具有结构化引线框架和壳体本体的器件以及用于制造器件的方法技术

本发明专利技术涉及一种器件

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】具有结构化引线框架和壳体本体的器件以及用于制造器件的方法


[0001]说明一种具有结构化引线框架
(
英语：
1eadframe(
引线框
))
和壳体本体的器件
。
此外，说明一种用于制造器件
、
尤其是具有结构化引线框架和壳体本体的器件的方法
。

技术介绍

[0002]为了实现提高的腐蚀稳定性，应该保护器件免受外部环境影响，例如免受有害气体或湿气的侵入
。
尤其是，有害气体可能从上方穿过封装层
、
浇注物质或者侧向地在引线框架和壳体本体的壳体材料之间侵入到器件中
。
器件的金属表面
、
例如空腔的侧壁或引线框架的安装面，可能由于有害气体的侵入而被损坏，例如被氧化
。
尤其是，具有银覆层的表面或铜表面特别易受环境影响
。

技术实现思路

[0003]一个任务是说明一种具有高紧凑性和提高的腐蚀稳定性的器件
、
尤其是光电器件
。
另一任务是说明一种用于制造器件
、
尤其是在这里描述的器件的可靠且成本高效的方法
。
[0004]这些任务通过根据独立权利要求的器件以及通过根据另一权利要求的用于制造器件的方法来解决
。
器件或方法的其他设计方案和改进方案是从属权利要求的主题
。
[0005]根据器件的至少一个实施方式，所述器件具有引线框架和布置在引线框架上的半导体芯片
。
半导体芯片尤其是被设立用于产生或探测电磁辐射
。
半导体芯片可以具有半导体本体，所述半导体本体例如具有第一载流子类型的第一半导体层
、
第二载流子类型的第二半导体层以及位于其间的有源区
。
半导体本体例如基于
III
‑
V
半导体化合物材料或基于
II
‑
VI
半导体化合物材料
。
例如，有源区是
pn
结区
。
在器件的运行中，有源区尤其是被设立用于产生电磁辐射，例如在紫外
、
红外或可见光谱范围中的电磁辐射
。
[0006]引线框架尤其是被设立用于从外部电接触器件
、
例如半导体本体
。
引线框架可以具有第一子区域和与第一子区域横向地间隔开的第二子区域，其中第一子区域和第二子区域被分配给器件的不同的电极性
。
例如，第一子区域被设立用于电接触第一半导体层
。
引线框架的第二子区域可以被设立用于电接触第二半导体层
。
[0007]例如，半导体芯片布置在第一子区域上并且与该第一子区域导电连接
。
例如当半导体芯片布置在第一子区域的凹处中时，半导体芯片可以沿着竖直方向突出第一子区域之外，或者反之亦然
。
在俯视图中，半导体芯片和引线框架的第二子区域可以以无重叠的方式布置
。
在这种情况下，半导体芯片仅仅布置在引线框架的第一子区域上
。
半导体芯片可以经由电连接
、
例如经由接合线与引线框架的第一子区域或第二子区域导电连接
。
可能的是，半导体芯片可以经由其背侧和导电连接层直接与引线框架的第一子区域导电连接
。
[0008]横向方向被理解为尤其是平行于引线框架的主要延伸面
、
例如平行于引线框架的第一子区域或第二子区域的安装面伸展的方向
。
竖直方向被理解为尤其是垂直于引线框架
的主要延伸面或者垂直于引线框架的第一子区域或第二子区域的安装面定向的方向
。
竖直方向和横向方向彼此正交
。
[0009]根据该器件的至少一个实施方式，所述器件具有壳体本体
。
在横向方向上，引线框架可以被壳体本体包围，尤其是完全包围
。
尤其是，引线框架在任何部位处都不侧向地和
/
或竖直地突出壳体本体之外
。
引线框架的所有横向侧面均可以与壳体本体的侧面齐平地结束或者可以被壳体本体的材料覆盖
。
在至少一个竖直平面的高度处，不仅引线框架的第一子区域而且第二子区域都可以在横向方向上被壳体本体包围，例如完全包围
。
尤其是，第一子区域通过壳体本体与引线框架的第二子区域机械连接
。
如果第一子区域与第二子区域通过中间区域横向地间隔开，则中间区域可以被壳体本体的材料填充，例如完全填充
。
[0010]在器件的背侧的俯视图中，引线框架的第一子区域和
/
或第二子区域可以分区域地不被壳体本体覆盖
。
在器件的背侧处，引线框架的第一子区域和
/
或第二子区域因此可以至少分区域地是可自由接近的
。
在器件的前侧的俯视图中，引线框架的第一子区域和
/
或第二子区域可以分区域地不被壳体本体的材料覆盖
。
第一子区域或第二子区域的在器件的前部的俯视图中不被壳体本体的材料覆盖的表面可以构成第一子区域或第二子区域的安装面
。
尤其是，半导体芯片布置在这样的安装面上
。
[0011]根据该器件的至少一个实施方式，引线框架的第一子区域或第二子区域具有局部隆起
。
