图像中的样本充电效应的方法，方法包括：从参数为第一量的第一电子束扫描获得第一
SEM
图像；从参数为第二量第二电子束扫描获得第二
SEM
图像，第二量不同于第一量；以及基于卷积方程，生成经降低样本充电效应的图像，经降低样本充电效应的图像包括第一
SEM
图像的表示
、
第二
SEM
图像的表示
、
与第一
SEM
图像相对应的第一点扩散函数以及与第二
SEM
图像相对应的第二点扩散函数
。
[0007]根据本专利技术的第二方面，提供了一种降低扫描电子显微镜
(SEM)
图像中的样本充电效应的方法，方法包括：从参数为第一量的电子束扫描获得第一
SEM
图像；从参数为第二量的电子束扫描获得第二
SEM
图像，第二量不同于第一量；以及基于第一和第二卷积方程，生成经降低样本充电效应的图像；其中第一卷积方程包括：第一扫描电子显微镜图像的表示；以及与第一扫描电子显微镜图像相对应的第一充电点扩散函数；并且第二卷积方程包括：第二扫描电子显微镜图像的表示；以及与第二扫描电子显微镜图像相对应的第二充电点扩散函数
。
[0008]根据本专利技术的第三方面，提供了一种降低扫描电子显微镜
(SEM)
图像中的样本充电效应的方法，方法包括：从参数为第一量的第一电子束扫描获得第一
SEM
图像；从参数为第二量的第二电子束扫描获得第二
SEM
图像，第二量不同于第一量；使用卷积方程，从第一和第二
SEM
图像中检索点扩散函数；基于卷积方程，生成经降低样本充电效应的图像，卷积方程包括第一
SEM
图像的表示
、
第二
SEM
图像的表示以及所检索的点扩散函数
。
[0009]根据本专利技术的第四方面，提供了一种方法，包括：从参数为第一量的第一电子束扫
描获得第一
SEM
图像；从参数为第二量的第二电子束扫描获得第二
SEM
图像，第二量不同于第一量；以及根据第一电子束扫描和第二电子束扫描之间的样本充电效应的差异，基于卷积方程生成图像，卷积方程包括第一
SEM
图像的表示
、
第二
SEM
图像的表示
、
与第一
SEM
图像相对应的第一点扩散函数以及与第一点扩散函数有关的第二点扩散函数
。
附图说明
[0010]本公开的实施例的其它优点将从以下结合附图的描述中变得显而易见，其中通过例示和示例阐述了本专利技术的某些实施例
。
[0011]图1是图示了根据本公开的实施例的示例性电子束检查
(EBI)
系统的示意图
。
[0012]图2是图示了根据本公开的实施例的
、
可以是图1的示例性电子束检查系统的一部分的示例性电子束工具的示意图
。
[0013]图3是根据本公开的实施例的
SEM
诱导的充电效应的示例过程的图示
。
[0014]图4是根据本公开的实施例的生成
SEM
图像的方法的流程图
。
[0015]图5是根据本公开的实施例的生成
SEM
图像的方法的流程图
。
[0016]图
6a
是根据本公开的实施例的增强的
SEM
图像的图示
。
[0017]图
6b
是根据本公开的实施例的与第一扫描线相关联的波形的图示，其中第一扫描线与
SEM
图像相关联
。
[0018]图
6c
是根据本公开的实施例的与第二扫描线相关联的波形的图示，其中第二扫描线与
SEM
图像相关联
。
[0019]图
7a
是根据本公开的实施例的第一点扩散函数的图示
。
[0020]图
7b
是根据本公开的实施例的第二点扩散函数的图示
。
具体实施方式
[0021]现在将详细参考示例性实施例，示例性实施例的示例在附图中图示
。
以下描述参考附图，其中除非另有表示，否则不同附图中的相同附图标记表示相同或相似的元素
。
示例性实施例的以下描述中阐述的实现方式并不表示所有实现方式
。
相反，它们仅是与如所附权利要求中所记载的所公开的实施例有关的方面相一致的设备和方法的示例
。
例如，尽管一些实施例在利用电子束的上下文中描述，但本公开不限于此
。
其他类型的带电粒子束也可以类似地应用
。
此外，可以使用其他成像系统，诸如光学成像
、
照片检测
、X
射线检测等
。
[0022]电子器件由在被称为基板的硅片上形成的电路构成
。
许多电路可以在同一硅片上一起形成并且被称为集成电路或
IC。
这些电路的尺寸已显著减小，使得更多的电路可本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.
一种计算机程序产品，所述计算机产品包括其上记录有指令的非暂态计算机可读介质，所述指令在由计算机执行时，实现方法，所述方法包括：从参数为第一量的第一电子束扫描获得第一
SEM
图像；从所述参数为第二量的第二电子束扫描获得第二
SEM
图像，所述第二量不同于所述第一量；以及基于卷积方程，生成降低了样本充电效应的图像，所述卷积方程包括所述第一
SEM
图像的表示
、
所述第二
SEM
图像的表示
、
与所述第一
SEM
图像相对应的第一点扩散函数以及与所述第二
SEM
图像相对应的第二点扩散函数
。2.
根据权利要求1所述的计算机程序产品，其中生成所述降低了样本充电效应的图像的步骤包括：根据所述第一电子束扫描和所述第二电子束扫描之间的样本充电效应的差异，使所述第一点扩散函数与所述第二点扩散函数相关
。3.
根据权利要求1所述的计算机程序产品，其中生成所述降低了样本充电效应的图像的步骤包括：使用所述卷积方程，从所述第一
SEM
图像和所述第二
SEM
图像中检索所述第一点扩散函数和所述第二点扩展函数中的一者或两者
。4.
根据权利要求3所述的计算机程序产品，其中检索所述第一点扩散函数和所述第二点扩散函数中的一者或两者的步骤包括以参数化形式来表达所述点扩散函数
。5.
根据权利要求3所述的计算机程序产品，其中生成所述降低了样本充电效应的图像的步骤包括：使用所检索的所述点扩散函数以生成所述降低了样本充电效应的图像
。6.
根据权利要求1所述的计算机程序产品，其中所述参数是扫描方向
。7.
根据权利要求6所述的计算机程序产品，其中所述第一量是第一方向并且其中所述第二量是与所述第一方向相对的第二方向
。8.
根据权利要求7所述的计算机程序产品，其中所述第二点扩散函数是所述第一点扩散函数关于与表示平行于所述第一方向的方向的轴正交的平面的反射
。9.
根据权利要求1所述的计算机程序产品，其中所述参数是扫描速度
。10.
根据权利要求1所述的计算机程序产品，其中所述参数是电子束电...

【专利技术属性】
技术研发人员：S，
申请(专利权)人：ASML，
类型：发明
国别省市：