用于制造技术

本发明专利技术提供一种用于

【技术实现步骤摘要】
用于P型场限环的接触孔结构


[0001]本专利技术涉及半导体
，特别是涉及一种用于
P
型场限环的接触孔结构
。

技术介绍

[0002]功率器件的终端为了增加散热能力往往会利用较大尺寸的接触孔结构，接触孔结构中利用
TiN
保证
Al
和
Si
的隔离，这种版图设计对器件性能会有最大程度上的提升，但会导致终端和元胞的接触孔关键尺寸不匹配
。
终端大尺寸的接触孔结构会增加接触孔结构底部的层间势垒层
(ILB)
发生面心铝硅互溶的概率，并且会恶化
12
寸的晶圆翘曲
。
[0003]为解决上述问题，需要提出一种新型的用于
P
型场限环的接触孔结构
。

技术实现思路

[0004]鉴于以上所述现有技术的缺点，本专利技术的目的在于提供一种用于
P
型场限环的接触孔结构，用于解决现有技术中终端大尺寸的接触孔结构会增加接触孔结构底部的层间势垒层
(ILB)
发生面心铝硅互溶的概率，并且会恶化晶圆翘曲的问题
。
[0005]为实现上述目的及其他相关目的，本专利技术提供一种用于
P
型场限环的接触孔结构，包括：
[0006]衬底，所述衬底利用离子注入形成有
P
型场限环；
[0007]形成于所述
P
型场限环上的接触孔，从俯视角度观察，在所述r/>P
型场限环的环宽区域上设置有至少两个目标关键尺寸的接触孔
。
[0008]优选地，所述衬底包括块状半导体衬底或绝缘体上硅
(SOI)
衬底
。
[0009]优选地，所述接触孔形成于层间介质层上
。
[0010]优选地，所述层间介质层的材料为二氧化硅
。
[0011]优选地，所述层间介质层与所述衬底之间还形成有局部场氧化层
。
[0012]优选地，在所述
P
型场限环的环宽区域上设置有两个目标关键尺寸的接触孔，所述接触孔为第一方向分布
。
[0013]优选地，所述第一方向为垂直于所述
P
型场限环环心的方向
。
[0014]优选地，在所述
P
型场限环的环宽区域设置有口型的接触孔，所述口型的接触孔由两个第一方向的条形接触孔和两个所述第二方向的条形接触孔组成
。
[0015]优选地，所述口型的接触孔四周拐角处为弧形
。
[0016]优选地，所述接触孔在所述
P
型场限环的环周区域上等间距分布
。
[0017]优选地，在所述
P
型场限环的环宽区域设置有桥型的接触孔，所述桥型的接触孔由多个口型的接触孔首尾连接组成
。
[0018]优选地，所述接触孔上还形成有金属互连层结构
。
[0019]优选地，所述金属互连层结构包括形成于接触孔上的层间势垒层，填充所述接触孔的第一金属层，与所述第一金属层电接触的第二金属层
。
[0020]优选地，所述接触孔结构用于
12
寸晶圆的功率器件制造
。
[0021]如上所述，本专利技术的用于
P
型场限环的接触孔结构，具有以下有益效果：
[0022]本专利技术通过改变接触孔版图设计，减少接触孔结构面积和增加横向孔刻蚀的方法，来增强层间势垒层的隔离作用，并且抑制晶圆翘曲，进一步提升功率器件设计和工艺制造之间的匹配性
。
附图说明
[0023]图1显示为本专利技术的实施例一的
P
型场限环的接触孔结构示意图；
[0024]图2显示为本专利技术的实施例二的
P
型场限环的接触孔结构示意图；
[0025]图3显示为本专利技术的实施例三的
P
型场限环的接触孔结构示意图；
[0026]图4显示为本专利技术的实施例四的
P
型场限环的接触孔结构示意图
。
具体实施方式
[0027]以下通过特定的具体实例说明本专利技术的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本专利技术的其他优点与功效
。
本专利技术还可以通过另外不同的具体实施方式加以实施或应用，本说明书中的各项细节也可以基于不同观点与应用，在没有背离本专利技术的精神下进行各种修饰或改变
。
[0028]本专利技术提供一种用于
P
型场限环的接触孔结构，包括：
[0029]衬底
101
，衬底
101
利用离子注入形成有
P
型场限环
102
，
P
型场限环
102
用于隔离器件；
[0030]在本专利技术的实施例中，衬底
101
包括单晶硅衬底衬底或绝缘体上硅
(SOI)
衬底
。SOI
衬底包括位于作为
SOI
衬底的有源层的薄半导体层下方的绝缘体层
。
有源层的半导体和块状半导体通常包括晶体半导体材料硅，但也可以包括一种或多种其他半导体材料，诸如锗
、
硅锗合金
、
化合物半导体
(
例如，
GaAs、AlAs、InAs、GaN、AlN
等
)
或其合金
(
例如，
GaxAl1
‑
xAs、GaxAl1
‑
xN、InxGa1
‑
xAs
等
)、
氧化物半导体
(
例如，
ZnO、SnO2、TiO2、Ga2O3
等
)
或其组合
。
半导体材料可以是掺杂的或未掺杂的
。
可以使用的其他衬底包括多层衬底
、
梯度衬底或混合取向衬底
。
[0031]形成于
P
型场限环
102
上的接触孔
103
，从俯视角度观察，在
P
型场限环
102
的环宽区域上设置有至少两个目标关键尺寸的接触孔
103
，即相对于现有技术中的接触孔，减小了接触孔
103
的关键尺寸，提高了接触孔
103
的数量
。
[0032]在本专利技术的实施例中，接触孔
103
形成于层间介质层上
。
[0033]在本专利技术的实施例中，层间介质层的材料为二氧化硅
。
[0034]在本专利技术的实施例中，层间介质层与衬底
101
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种用于
P
型场限环的接触孔结构，其特征在于，包括：衬底，所述衬底利用离子注入形成有
P
型场限环；形成于所述
P
型场限环上的接触孔，从俯视角度观察，在所述
P
型场限环的环宽区域上设置有至少两个目标关键尺寸的接触孔
。2.
根据权利要求1所述的用于
P
型场限环的接触孔结构，其特征在于：所述衬底包括单晶硅衬底或绝缘体上硅
(SOI)
衬底
。3.
根据权利要求1所述的用于
P
型场限环的接触孔结构，其特征在于：所述接触孔形成于层间介质层上
。4.
根据权利要求3所述的用于
P
型场限环的接触孔结构，其特征在于：所述层间介质层的材料为二氧化硅
。5.
根据权利要求3所述的用于
P
型场限环的接触孔结构，其特征在于：所述层间介质层与所述衬底之间还形成有局部场氧化层
。6.
根据权利要求1所述的用于
P
型场限环的接触孔结构，其特征在于：在所述
P
型场限环的环宽区域上设置有两个目标关键尺寸的接触孔，所述接触孔为第一方向分布
。7.
根据权利要求6所述的用于
P
型场限环的接触孔结构，其特征在于：所述第一方向为垂直于所述
P
型场限环环心的方向
。8.
根据权利要求1...

【专利技术属性】
技术研发人员：许洁，张鹏，王力，杨继业，潘嘉，张瑞祥，
申请(专利权)人：上海华虹宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：