沿着竖直方向，局部隆起可以突出引线框架的第一子区域或第二子区域的至少一个与局部隆起邻接的边或者边缘区
。
该边尤其是是第一或第二子区域的上边，第一或第二子区域的边缘区与所述上边邻接
。
在器件的前侧的俯视图中，壳体本体可以完全覆盖局部隆起
。
因此，局部隆起可以用作用于将壳体本体紧固在引线框架处的锚定结构
。
例如，半导体芯片布置在第一子区域上，其中第一子区域具有局部隆起
。
[0012]引线框架的子区域的边
、
尤其是外部边或上边例如被理解为子区域的侧面和子区域的局部隆起的侧面之间的公共连接线
。
如果局部隆起沿着竖直方向突出子区域的边之外并且因此突出与该边邻接的边缘区，则局部隆起的前侧表面位于比子区域的所属的边或所属的边缘区更高的竖直平面上
。
子区域的边缘区被理解为尤其是直接与子区域的边
、
尤其是外部边或上边邻接的区
。
边缘区可以至少分区域地由局部隆起的侧面构成
。
[0013]在前侧的俯视图中，局部隆起例如沿着引线框架的所属子区域的至少一个边
、
沿着至少两个边
、
沿着三个边或沿着所有边伸展
。
尤其是，局部隆起在俯视图中沿着半导体芯本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.
一种器件
(10)
，所述器件具有引线框架
(1)、
半导体芯片
(2)
和壳体本体
(3)
，其中
‑
所述引线框架
(1)
具有第一子区域
(11)
和第二子区域
(12)
，所述第二子区域与所述第一子区域
(11)
横向地间隔开，
‑
所述壳体本体
(3)
横向地包围所述第一子区域
(11)
和所述第二子区域
(12)
，并且由此将所述第一子区域
(11)
与所述第二子区域
(12)
机械连接，
‑
所述半导体芯片
(2)
布置在所述第一子区域
(11)
的安装面
(11M)
上并且与所述引线框架
(1)
的子区域
(11、12)
导电连接，
‑
所述第一子区域
(11)
具有第一局部隆起
(11H)
，所述第一局部隆起竖直地突出所述第一子区域
(11)
的至少一个边缘区
(11K)
之外并且在所述安装面
(11M)
的俯视图中至少部分地包围所述半导体芯片
(2)
，和
‑
在所述安装面
(11M)
的俯视图中，所述壳体本体
(3)
完全覆盖所述第一局部隆起
(11H)
并且不覆盖所述半导体芯片
(2)。2.
根据权利要求1所述的器件
(10)
，其中所述第一局部隆起
(11H)
在所述安装面
(11M)
的俯视图中沿着所述半导体芯片
(2)
的至少两个或三个侧面
(2S)
伸展
。3.
根据前述权利要求中任一项所述的器件
(10)
，其中在所述安装面
(11M)
的俯视图中，所述第一局部隆起
(11H)
完全包围所述半导体芯片
(2)。4.
根据前述权利要求中任一项所述的器件
(10)
，其中所述第一局部隆起
(11H)
具有前侧表面
(11F)
，所述前侧表面位于与所述第一子区域
(11)
的安装面
(11M)
相同的竖直高度上
。5.
根据前述权利要求中任一项所述的器件
(10)
，其中所述第一子区域
(11)
具有与所述第一局部隆起
(11H)
邻接的第一局部凹处
(11V)
，其中所述第一局部凹处
(11V)
被所述壳体本体
(3)
的材料填充
。6.
根据前一权利要求所述的器件
(10)
，其中所述第一局部凹处
(11V)
和所述第一局部隆起
(11H)
沿着横向方向彼此平行地伸展
。7.
根据权利要求5至6中任一项所述的器件
(10)
，其中在所述安装面
(11M)
的俯视图中，所述第一局部凹处
(11V)
沿着所述半导体芯片
(2)
的至少两个或三个侧面
(2S)
伸展
。8.
根据权利要求5至7中任一项所述的器件
(10)
，其中所述第一局部凹处
(11V)
横向地限制所述安装面
(11M)
并且完全被所述壳体本体
(3)
的材料填充，其中所述安装面
(11M)
没有被所述壳体本体
(3)
的材料覆盖
。9.
根据前述权利要求1至4中任一项所述的器件
(10)
，其中
‑
所述第一子区域
(11)
具有与所述第一局部隆起
(11H)
邻接的第一局部凹处
(11V)
，其中所述第一局部凹处
(11V)
被所述壳体本体
(3)
的材料填充，
‑
所述安装面
(11M)
在所述凹处
(11V)
内被实施为岛状的，并且
‑
所述安装面
(11M)
直接与所述第一局部凹处
(11V)
邻接
。10.
根据权利要求1至4中任一项所述的器件
(10)
，其中
‑
所述第一局部隆起
(11H)
沿着竖直方向突出所述第一子区域
(11)
的安装面
(11M)
之外，并且
‑
所述安装面
(11M)
直...

【专利技术属性】
技术研发人员：M，
申请(专利权)人：艾迈斯欧司朗国际有限责任公司，
类型：发明
国别省市：