阵列水射流刺晶式制造技术

一种阵列水射流刺晶式

【技术实现步骤摘要】
阵列水射流刺晶式Mini
‑
LED巨量转移装置及方法


[0001]本专利技术涉及
Mini/Micro LED
芯片转移封装
，特别是一种阵列水射流刺晶式
Mini
‑
LED
巨量转移方法
。

技术介绍

[0002]随着
LED
技术的快速发展和
LED
发光效率的逐步提高，
LED
的应用变得越来越广泛
。
伴随着这种趋势，
LED
芯片逐渐向两个主要方向发展，分别是大功率以及微型化
。
大功率指的是为了增强
LED
器件的发光强度从而尽可能的提高
LED
的功率；而微型化则是尽可能的减小
LED
芯片的尺寸，从而在给定的面积中放置尽可能多的
LED
芯片
。
芯片微型化的产物主要有
Mini LED
和
Micro LED。Mini LEDr/>是指尺寸在...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种阵列水射流刺晶式
Mini
‑
LED
巨量转移装置，其特征在于，所述
Mini
‑
LED
巨量转移装置包括：平面运动平台；在所述平面运动平台的一侧设置有视觉相机以及陈列水射流刺晶单元；所述陈列水射流刺晶单元包括水射流通道和阵列通孔；在靠近所述平面运动平台的视觉相机一侧间隔设置有
Z
轴运动平台，所述
Z
轴运动平台用于放置蓝膜，所述蓝膜表面粘结有多个均匀排布的
Mini
‑
LED
芯片；所述
Z
轴运动平台远离所述平面运动平台的一侧间隔设有工作台，所述工作台靠近所述
Z
轴运动平台的一侧上固定有转移基板
。2.
如权利要求1所述的阵列水射流刺晶式
Mini
‑
LED
巨量转移装置，其特征在于，所述转移基板为玻璃基板或
PCB
基板
。3.
如权利要求2所述的阵列水射流刺晶式
Mini
‑
LED
巨量转移装置，其特征在于，当所述转移基板为所述玻璃基板时，所述转移基板靠近所述蓝膜一侧的表面粘着双面胶；当所述转移基板为所述
PCB
基板时，所述转移基板靠近所述蓝膜一侧的表面刷有锡膏
。4.
如权利要求1所述的阵列水射流刺晶式
Mini
‑
LED
巨量转移装置，其特征在于，所述阵列水射流刺晶单元上的阵列通孔间距为所述蓝膜上相邻
Mini
‑
LED
芯片之间间距的正整数倍
。5.
如权利要求1所述的阵列水射流刺晶式
Mini
‑
LED
巨量转移装置，其特征在于，所述阵列水射流刺晶单元上的阵列通孔尺寸小于或等于所述
Mini
‑
LED
芯片接触所述蓝膜表面的最短边长
。6.
如权利要求1所述的阵列水射流刺晶式
Mini
‑
LED
...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈云，陈彦晖，马莉，吕澎威，张浩，侯茂祥，陈新，
申请(专利权)人：广东工业大学，
类型：发明
国别省市：