临时固定带和半导体器件的制造方法技术

本发明专利技术提供一种临时固定带，其适合用于具有激光剥离工序的半导体器件的制造方法，能够降低激光对半导体器件的损伤，能够容易地剥离。另外，提供一种半导体器件的制造方法，其具有激光剥离工序，能够降低激光对半导体器件的损伤，能够容易地剥离临时固定带。一种临时固定带，其至少具有基材和层叠于上述基材的一个面的第1粘合剂层，对于将上述临时固定带的上述第1粘合剂层侧贴附于玻璃而成的层叠体，以照射能量2000mJ/cm2以下从上述玻璃的背面照射波长360nm以下的激光后，当在上述临时固定带的上述基材被固定的状态下，沿相对于上述玻璃的上述背面垂直方向施加40N的力时，上述第1粘合剂层与上述基材的界面发生剥离。粘合剂层与上述基材的界面发生剥离。粘合剂层与上述基材的界面发生剥离。

【技术实现步骤摘要】
临时固定带和半导体器件的制造方法


[0001]本专利技术涉及临时固定带和半导体器件的制造方法。

技术介绍

[0002]在半导体器件的加工时，为了使半导体器件的操作变得容易或不发生破损，进行了借由粘合剂组合物将半导体器件固定于支撑板(支撑体)、或将粘合带贴附于半导体器件来进行保护的操作。例如，在将从高纯度的单晶硅等切出的厚膜晶片磨削至规定的厚度而制成薄膜晶片的情况下，借由粘合剂组合物将厚膜晶片粘接于支撑板(支撑体)。
[0003]对于如此地用于半导体器件的粘合剂组合物、粘合带等临时固定材，要求在加工工序中能够尽可能牢固地固定半导体器件的高的粘接性，并且要求在工序结束后能够不损伤半导体器件地剥离(以下，也称为“高粘接易剥离”。)。作为高粘接易剥离的实现手段，例如在专利文献1中公开了一种粘合片，其使用了在聚合物的侧链或主链上键合有具有辐射聚合性官能团的多官能性单体或低聚物的粘合剂。通过具有辐射聚合性官能团，从而聚合物通过紫外线照射而固化，利用这一点，通过在剥离时照射紫外线，由此粘合力降低，能够无残胶地进行剥离。
[0004]现有技术文本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种临时固定带，其特征在于，其至少具有基材和层叠于所述基材的一个面的第1粘合剂层，对于将所述临时固定带的所述第1粘合剂层侧贴附于玻璃而成的层叠体，以照射能量2000mJ/cm2以下从所述玻璃的背面照射波长360nm以下的激光后，当在所述临时固定带的所述基材被固定的状态下，沿相对于所述玻璃的所述背面垂直方向施加40N的力时，所述第1粘合剂层与所述基材的界面发生剥离。2.根据权利要求1所述的临时固定带，其特征在于，所述临时固定带的选自波长355nm的光线吸收率和波长308nm的光线吸收率中的至少1种光线吸收率为90％以上。3.根据权利要求1或2所述的临时固定带，其特征在于，所述基材的选自波长355nm的光线吸收率和波长308nm的光线吸收率中的至少1种光线吸收率为90％以上。4.根据权利要求1或2所述的临时固定带，其特征在于，所述临时固定带的雾度为80％以下。5.根据权利要求1或2所述的临时固定带，其特征在于，所述基材的雾度为30％以下。6.根据权利要求1或2所述的临时固定带，其特征在于，所述第1粘合剂层的选自波长355nm的光线吸收率和波长308nm的光线吸收率中的至少1种光线吸收率为50％以下。7.根据权利要求1或2所述的临时固定带，其特征在于，所述第1粘合剂层不包含紫外线吸收剂，或者包含相对于基础聚合物100重量份而小于5重量份的紫...

【专利技术属性】
技术研发人员：潘梓妍，上田洸造，薮口博秀，浅野元彦，
申请(专利权)人：积水化学工业株式会社，
类型：发明
国别省市：