一种含咔唑基团的化合物及其有机电致发光器件制造技术

技术编号:39713582 阅读:9 留言:0更新日期:2023-12-17 23:22
本发明专利技术提供了一种含咔唑基团的化合物及其有机电致发光器件,涉及有机电致发光材料技术领域

【技术实现步骤摘要】
一种含咔唑基团的化合物及其有机电致发光器件


[0001]本专利技术涉及有机电致发光材料
,具体涉及一种含咔唑基团的化合物及其有机电致发光器件


技术介绍

[0002]有机发光二极管
(organic light emitting diode,OLED)
显示器的作为新一代的平面显示器,具有自发光

视角广

反应时间短

发光效率高

色域广

工作电压低

面板薄

尺寸设计灵活

形状设计灵活及制备方法简单等特性,而且具有价格成本低的潜力

被誉为
21
世界的明星平面显示器产品,也被业内人士称为“梦幻般的显示器”。
随着有机发光技术的不断发展,人们把大量的人力

物力投入在材料

器件结构以及工艺等方面的研究,并且取得了长足的进步,其中的研究成果已经成功地商业化

因而,研发一系列新型有机电致发光材料尤为重要

[0003]OLED
通常包含阳极

阴极和有机物层
。OLED
的有机物层可以包含空穴注入层

空穴传输层

发光层

电子传输层

电子注入层

覆盖层等

其中空穴传输层作为阳极和发光层之间的连接层,主要起两个作用:一是将阳极注入的空穴更好的输运至发光层并且在一定程度上阻挡电子由发光层向空穴传输层的扩散,更好的将电子限制在发光层内,实现载流子的最大复合;二是同时降低空穴在注入过程中的能量势垒,提高空穴的注入效率,从而提高器件的亮度

效率和寿命

然而,传统意义上所应用的空穴传输材料由于具有较低的
HOMO
值和三线态能级,造成发光层内电荷不均衡,导致其无法展现出令人满意的发光效率;从而制约了它们在
OLED
等领域的应用和发展

此外,由于空穴传输层材料的玻璃化转变温度较低,导致器件的使用寿命大大降低

因此,设计一类具有良好的成膜性和热稳定性


HOMO
值及三线态能级

高空穴传输率,同时具备电子阻挡能力的空穴传输材料是十分必要的

[0004]就国内的
OLED
产业来看,
OLED
目前还处于起步阶段,在驱动电压

发光效率以及使用寿命方面都存在许多不足,因此,需要投入更多的基础研究,不断开发合成更高效的有机电致发光材料


技术实现思路

[0005]针对现有技术中存在的上述问题,本专利技术提供了一种含咔唑基团的化合物,可有效降低有机电致发光器件的驱动电压

提高有机电致发光器件的发光效率及使用寿命

具体的,本专利技术的技术方案如下:
[0006]具体而言,本专利技术提供一种含咔唑基团的化合物,所述含咔唑基团的化合物具有化学式1的结构,
[0007][0008]所述
Ra
选自
Si(R0)3;
[0009]所述
R0相同或不同的选自取代或未取代的
C1

C12
的烷基

取代或未取代的
C3

C12
的环烷基

取代或未取代的
C6

C30
的芳基中的任意一种或其组合;所述
m
选自
1、2、3、4、5、6、7、8、9、10

11

[0010]所述
Rb
选自氘

取代或未取代的金刚烷基

取代或未取代的降冰片烷基

取代或未取代的莰烷基中的任意一种或其组合;当存在两个或多个
Rb
时,两个或多个
Rb
之间彼此相同或不同;所述
n
选自
1、2、3、4、5、6、7、8、9、10

11

[0011]所述
Ar
选自取代或未取代的
C1

C12
的烷基

取代或未取代的
C3

C12
的环烷基

取代或未取代的
C6

C30
的芳基中的任意一种或其组合;
[0012]所述
Ar1、Ar2独立地选自取代或未取代的
C6

C30
的亚芳基;
[0013]所述
L0、L1、L2相同或不同的选自单键

取代或未取代的
C6

C30
的亚芳基中的任意一种;
[0014]所述
R1、R2相同或不同的选自氢





卤素

氰基

硝基

取代或未取代的
C1

C12
的烷基

取代或未取代的
C3

C12
的环烷基

取代或未取代的
C6

C30
的芳基

取代或未取代的甲硅烷基中的任意一种或其组合,或者两个相邻的
R1之间彼此连接形成取代或未取代的环

两个相邻的
R2之间彼此连接形成取代或未取代的环;所述
a
选自
0、1、2、3
或4;所述
b
选自
0、1、2

3。
[0015]本专利技术还提供了一种有机电致发光器件,所述有机电致发光器件包含阳极

阴极以及位于阳极和阴极之间的有机物层,所述的有机物层包括空穴传输区域

发光层

电子传输区域,所述空穴传输区域含本专利技术所述的含咔唑基团的化合物中的任意一种或一种以上

[0016]有益效果
[0017]本专利技术提供一种含咔唑基团的化合物,该化合物具有合适的
HOMO
能级以及较高的三线态能级,具备较高的空穴传输率

此外,该化合物玻璃化转变温度以及分解温度较高,具有较好的成膜性

本专利技术提供的含咔唑基团的化合物能够有效降低有机电致发光器件的驱动电压...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种含咔唑基团的化合物,其特征在于,所述含咔唑基团的化合物选自化学式1所示结构,所述
Ra
选自
Si(R0)3;所述
R0相同或不同的选自取代或未取代的
C1

