本申请公开了晶体加工装置，晶体加工装置包括机台、滚圆组件、修整组件、开槽组件和夹持组件。其中，所述滚圆组件的相对两侧分别设有所述修整组件和所述夹持组件；所述夹持组件的一侧设有所述开槽组件；所述滚圆组件、所述修整组件、所述开槽组件和所述夹持组件设于所述机台上。通过上述方式，本申请晶体加工装置可以同时完成晶体滚圆、修整和开槽工作，提高了晶体加工的效率。晶体加工的效率。晶体加工的效率。
【技术实现步骤摘要】
晶体加工装置
[0001]本申请涉及晶体加工
，特别是涉及晶体加工装置。
技术介绍
[0002]晶体的粗加工是晶体制备流程中的一道工艺。大部分晶体在出炉后，外表呈不规则状，具有很多缺陷，晶体的粗加工则是对晶体加工成规则的圆柱形，去除表面的缺陷的步骤。
[0003]晶体的粗加工一般指在研磨设备中使用金属结合剂砂轮研磨晶体。随着加工量的增大，金属结合剂砂轮表面会变的愈发粗糙，导致出现难以研磨晶体、加工效率低下等问题，甚至在研磨时会导致晶体一直受挤压而崩角或开裂。在相关技术中，常常通过人工修整砂轮，但是人工修整砂轮耗时耗力，且修整对刀增加了撞机的风险，可能导致修整盘甚至砂轮的损坏。此外，晶体滚圆后需要进一步进行开槽加工，将晶体从研磨设备中拆除安装至开槽设备中，费时费力，机械成本昂贵。
技术实现思路
[0004]本申请主要解决的技术问题是提供一种晶体加工装置，能够实现晶体加工时砂轮修复、晶体开槽的一体化。
[0005]为解决上述技术问题，本申请采用的一个技术方案是：一种晶体加工装置，包括：
[0006]机台、滚圆组件、修整组件、开槽组件和夹持组件；
[0007]其中，所述滚圆组件的相对两侧分别设有所述修整组件和所述夹持组件；所述夹持组件的一侧设有所述开槽组件；所述滚圆组件、所述修整组件、所述开槽组件和所述夹持组件设于所述机台上。
[0008]本申请的有益效果是：区别于现有技术的情况，本申请的晶体加工装置包括机台、滚圆组件、修整组件、开槽组件和夹持组件。机台、滚圆组件、修整组件、开槽组件和夹持组件设置在机台上，修整组件和夹持组件设置在滚圆组件的相对两侧。其中，夹持组件可以用于夹持晶体，滚圆组件可以对夹持组件上的晶体进行研磨，修整组件可以对滚圆组件进行修整。夹持组件的一侧设有开槽组件，开槽组件可以对夹持组件夹持的晶体进行开槽。通过上述方式，本申请的晶体加工装置能够实现晶体研磨、砂轮修整以及晶体开槽的一体化，节省了加工设备机械成本，也提高晶体加工效率和晶体生产效率，同时降低人为事故的发生的概率。
附图说明
[0009]图1是本申请晶体加工装置的结构示意图；
[0010]图2是本申请晶体加工装置俯视图。
具体实施方式
[0011]下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅是本申请的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
[0012]在本文中提及“实施例”意味着，结合实施例描述的特定特征、结构或特性可以包含在本申请的至少一个实施例中。在说明书中的各个位置出现该短语并不一定均是指相同的实施例，也不是与其它实施例互斥的独立的或备选的实施例。本领域技术人员显式地和隐式地理解的是，本文所描述的实施例可以与其它实施例相结合。
[0013]请参阅图1，图1是本申请晶体加工装置的结构示意图，图2是本申请晶体加工装置俯视图。
[0014]加工装置10包括机台100、滚圆组件200、修整组件300、开槽组件400和夹持组件500。
[0015]在本实施例中，加工装置10是一种用于对晶体进行粗加工的产品。
[0016]晶体是由大量微观物质，如原子、离子、分子等按一定规则有序排列构成，内部结构非常规律，可以分为原子晶体、离子晶体、分子晶体和金属晶体，通常用来制作半导体材料。在制作半导体材料时，由于半导体材料形状的特殊性，需要对晶体进行滚圆、开槽等一系列加工。
[0017]本实施例中的晶体20以第三代半导体碳化硅为例。第三代半导体碳化硅具有化学性质稳定、导热系数高、热膨胀系数小、耐磨性能好等性质，是第三代半导体的典型代表，是高温、高频、抗辐射、大功率应用场合下理想的宽禁带半导体材料，可应用于电网、轨道交通、电动汽车、充电桩等领域。由于碳化硅具有高硬度、高脆性，因此碳化硅衬底的粗加工是所有加工工序中的第一步，为后续的衬底加工和外延封装奠定了基础。
