一种晶圆蚀刻工艺的流量控制方法及系统技术方案

本公开提供了一种晶圆蚀刻工艺的流量控制方法及系统，涉及晶圆蚀刻技术领域，该方法包括：获取晶圆蚀刻概念图；生成待蚀刻区域坐标集；标定蚀刻速率信息；获取蚀刻剂滴头的单滴蚀刻剂质量；生成单位流量平面蚀刻预测范围；生成单位流量斜面蚀刻预测范围；生成蚀刻位置时序信息和蚀刻剂滴数时序信息；根据所述蚀刻位置时序信息和所述蚀刻剂滴数时序信息，控制所述蚀刻剂滴头对待蚀刻晶圆进行蚀刻，解决了现有技术中存在由于无法实现预先性的蚀刻状态预测，导致无法进行自适应的蚀刻参数调整的技术问题，由此通过对晶圆平面及斜面进行蚀刻剂的蚀刻范围预测，达到提升流量控制精度和控制准确性，进而提升蚀刻质量的技术效果

【技术实现步骤摘要】
一种晶圆蚀刻工艺的流量控制方法及系统


[0001]本公开涉及晶圆蚀刻
，具体涉及一种晶圆蚀刻工艺的流量控制方法及系统
。

技术介绍

[0002]晶圆刻蚀工艺是一种制造集成电路的重要工艺，其基本原理是将蚀刻液浸入晶圆表面，使其与晶圆表面发生化学反应，蚀刻液浸入过多会导致过度蚀刻，蚀刻液浸入过少会导致蚀刻效果不合格
。
传统的晶圆蚀刻工艺，无法实现预先性的蚀刻状态预测，导致无法进行自适应的蚀刻参数调整，进而导致蚀刻结果存在偏差
。
[0003]综上，现有技术中存在由于无法实现预先性的蚀刻状态预测，导致无法进行自适应的蚀刻参数调整，进而导致蚀刻流量控制效果不佳的技术问题
。

