前驱体输送管路温控装置制造方法及图纸

本发明专利技术涉及半导体技术领域，具体而言，涉及一种前驱体输送管路温控装置，其包括内保护层

【技术实现步骤摘要】
前驱体输送管路温控装置


[0001]本专利技术涉及半导体
，具体而言，涉及一种前驱体输送管路温控装置
。

技术介绍

[0002]在一些半导体器件的制备中，需要转变前驱体的物理状态，例如：需要通过加热的方式使液态的前驱体转化成气态
。
其中，低温前驱体的温度控制通常需要在
25℃
～
55℃
，这样才能发挥出良好的表现
。
由此可见，稳定的控温方式，对于前驱体的物理状态转变，例如：液态前驱体转化成气态，尤为重要
。
[0003]但是，相关技术提供的温控装置难以稳定地控制温度，容易出现过热或过冷的问题
。

技术实现思路

[0004]本专利技术的目的在于提供一种前驱体输送管路温控装置，其能够更加稳定地控制温度，进而改善在使前驱体物理状态转化时，温度过热或过冷的问题
。
[0005]本专利技术的实施例是这样实现的：
[0006]本专利技术提供一种前驱体输送管路温控装置，包括：
[0007]内保护层，内保护本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种前驱体输送管路温控装置，其特征在于，包括：内保护层
(100)
，所述内保护层
(100)
用于设置于前驱体输送管路
(700)
的外侧；外保护层
(200)
，所述外保护层
(200)
间隔地设置于所述内保护层
(100)
的外部，且所述外保护层
(200)
和所述内保护层
(100)
之间形成缓冲层
(300)
；液态导热剂，所述液态导热剂填充于所述缓冲层
(300)
；以及，温控元件
(400)
，所述温控元件
(400)
设置于所述缓冲层
(300)
内
、
和
/
或所述温控元件
(400)
设置于所述缓冲层
(300)
外
。2.
根据权利要求1所述的前驱体输送管路温控装置，其特征在于，所述温控元件
(400)
设置于所述缓冲层
(300)
内，所述温控元件
(400)
与所述外保护层
(200)
和所述内保护层
(100)
两者中的至少一者间隔分布
。3.
根据权利要求2所述的前驱体输送管路温控装置，其特征在于，所述温控元件
(400)
与所述外保护层
(200)
和所述内保护层
(100)
同时间隔分布
。4.
根据权利要求2所述的前驱体输送管路温控装置，其特征在于，所述温控元件
(400)
与所述内保护层
(100)
贴合，或者所述温控元件
(400)
与所述外保护层
(200)
贴合
。5.
根据权利要求1所述的前驱体输送管路温控装置，其特征在于，所述温控元件
(400)
设置于所述缓冲层
(300)
外，且位于所述外保护层
(200)
背离所述缓冲层
(300)
的一侧
。6.
根据权利要求1所述的前驱体输送管路温控装置...

【专利技术属性】
技术研发人员：张晓玉，野沢俊久，贾闯，赵吉蛟，
申请(专利权)人：拓荆创益沈阳半导体设备有限公司，
类型：发明
国别省市：