C12
的烷基

取代或未取代的
C3

C12
的环烷基

取代或未取代的
C6

C30
的芳基中的任意一种或其组合;所述
m
选自
1、2、3、4、5、6、7、8、9、10

11
;所述
Rb
选自氘

取代或未取代的金刚烷基

取代或未取代的降冰片烷基

取代或未取代的莰烷基中的任意一种或其组合;当存在两个或多个
Rb
时,两个或多个
Rb
之间彼此相同或不同;所述
n
选自
1、2、3、4、5、6、7、8、9、10

11
;所述
Ar
选自取代或未取代的
C1

C12
的烷基

取代或未取代的
C3

C12
的环烷基

取代或未取代的
C6

C30
的芳基中的任意一种或其组合;所述
Ar1、Ar2独立地选自取代或未取代的
C6

C30
的亚芳基;所述
L0、L1、L2相同或不同的选自单键

取代或未取代的
C6

C30
的亚芳基中的任意一种;所述
R1、R2相同或不同的选自氢





卤素

氰基

硝基

取代或未取代的
C1

C12
的烷基

取代或未取代的
C3

C12
的环烷基

取代或未取代的
C6

C30
的芳基

取代或未取代的甲硅烷基中的任意一种或其组合,或者两个相邻的
R1之间彼此连接形成取代或未取代的环

两个相邻的
R2之间彼此连接形成取代或未取代的环;所述
a
选自
0、1、2、3
或4;所述
b
选自
0、1、2

3。2.
根据权利要求1所述的含咔唑基团的化合物,其特征在于,所述
Ra
选自如下所示基团中的任意一种,
所述
R3相同或不同的选自氢





卤素

氰基

硝基

取代或未取代的
C1

C12
的烷基

取代或未取代的
C3

C12
的环烷基

取代或未取代的
C6

C30
的芳基

取代或未取代的甲硅烷基中的任意一种或其组合;当存在两个或多个
R3时,两个或多个
R3之间彼此相同或不同,或者两个相邻的
R3之间彼此连接形成取代或未取代的环;所述
c1相同或不同的选自
0、1、2、3、4
或5;所述
c2相同或不同的选自
0、1、2、3、4、5、6、7、8
或9;所述
c3相同或不同的选自
0、1、2、3、4、5、6
或7;所述
c4相同或不同的选自
0、1、2、3、4、5、6、7、8、9、10

11
;所述
c5相同或不同的选自
0、1、2、3、4、5、6、7、8、9、10、11、12

13。3.
根据权利要求1所述的含咔唑基团的化合物,其特征在于,所述
Rb
选自氘或如下所示基团中的任意一种,基团中的任意一种,所述
R4选自氢





卤素

氰基

硝基

三甲基甲硅烷基

三乙基甲硅烷基

三异丙基甲硅烷基

三叔丁基甲硅烷基

叔丁基二甲基甲硅烷基

乙烯基二甲基甲硅烷基

丙基二甲基
甲硅烷基

三苯基甲硅烷基

二苯基甲硅烷基

苯基甲硅烷基

取代或未取代的下列基团:甲基

乙基

正丙基

异丙基

正丁基

异丁基

叔丁基

环丙烷基

环丁烷基

环戊烷基

环己烷基

环庚烷基

金刚烷基

降冰片烷基

莰烷基

苯基

联苯基

三联苯基

萘基

蒽基

菲基

三亚苯基

苯并环丙烷基

苯并环丁烷基

苯并环戊烷基

苯并环己烷基

芴基中的任意一种或其组合;当存在两个或多个
R4时,两个或多个
R4之间彼此相同或不同,或者两个相邻的
R4之间彼此连接形成取代或未取代的环;所述
d
选自
0、1、2、3、4

5。4.
根据权利要求1所述的含咔唑基团的化合物,其特征在于,所述
Ar1‑
(Ra)m
选自如下所示基团中的任意一种,所述
R5相同或不同的选自氢





卤素

氰基

硝基

取代或未取代的
C1

C12
的烷基

取代或未取代的
C3

C12
的环烷基

取代或未取代的
C6

C30
的芳基

取代或未取代的甲硅烷基中的任意一种或其组合;当存在两个或多个
R5时,两个或多个
R5之间彼此相同或不同,或者两个相邻的
R5之间彼此连接形成取代或未取代的环;所述
e1选自
0、1、2、3
或4;所述
e2选自
0、1、2、3、4、5
或6;所述
e3选自
0、1、2、3、4、5、6、7
或8;所述
e4选自
0、1、2、3、4
或5;所述<...

【专利技术属性】
技术研发人员:李梦茹韩春雪周雯庭
申请(专利权)人:长春海谱润斯科技股份有限公司
类型:发明
国别省市:

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