用于制造具有腔室的器件的方法和具有腔室的器件技术

提出一种器件

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于制造具有腔室的器件的方法和具有腔室的器件
[0001]提出一种具有至少一个腔室的器件
。
此外，还提出一种用于制造器件
、
特别是具有至少一个腔室或具有多个腔室的器件的方法
。
[0002]在例如呈显示器形式的光电子器件中，在每个发射点周围
(
例如在每个图像点
(
像素
)
周围产生匹配的反射环境，所述反射环境适合于射束成形
。
这种器件通常具有腔室，在所述腔室中布置有各个发光半导体芯片，例如发光半导体二极管或微型
LED。
如果腔室具有小于或略大于半导体芯片的通常竖直高度的竖直深度，则能够在安装半导体芯片前产生腔室
。
腔室的侧壁能够设置有薄的辐射反射的金属层
。
同时，这种金属层能够被设计用于电接触布置在腔室中的半导体芯片
。
然而，这导致了一个潜在的风险，即在半导体芯片电布线期间以及在器件运行期间可能发生短路
。
[0003]已经确认的是：腔室越深，就越能够更好地实现期望的前向发射
。
因此，期望一种腔室，其深度明显大于布置在腔室中的半导体芯片的竖直高度
。
然而，更深的腔室阻碍了半导体芯片的安置和布线，因为必须克服更大的地形差异
。
[0004]一个目的是提出一种器件，特别是呈显示器形式的光电子器件，其具有高紧凑性
、
改进的光束成形特性和更高的抗电短路稳定性
。
另一个目的是提出一种用于制造器件
、
特别是在此描述的器件的可靠且成本有效的方法
。
[0005]该目的通过根据独立权利要求所述的器件和根据另一个独立权利要求所述的用于制造器件的方法来实现
。
器件或方法的其他设计方案和改进方案是从属权利要求的主题
。
[0006]根据器件的至少一个实施方式，所述器件具有载体
、
至少一个半导体芯片和覆盖层
。
覆盖层例如布置在载体上并且具有腔室，半导体芯片布置在所述腔室中
。
特别地，半导体芯片被设计用于产生红外
、
可见或紫外光谱范围内的电磁辐射
。
半导体芯片能够是微型
LED。
覆盖层具有竖直高度，所述竖直高度例如根据覆盖层的横向位置而不同
。
覆盖层能够在中间层的位置处具有减小的竖直高度
。
[0007]为了清楚起见，下面通常仅结合至少一个半导体芯片和覆盖层中的至少一个腔室来描述器件
。
然而，可行的是：这种器件具有单个半导体芯片和覆盖层中的单个腔室，或者具有覆盖层中的多个腔室和多个半导体芯片
。
下面结合一个半导体芯片和一个腔室描述的器件特征意义上能够类似地用于具有多个半导体芯片和覆盖层中的多个腔室的器件
。
例如，半导体芯片中的恰好一个或多个半导体芯片布置在腔室中的每个中
。
器件能够是光电子器件，特别是显示器
。
具有布置在其中的半导体芯片的每个腔室能够形成器件的图像点，即像素
。
[0008]根据器件的至少一个实施方式，所述器件具有中间层
。
例如，中间层电绝缘地构成
。
沿竖直方向，中间层能够局部地布置在载体与覆盖层之间
。
中间层和
/
或覆盖层可以局部地直接布置在载体上
。
中间层能够沿横向方向延伸到一个或多个腔室中
。
例如，中间层与布置在腔室中的半导体芯片邻接，尤其是直接邻接
。
[0009]在俯视图中，在腔室内，中间层能够不由覆盖层覆盖
。
在腔室之外，中间层能够由覆盖层覆盖，特别是完全覆盖
。
如果覆盖层具有多个腔室，则中间层能够具有多个子层
、
特
别是多个横向间隔开的子层，其中子层分别延伸到腔室之一中或延伸穿过腔室之一
。
横向方向应被理解为尤其平行于载体的主延伸面伸展的方向
。
竖直方向应被理解为尤其垂直于载体的主延伸面定向的方向
。
竖直方向和横向方向彼此正交
。
[0010]在器件的至少一个实施方式中，所述器件具有载体
、
至少一个半导体芯片
、
中间层和覆盖层
。
半导体芯片
、
中间层和覆盖层布置在载体上
。
覆盖层具有至少一个腔室，半导体芯片布置在所述至少一个腔室中
。
中间层沿竖直方向局部地布置在载体与覆盖层之间
。
中间层沿横向方向延伸到腔室中，其中中间层与半导体芯片邻接，特别是与布置在腔室中的半导体芯片直接邻接
。
[0011]使用尤其电绝缘地构成的中间层，能够在很大程度上避免或排除半导体芯片的电引线或端子之间的短路风险
。
在器件的制造过程中，芯片的转移能够在平坦的表面上进行，进而不需要复杂的阶梯式冲压，该阶梯式冲压对定位精度产生负面影响
。
半导体芯片与预设安装面的持久连接是可复现的并且能够明显更可靠地构成
。
始于半导体芯片前侧的布线只需克服最小的地形
。
此外，还能够产生明显更深的腔室
。
