没有定位焊盘的模制直接接触互连结构及用于没有定位焊盘的模制直接接触互连结构的方法技术

本发明专利技术涉及一种没有定位焊盘的模制直接接触互连结构及用于没有定位焊盘的模制直接接触互连结构的方法。电子组件可以包括组件，所述组件包括布置在组件的有源层上方的导电柱。第一密封剂层可以布置在组件的四个侧表面周围、在组件的有源层上方并且接触导电柱的侧面的至少一部分。基本上平坦的表面可以布置在组件的有源层上方，其中，基本上平坦的表面包括导电柱的端部和第一密封剂层。第一密封剂层包括小于500纳米的粗糙度。第一导电元件可以布置在密封剂上方并且与导电柱联接。第二密封剂层可以布置在第一导电元件上方。剂层可以布置在第一导电元件上方。剂层可以布置在第一导电元件上方。

【技术实现步骤摘要】
没有定位焊盘的模制直接接触互连结构及用于没有定位焊盘的模制直接接触互连结构的方法
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求2022年5月31日提交的美国临时申请No.63/347,516(标题为“Molded Direct Contact Interconnect Build
‑
Up Structure Without Capture Pads”)的权益，其全部公开内容通过引用并入本文。


[0003]本专利技术的实施方案涉及电气组件领域，更具体地，涉及没有定位焊盘的模制直接接触互连堆叠(build
‑
up)结构或多层结构及其制造方法。

技术介绍

[0004]半导体组件、器件、封装件、衬底和中介层通常存在于现代电子产品中。半导体器件的生产涉及多步的组件堆叠。传统的互连结构交替设置介电层和导电层。在电介质中形成开口或过孔，以允许从一层到另一层的连接。在导电层上，需要定位焊盘来校正过孔制造中的不一致性。由于布线密度的限制，这些传统的定位焊盘的使用影响了构建紧凑或高密度结构的能力。此外，本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种形成电子组件的方法，包括：在临时载体上方布置组件，所述组件包括在组件的有源层上方的导电柱；在单个步骤中，在组件的四个侧表面周围、在组件的有源层上方以及在临时载体上方布置第一密封剂层，所述第一密封剂层接触导电柱的侧面的至少一部分；平坦化在组件的有源层上方的第一密封剂层，其中，基本上平坦的表面包括导电柱的端部和第一密封剂层；在第一密封剂层上方形成配置为与组件的导电柱电联接的第一导电层和第一导电凸点；在单个步骤中，在第一导电层上方并围绕第一导电凸点的至少一部分布置第二密封剂层，其中，第一导电凸点的端部相对于第二密封剂层暴露；在第二密封剂层上方形成配置为与第一导电层和第一导电凸点电联接的第二导电层和第二导电凸点；在单个步骤中，在第二导电层上方并围绕第二导电凸点的至少一部分布置第三密封剂层，其中，第二导电凸点的端部相对于第三密封剂层暴露；在第三密封剂层上方或第三密封剂层内布置配置为通过一个或更多个第一导电凸点和第二导电凸点电联接到组件的导电触点；去除临时载体；其中，第一密封剂层、第二密封剂层和第三密封剂层在特征测量距离上具有小于500nm的表面粗糙度；其中，第一导电层和第二导电层包括下表面，所述下表面在特征测量距离上具有小于500nm的对应表面粗糙度；其中，第一导电凸点由单层材料形成，并且第一导电凸点的侧壁的至少一部分直接接触第二密封剂。2.根据权利要求1所述的方法，其中，利用单元特定的图案化形成第一导电层或第二导电层的至少一部分，使得：第一导电层的至少一部分的偏移小于第一导电层的平均偏移；第二导电层的至少一部分的偏移小于第二导电层的平均偏移。3.根据权利要求2所述的方法，其中，第二密封剂层和第三密封剂层在其中未布置组件的情况下形成。4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述导电触点包括输入电触点、输出电触点、IO触点、电源触点、接地触点、时钟触点、电触点、凸点、焊球、焊料凸点、BGA、LGA、触点焊盘、铜柱和具有焊料的铜柱中的一者或更多者，以与电子组件外部的结构联接。5.根据权利要求1所述的方法，其中：第一密封剂层、第二密封剂层和第三密封剂层各自都包括具有填料的有机材料、具有填料的模塑料、具有填料的复合材料、具有填料的环氧树脂或具有填料的环氧丙烯酸酯；在第一密封剂层、第二密封剂层和第三密封剂层的边界的填料颗粒包括来自研磨、抛光或化学机械抛光的非球形形状。6.一种电子组件，包括：组件，其包括布置在组件的有源层上方的导电柱；
第一密封剂层，其布置在组件的四个侧表面周围、在组件的有源层上方并且接触导电柱的侧面的至少一部分；基本上平坦的表面，其布置在组件的有源层上方，其中，所述基本上平坦的表面包括导电柱的端部和第一密封剂层的平坦表面，其中，第一密封剂层的平坦表面在特征测量距离上具有小于500nm的粗糙度；第一导电元件，其布置在第一密封剂层上方并且配置为与组件的导电柱电联接；第二密封剂层，其布置在第一导电元件和第一密封剂层上方并围绕第一导电元件的至少一部分，其中，第一导电元件的至少一部分相对于第二密封剂层暴露；以及导电触点，其布置在第二密封剂层上方或第二密封剂层内，用于IO互连，并且导...

【专利技术属性】
技术研发人员：R，
申请(专利权)人：德卡科技美国公司，
类型：发明
国别省市：