技术实现思路

[0004]本公开提供了一种晶圆蚀刻工艺的流量控制方法及系统，用以解决现有技术中存在由于无法实现预先性的蚀刻状态预测，导致无法进行自适应的蚀刻参数调整，进而导致蚀刻流量控制效果不佳的技术问题
。
[0005]根据本公开的第一方面，提供了一种晶圆蚀刻工艺的流量控制方法，包括：从用户端本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种晶圆蚀刻工艺的流量控制方法，其特征在于，应用于晶圆蚀刻工艺的流量控制系统，所述系统包括用户端和服务端，所述服务端和晶圆蚀刻装置通信连接，所述晶圆蚀刻装置包括蚀刻剂滴头，包括：从用户端，获取晶圆蚀刻概念图；构建待蚀刻晶圆数字孪生模型，在虚拟空间坐标系中进行定位，基于所述晶圆蚀刻概念图进行标记，生成待蚀刻区域坐标集；获取蚀刻剂配方信息，提取最低浓度反应物类型和预设反应温度，标定蚀刻速率信息；根据所述蚀刻剂配方信息，获取蚀刻剂滴头的单滴蚀刻剂质量；根据所述蚀刻速率信息和所述单滴蚀刻剂质量进行平面区域蚀刻范围预测，生成单位流量平面蚀刻预测范围；根据所述蚀刻速率信息和所述单滴蚀刻剂质量进行斜面区域蚀刻范围预测，生成单位流量斜面蚀刻预测范围；根据所述单位流量平面蚀刻预测范围和所述单位流量斜面蚀刻预测范围，结合所述待蚀刻区域坐标集进行蚀刻寻优，生成蚀刻位置时序信息和蚀刻剂滴数时序信息；根据所述蚀刻位置时序信息和所述蚀刻剂滴数时序信息，控制所述蚀刻剂滴头对待蚀刻晶圆进行蚀刻
。2.
如权利要求1所述的方法，其特征在于，根据所述蚀刻速率信息和所述单滴蚀刻剂质量进行平面区域蚀刻范围预测，生成单位流量平面蚀刻预测范围，包括：基于预设蚀刻滴液高度，结合所述蚀刻速率信息和所述单滴蚀刻剂质量进行待蚀刻晶圆材料的平面区域蚀刻样本采集，生成多个平面区域蚀刻样本，其中，所述多个平面区域蚀刻样本包括多个平面记录蚀刻范围；从所述多个平面记录蚀刻范围提取第一平面记录蚀刻范围和第二平面记录蚀刻范围，基于蚀刻平面和蚀刻剂初始位置进行重合，获取所述第一平面记录蚀刻范围和所述第二平面记录蚀刻范围的非重合像素数量比；当所述非重合像素数量比小于或等于非重合像素数量比阈值，将所述第一平面记录蚀刻范围和所述第二平面记录蚀刻范围，添加进相同平面蚀刻范围分组；当所述非重合像素数量比大于所述非重合像素数量比阈值，将所述第一平面记录蚀刻范围和所述第二平面记录蚀刻范围，添加进不同平面蚀刻范围分组；提取组内蚀刻范围记录数最大值的所述相同平面蚀刻范围分组的任意一个蚀刻范围，设为所述单位流量平面蚀刻预测范围
。3.
如权利要求1所述的方法，其特征在于，根据所述蚀刻速率信息和所述单滴蚀刻剂质量进行斜面区域蚀刻范围预测，生成单位流量斜面蚀刻预测范围，包括：构建斜面运动距离预测函数：
;
其中，表征斜面运动预测距离，表征重力加速度，表征斜面与垂直面的夹角值，表征单滴蚀刻剂质量，表征蚀刻速率信息，表征斜面摩擦系数，表征斜面加速度；
基于所述蚀刻速率信息和所述单滴蚀刻剂质量对斜面摩擦系数进行赋值，生成斜面摩擦系数赋值结果；结合所述斜面摩擦系数赋值结果和所述斜面运动距离预测函数，基于斜面与垂直面的预设夹角进行斜面运动预测，获取蚀刻剂斜面位置序列和蚀刻剂质量分布序列；基于所述蚀刻剂斜面位置序列和所述蚀刻剂质量分布序列进行蚀刻范围预测，生成所述单位流量斜面蚀刻预测范围
。4.
如权利要求3所述的方法，其特征在于，基于所述蚀刻速率信息和所述单滴蚀刻剂质量对斜面摩擦系数进行赋值，生成斜面摩擦系数赋值结果，包括：构建斜面摩擦系数统计公式：；其中，表征斜面摩擦系数，表征重力加速度，表征斜面与垂直面的夹角记录值，表征单滴蚀刻剂在斜面上的运动加速度监测值；根据所述斜面摩擦系数统计公式，基于所述蚀刻速率信息和所述单滴蚀刻剂质量进行斜面区域蚀刻样本采集，生成多个斜面夹角记录值和多个蚀刻剂加速度记录值；根据所述多个斜面夹角记录值和所述多个蚀刻剂加速度记录值，结合所述斜面摩擦系数统计公式进行摩擦系数分析，生成摩擦系数赋值结果
。5.
如权利要求4所述的方法，其特征在于，根据所述多个斜面夹角记录值和所述多个蚀刻剂加速度记录值，结合所述斜面摩擦系数统计公式进行摩擦系数分析，生成摩擦系数赋值结果，包括：根据所述多个斜面夹角记录值和所述多个蚀刻剂加速度记录值，结合所述斜面摩擦系数统计公式进行摩擦系数统计，生成多个摩擦系数统计值；对所述多个摩擦系数统计值进行方差统计，生成摩擦系数分布方差；当所述摩擦系数分布方差大于或等于方差阈值，删除所述多个摩擦系数统计值的最大值或
/
和最小值，直到所述摩擦系数分布方差小于所述方差阈值，获取摩擦系数分选结果；对所述摩擦系数分选结果进行均值计算，生成所述摩擦系数赋值结果
。6.
如权利要求1所述的方法，其特征在于，根据所...

【专利技术属性】
技术研发人员：梅力，胡朗，胡冬云，
申请(专利权)人：江苏卓玉智能科技有限公司，
类型：发明
国别省市：