一种太阳能电池及其制备方法技术

本发明专利技术提供了一种太阳能电池及其制备方法

【技术实现步骤摘要】
一种太阳能电池及其制备方法、叠层电池和光伏组件


[0001]本专利技术涉及光伏
，特别是涉及一种太阳能电池及其制备方法
、
叠层电池和光伏组件
。

技术介绍

[0002]太阳能电池能够将太阳能转换为电能，其所利用的是清洁能源，因此，具有广泛的应用前景
。
[0003]目前，太阳能电池中，位于背面透明导电层上的金属背电极，可以将透过背面透明导电层的光反射回太阳能电池内部，提高太阳能电池对光的利用率，进而可以提升发电效率
。
[0004]然而，上述太阳能电池，位于背面透明导电层上的金属背电极却对于发电效率的提升幅度有限
。

技术实现思路

[0005]本专利技术提供一种太阳能电池及其制备方法
、
叠层电池和光伏组件，旨在解决现有太阳能电池中，位于背面透明导电层上的金属背电极，对于发电效率的提升幅度有限的问题
。
[0006]本专利技术的第一方面，提供一种太阳能电池，包括：导电基体，以及位于所述导电基体第一表面上的背反射结构；
[0007]所述背反射机构包括：
[0008]紧邻所述导电基体的背面透明导电层；
[0009]位于所述背面透明导电层上的介电缓冲层和金属背栅线；其中，所述金属背栅线嵌在所述介电缓冲层的局部区域中，且所述金属背栅线在厚度方向上贯穿所述介电缓冲层；
[0010]以及位于所述介电缓冲层和金属背栅线上的金属背电极
。
[0011]本专利技术实施例中，在背面透明导电层和金属背电极之间设置介电缓冲层，该介电缓冲层可以将背面透明导电层和金属背电极分隔开，，减少两者直接接触，不仅可以降低寄生吸收，而且还可以适当阻止界面处金属离子的扩散，进而可以提升太阳能电池的发电效率
。
金属背电极不仅作为电极使用，而且对从导电基体透过的光有良好的反射作用，提升了对光线的利用率
。
同时，金属背栅线嵌在介电缓冲层的局部区域中，且金属背栅线在厚度方向上贯穿介电缓冲层，进而，该金属背栅线与金属背电极直接接触，提供了载流子的直接传输通道，且两者直接接触，对于载流子的传输效率高，可以快速将载流子导出
。
[0012]可选的，所述介电缓冲层的折射率大于1，小于或等于
1.7。
[0013]可选的，所述介电缓冲层为多孔结构
。
[0014]可选的，所述介电缓冲层中孔的孔径为
10nm
至
20nm。
[0015]可选的，所述金属背栅线，靠近所述导电基体的表面的表面积，小于所述背面透明
导电层远离所述导电基体的表面的表面积的
10
％
。
[0016]可选的，所述介电缓冲层的材料选自：透明介电材料
。
[0017]可选的，所述介电缓冲层的材料选自：氧化硅
、
氮化硅
、
氧化钛和氟化镁中的至少一种
。
[0018]可选的，所述介电缓冲层的厚度为
100nm
至
200nm。
[0019]可选的，所述太阳能电池包括：硅异质结太阳能电池
。
[0020]本专利技术的第二方面，提供一种太阳能电池的制备方法，包括：
[0021]提供导电基体；
[0022]在所述导电基体的第一表面上制备背面透明导电层；
[0023]在所述背面透明导电层的局部区域上，制备金属背栅线；
[0024]在所述背面透明导电层的剩余区域上，制备介电缓冲层；所述金属背栅线在厚度方向上贯穿所述介电缓冲层；
[0025]在所述介电缓冲层和所述金属背栅线上，制备金属背电极
。
[0026]可选的，所述在所述背面透明导电层的局部区域上，制备金属背栅线之前，所述方法还包括：
[0027]在所述背面透明导电层上制备掩膜层，使得所述背面透明导电层的局部区域裸露；
[0028]所述在所述背面透明导电层的局部区域上，制备金属背栅线，包括：
[0029]在所述掩膜层的保护下，在所述背面透明导电层的局部区域上，制备金属背栅线
。
[0030]可选的，所述在所述背面透明导电层的剩余区域上，制备介电缓冲层，包括：
