提高切割质量的封装方法和封装结构技术

本发明专利技术揭示一种提高切割质量的封装方法和封装结构，该方法包括：将第一基板与第二基板键合固定；切割第一基板，于第一基板背离第二基板的一侧表面形成多条切割道，多条切割道将第一基板均匀分割形成多个单位芯片封装区域；提供待封装晶圆，待封装晶圆具有多块待封装芯片，将待封装晶圆键合于第一基板背离第二基板的一侧表面，使得每块待封装芯片对应所述单位芯片封装区域设置；将待封装晶圆进行晶圆级封装，形成晶圆封装体；对应切割道，于晶圆封装体远离第一基板的一侧面进行切割；其中，第一基板与待封装晶圆为异质材料

【技术实现步骤摘要】
提高切割质量的封装方法和封装结构


[0001]本专利技术涉及半导体加工
，尤其涉及一种提高切割质量的封装方法和封装结构
。

技术介绍

[0002]现有技术中，晶圆级芯片封装体切割过程中，一般选用传统的金刚石刀片，先切芯片，再切玻璃基板，往往在切具有玻璃基板的封装体时会切换使用较软些的金刚石刀片，而使用软刀具有划片道狭窄
、
切割速度慢
、
损耗快和易变形等不足点
。
[0003]另外，还可以选用激光直接进行晶圆级芯片封装体的切割，但由于在整个封装过程中，晶圆级芯片封装体存在一定的翘曲形变且晶圆级芯片封装体多是采用玻璃基板，在激光切割的过程中势必会发生光的散射，影响切割的效果
。