这允许射束成形的更多可能性并且尤其是允许更强的前向发射
。
[0012]另外，腔室的内壁或侧壁能够以简单的方式和方法设置反射材料，其中反射材料能够独立于电接触层的材料来选择
。
这种自由度尤其允许省去可能的覆盖层，否则建议使用所述覆盖层，以例如用于更可靠地生成芯片互连或所需的绝缘
。
在没有这样的覆盖层的情况下，对于腔室的侧壁能够实现明显更高的反射率
。
[0013]根据器件的至少一个实施方式，中间层在横向方向上完全包围半导体芯片
。
中间层能够部分或完全覆盖半导体芯片的侧面
。
特别地，半导体芯片的前侧或后侧不被中间层覆盖，尤其是除了在半导体芯片下方始于其侧边缘的空腔外
。
所述空腔能够部分或完全由中间层填充
。
[0014]根据器件的至少一个实施方式，中间层具有比半导体芯片的横向宽度大的横向宽度
。
中间层能够在横向方向上完全地或仅部分地包围半导体芯片
。
例如，中间层沿半导体芯片的整个宽度完全覆盖半导体芯片的至少一个侧面
。
半导体芯片的另外的侧面能够仅局部地由中间层覆盖或者不由中间层覆盖
。
[0015]根据器件的至少一个实施方式，中间层具有比半导体芯片的横向宽度小的横向宽度
。
例如，中间层仅部分覆盖半导体芯片的侧面
。本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.
一种器件
(10)
，具有载体
(1)、
至少一个半导体芯片
(2)、
中间层
(3)
和覆盖层
(4)
，其中
‑
所述半导体芯片
(2)、
所述中间层
(3)
和所述覆盖层
(4)
布置在所述载体
(1)
上，
‑
所述覆盖层
(4)
具有至少一个腔室
(40)
，所述半导体芯片
(2)
布置在所述至少一个腔室中，
‑
所述中间层
(3)
电绝缘地构成，并且沿竖直方向局部地布置在所述载体
(1)
与所述覆盖层
(4)
之间，
‑
所述中间层
(3)
沿横向方向延伸到所述腔室
(40)
中，并且与所述半导体芯片
(2)
邻接，并且
‑
所述覆盖层
(4)
具有竖直高度
(4H)
，所述竖直高度根据所述覆盖层
(4)
的横向位置而不同，并且在所述中间层
(3)
的位置处具有减小的竖直高度
(4H)。2.
根据权利要求1所述的器件
(10)
，其中，所述中间层
(3)
在横向方向上完全包围所述半导体芯片
(2)。3.
根据权利要求1所述的器件
(10)
，其中，所述中间层
(3)
具有比所述半导体芯片
(2)
的横向宽度
(2B)
大的横向宽度
(3B)
，其中所述中间层
(3)
在横向方向上仅部分包围所述半导体芯片
(2)。4.
根据权利要求1所述的器件
(10)
，其中，所述中间层
(3)
具有比所述半导体芯片
(2)
的横向宽度
(2B)
小的横向宽度
(3B)
，其中所述中间层
(3)
仅部分覆盖所述半导体芯片
(2)
的侧面
(2S)。5.
根据前述权利要求之一所述的器件
(10)
，其中，所述半导体芯片
(2)
具有背离所述载体
(1)
的前侧
(2V)
，所述前侧在竖直方向上与所述中间层
(3)
齐平或者竖直突出超过所述中间层
(3)。6.
根据前述权利要求之一所述的器件
(10)
，所述器件具有形成在所述腔室
(40)
的内壁上的反射层
(4R)
，其中所述反射层
(4R)
由电绝缘材料形成
。7.
根据权利要求1至5之一所述的器件
(10)
，所述器件具有形成在所述腔室
(40)
的内壁上的反射层
(4R)
，其中所述反射层
(4R)
由导电材料形成
。8.
根据前一项权利要求所述的器件
(10)
，其中，所述反射层
(4R)
与所述半导体芯片
(2)
电绝缘
。9.
根据前述权利要求之一所述的器件
(10)
，所述器件具有用于电接触所述半导体芯片
(2)
的第一接触层
(51)
和第二接触层
(52)
，其中
‑
所述中间层
(3)
沿竖直方向局部地布置在所述第一接触层
(51)
与所述第二接触层
(52)
之间，并且
‑
所述中间层
(3)
将所述第一接触层
(51)
与所述第二接触层
(52)
电绝缘
。10.
根据前一项权利要求所述的器件
(10)
，其中
‑
所述半导体芯片
(2)
在俯视图中部分遮盖所述第一接触层
(51)
，
‑
所述第一接触层
(51)
具有在俯视图中从所述半导体芯片
(2)
侧向突出的至少一个子区域
(51L)
，并且
‑
在俯视图中，所述子区域
(51L)
至少部分地或完全地由所述中间层
(3)
覆盖
。11.
根据权利要求9至
10
之一所述的器件
(10)
，其中，所述半导体芯片
(2)
在...

【专利技术属性】
技术研发人员：卢茨，
申请(专利权)人：AMS，
类型：发明
国别省市：