[0031]采用反应等离子体沉积
、
磁控溅射
、
溶胶
‑
凝胶法三者中的至少一种，在所述背面透明导电层的剩余区域上，制备介电缓冲层
。
[0032]本专利技术的第三方面，提供叠层电池，包括：上层电池和下层电池；
[0033]所述下层电池为任一前述的太阳能电池，或，所述下层电池由任一前述的太阳能电池制备方法制备得到
。
[0034]本专利技术的第四方面，提供一种光伏组件，包括：若干个太阳能电池；
[0035]所述太阳能电池为任一前述的太阳能电池，或，所述太阳能电池由任一前述的太阳能电池制备方法制备得到
。
[0036]上述太阳能电池
、
太阳能电池的制备方法
、
叠层电池和光伏组件均具有相同或相似的有益效果，为了避免重复，此处不再赘述
。
附图说明
[0037]为了更清楚地说明本专利技术实施例的技术方案，下面将对本专利技术实施例的描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图
。
[0038]图1示出了本专利技术实施例中的一种太阳能电池的结构示意图
。
；
[0039]图2示出了本专利技术实施例中的一种叠层电池的结构示意图
。
[0040]附图编号说明：
[0041]11
‑
硅基底，
12
‑
背面本征氢化非晶硅钝化层，
13
‑
第一掺杂层，
14
‑
背反射结构，
15
‑
正面本征氢化非晶硅钝化层，
16
‑
第二掺杂层，2‑
中间复合层，
31
‑
第一传输层，
32
‑
钙钛矿膜层，
33
‑
第二传输层，
34
‑
缓冲保护层，
35
‑
正面透明导电层，
36
‑
正面电极，
141
‑
背面透明导电层，
142
‑
介电缓冲层，
143
‑
金属背栅线，
144
‑
金属背电极
。
具体实施方式
[0042]下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种太阳能电池，其特征在于，包括：导电基体，以及位于所述导电基体第一表面上的背反射结构；所述背反射机构包括：紧邻所述导电基体的背面透明导电层；位于所述背面透明导电层上的介电缓冲层和金属背栅线；其中，所述金属背栅线嵌在所述介电缓冲层的局部区域中，且所述金属背栅线在厚度方向上贯穿所述介电缓冲层；以及位于所述介电缓冲层和金属背栅线上的金属背电极
。2.
根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述介电缓冲层的折射率大于1，小于或等于
1.7。3.
根据权利要求2所述的太阳能电池，其特征在于，所述介电缓冲层为多孔结构
。4.
根据权利要求3所述的太阳能电池，其特征在于，所述介电缓冲层中孔的孔径为
10nm
至
20nm。5.
根据权利要求1至4中任一所述的太阳能电池，其特征在于，所述金属背栅线，靠近所述导电基体的表面的表面积，小于所述背面透明导电层远离所述导电基体的表面的表面积的
10
％
。6.
根据权利要求1至4中任一所述的太阳能电池，其特征在于，所述介电缓冲层的材料选自：透明介电材料
。7.
根据权利要求6所述的太阳能电池，其特征在于，所述介电缓冲层的材料选自：氧化硅
、
氮化硅
、
氧化钛和氟化镁中的至少一种
。8.
根据权利要求1至4中任一所述的太阳能电池，其特征在于，所述介电缓冲层的厚度为
100nm
至
200nm。9.
根据权利要求1至4中任一所述的太阳能电池，其特征在于，所述太阳能电池包括：硅异质结太阳能电池
。10.
一种太阳能电池的制备方法，其特征在于，包括...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘波，何永才，何博，顾小兵，丁蕾，徐希翔，
申请(专利权)人：隆基绿能科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：