技术实现思路

[0004]本专利技术的目的在于提供一种提高切割质量的封装方法和封装结构，以解决现有技术中晶圆级芯片封装体切割效果差的问题
。
[0005]为实现上述专利技术目的，本专利技术一实施方式提供一种提高切割质量的封装方法，所述方法包括：
[0006]提供第一基板和第二基板，并将所述第一基板与所述第二基板键合固定；
[0007]切割所述第一基板，于所述第一基板背离所述第二基板的一侧表面形成多条切割道，所述多条切割道将所述第一基板均匀分割形成多个单位芯片封装区域；
[0008]提供待封装晶圆，所述待封装晶圆具有多块待封装芯片，将所述待封装晶圆键合于所述第一基板背离所述第二基板的一侧表面，使得每块所述待封装芯片对应所述单位芯片封装区域设置；
[0009]将所述待封装晶圆进行晶圆级封装，形成晶圆封装体；
[0010]对应所述切割道，于所述晶圆封装体远离所述第一基板的一侧面进行切割；
[0011]其中，所述第一基板与所述待封装晶圆为异质材料
。
[0012]作为本专利技术一实施方式的进一步改进，“切割所述第一基板，于所述第一基板背离所述第二基板的一侧表面形成多条切割道”具体包括：
[0013]利用激光切割工艺，在所述第一基板厚度方向上切割所述第一基板形成多条切割道，使得所述切割道贯穿所述第一基板，并控制形成的切割道开口宽度小于等于
20
μ
m。
[0014]作为本专利技术一实施方式的进一步改进，所述第一基板为透光基板
。
[0015]作为本专利技术一实施方式的进一步改进，所述第二基板为玻璃基板
。
[0016]作为本专利技术一实施方式的进一步改进，“将所述第一基板与所述第二基板键合固定”具体包括：
[0017]于所述第二基板上表面涂覆一层键合胶；
[0018]将所述第一基板下表面朝向所述第二基板上表面，通过所述键合胶将所述第一基
板和第二基板键合固定；
[0019]其中，所述键合胶为
UV
胶
。
[0020]作为本专利技术一实施方式的进一步改进，“将所述待封装晶圆键合于所述第一基板背离所述第二基板的一侧表面”具体包括：
[0021]将所述待封装晶圆设置有焊盘的功能面朝向所述第一基板，所述待封装晶圆通过一透光胶层与所述第一基板键合
。
[0022]作为本专利技术一实施方式的进一步改进，“将所述待封装晶圆进行晶圆级封装，形成晶圆封装体”具体包括：
[0023]于所述待封装晶圆与所述功能面相背的非功能面上形成多个凹槽，并使得所述凹槽暴露出所述焊盘；
[0024]于所述非功能面上形成再布线层，将所述再布线层延伸至所述凹槽内，使得所述再布线层与所述焊盘电性连接；
[0025]于所述非功能面上的再布线层部分区域处制作导电连接件，使得所述导电连接件与所述再布线层电性连接
。
[0026]作为本专利技术一实施方式的进一步改进，“于所述晶圆封装体远离所述第一基板的一侧面进行切割”具体包括：
[0027]对应所述单位芯片封装区域，利用激光切割工艺，于所述晶圆封装体远离所述第一基板的一侧面进行切割，形成多个单位封装体
。
[0028]作为本专利技术一实施方式的进一步改进，在“于所述晶圆封装体远离所述第一基板的一侧面进行切割”之前还包括：
[0029]去除所述第二基板
。
[0030]为实现上述专利技术目的，本专利技术还提供一种封装结构，所述封装结构由上述提高切割质量的封装方法制作形成
。
[0031]本专利技术的有益效果在于：本专利技术利用一临时键合基板
(
即第二基板
)
与第一基板固定，先对第一基板进行切割，然后再进行晶圆的键合
、
封装等工艺步骤，最后再对封装好的晶圆封装体进行切割，将第一基板和设置于第一基板上表面的晶圆封装体分开切割，以防止晶圆封装体在封装过程中产生的翘曲形变对切割效果的影响，提高晶圆级芯片封装体的切割质量
。
附图说明
[0032]图1为本专利技术一实施方式中的一种提高切割质量的封装方法流程示意图；
[0033]图2‑
图9为本专利技术一实施方式中对应封装方法形成封装结构的工艺步骤结构图
。
具体实施方式
[0034]为使本专利技术的目的
、
技术方案和优点更加清楚，下面将结合本专利技术具体实施方式及相应的附图对本专利技术技术方案进行清楚
、
完整地描述
。
显然，所描述的实施方式仅是本专利技术一部分实施方式，而不是全部的实施方式
。
基于本专利技术中的实施方式，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施方式，都属于本专利技术保护的范围
。
[0035]下面详细描述本专利技术的实施方式，实施方式的示例在附图中示出，其中自始至终
相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件
。
下面通过参考附图描述的实施方式是示例性的，仅用于解释本专利技术，而不能理解为对本专利技术的限制
。
[0036]为方便说明，本文使用表示空间相对位置的术语来进行描述，例如“上”、“下”、“后”、“前”等，用来描述附图中所示的一个单元或者特征相对于另一个单元或特征的关系
。
空间相对位置的术语可以包括设备在使用或工作中除了图中所示方位以外的不同方位
。
例如，如果将图中的装置翻转，则被描述为位于其他单元或特征“下方”或“上方”的单元将位于其他单元或特征“下方”或“上方”。
因此，示例性术语“下方”可以囊括下方和上方这两种空间方位
。
[0037]如图1所示，本实施方式提供一种提高切割质量的封装方法，包括：
[0038]S1
：提供第一基板和第二基板，并将第一基板与第二基板键合固定
。
[0039]S2
：切割第一基板，于第一基板背离第二基板的一侧表面形成多条切割道，多条切割道将第一基板均匀分割形成多个单位芯片封装区域...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种提高切割质量的封装方法，其特征在于，所述方法包括：提供第一基板和第二基板，并将所述第一基板与所述第二基板键合固定；切割所述第一基板，于所述第一基板背离所述第二基板的一侧表面形成多条切割道，所述多条切割道将所述第一基板均匀分割形成多个单位芯片封装区域；提供待封装晶圆，所述待封装晶圆具有多块待封装芯片，将所述待封装晶圆键合于所述第一基板背离所述第二基板的一侧表面，使得每块所述待封装芯片对应所述单位芯片封装区域设置；将所述待封装晶圆进行晶圆级封装，形成晶圆封装体；对应所述切割道，于所述晶圆封装体远离所述第一基板的一侧面进行切割；其中，所述第一基板与所述待封装晶圆为异质材料
。2.
根据权利要求1所述的提高切割质量的封装方法，其特征在于，“切割所述第一基板，于所述第一基板背离所述第二基板的一侧表面形成多条切割道”具体包括：利用激光切割工艺，在所述第一基板厚度方向上切割所述第一基板形成多条切割道，使得所述切割道贯穿所述第一基板，并控制形成的切割道开口宽度小于等于
20
μ
m。3.
根据权利要求1所述的提高切割质量的封装方法，其特征在于，所述第一基板为透光基板
。4.
根据权利要求1所述的提高切割质量的封装方法，其特征在于，所述第二基板为玻璃基板
。5.
根据权利要求1所述的提高切割质量的封装方法，其特征在于，“将所述第一基板与所述第二基板键合固定”具体包括：于所述第二基板上表面涂覆一层键合胶；将所述第一基板下表面朝向所述第二基板上表面，通过所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：谢国梁，
申请(专利权)人：苏州思萃车规半导体产业技术研究所有限公司，
类型：发明
国别省市：