[0018]在本实施例中，夹持组件500设置在机台100上，夹持组件500用于夹持晶体20，晶体20被固定在夹持组件500上。
[0019]具体而言，夹持组件500可以包括第一夹持件510和第二夹持件520，第一夹持件510和第二夹持件520设置在机台100上，且第一夹持件510和第二夹持件520相对设置，晶体20夹持于第一夹持件510和第二夹持件520之间。第一夹持件510和第二夹持件520之间的距离可以相对调整，通过调整第一夹持件510和第二夹持件520之间的距离，可以夹持不同厚度的的晶体。
[0020]滚圆组件200设置在机台100上，位于夹持组件500的一侧。滚圆组件200用于研磨晶体20，将晶体20的表面缺陷研磨平整。
[0021]具体而言，滚圆组件200包括第一电机210和第一砂轮220，第一电机210和第一砂轮220连接，第一砂轮220可以在第一电机210的控制下转动。
[0022]第一砂轮220设置在夹持组件500和晶体20的一侧，第一砂轮220在第一电机210的驱动下对晶体20进行研磨，将晶体20的研磨成平整的柱体。
[0023]可选地，第一砂轮220为金属结合剂砂轮，可以通过对将磨粒分散在金属结合剂粉末中，例如铜、锡、银粉末等中得到的砂轮材料，再对砂轮材料进行烧结而形成第一砂轮220。
[0024]在本实施例中，第一电机210包括第一旋转轴211，第一旋转轴211为第一电机210的输出轴，第一旋转轴211穿过第一砂轮220的轮心，与第一砂轮220固定连接，第一旋转轴211自转带动第一砂轮220旋转。
[0025]在相关技术中，金属结合剂砂轮表面会变的愈发粗糙，导致出现难以研磨晶体、加工效率底下等问题，甚至在研磨时会导致晶体一直受挤压而崩角或开裂。
[0026]在本实施例中，滚圆组件200远离夹持组件500的一侧还设有修整组件300。
[0027]修整组件300用于修整滚圆组件200的第一砂轮220表面，使第一砂轮220的表面平整。
[0028]具体地，修整组件300包括修整件310和第二电机320。第二电机320设置于机台100，修整件310与第二电机320连接，修整件310在第二电机320的驱动下转动，对滚圆组件200的第一砂轮220表面进行修整。
[0029]可选地，修整件310是第二砂轮，第二砂轮为金属结合剂砂轮。
[0030]在本实施例中，第二电机320包括第二旋转轴321，第二旋转轴321为第二电机320的输出轴，第二旋转轴321穿过修整件310的轮心，与修整件310固定连接，第二旋转轴321自转带动修整件310转动。
[0031]因此，在本实施例中，滚圆组件200的第一砂轮220对夹持组件500中的晶体20进行滚圆后，可以移动至与修整件310接触，修整件310对第一砂轮220进行修整，降低本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种晶体加工装置，其特征在于，包括：机台、滚圆组件、修整组件、开槽组件和夹持组件；其中，所述滚圆组件的相对两侧分别设有所述修整组件和所述夹持组件；所述夹持组件的一侧设有所述开槽组件；所述滚圆组件、所述修整组件、所述开槽组件和所述夹持组件设于所述机台上。2.根据权利要求1所述的晶体加工装置，其特征在于，所述晶体加工装置包括控制组件，所述控制组件设于所述机台内；所述滚圆组件、所述修整组件、所述开槽组件和所述夹持组件均与所述控制组件电连接。3.根据权利要求2所述的晶体加工装置，其特征在于，所述晶体加工装置包括距离传感器，所述距离传感器用于测量所述滚圆组件和所述修整组件之间的位置关系，并与所述控制组件电连接。4.根据权利要求2所述的晶体加工装置，其特征在于，所述滚圆组件包括第一电机和第一砂轮，所述第一电机与所述第一砂轮连接，所述第一电机与所述控制组件电连接，所述控制组件可控制所述第一电机运转，所述第一电机可驱动所述第一砂轮运动。5.根据权利要求4所述的晶体加工装置，其特征在于，所述修整组件包括修整件和第二电...
【专利技术属性】
技术研发人员：程东鹏，张洁，
申请(专利权)人：湖南三安半导体有限责任公司，
类型：新型
国别省市：
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