封装体及其制备方法技术

本发明专利技术公开了封装体及其制备方法，其中，封装体的制备方法包括：获取到线路板；在线路板的一侧制备多个金属基；其中，各金属基与线路板中的导电线路连通；将至少一个桥连硅片固定在线路板的一侧，并使各桥连硅片形成有至少两个焊盘的一侧远离线路板；将至少两个芯片的多个凸点分别焊接在对应的各金属基以及各桥连硅片的焊盘上；对各芯片进行塑封，以制备封装体

【技术实现步骤摘要】
封装体及其制备方法


[0001]本专利技术应用于封装体的
，尤其是一种封装体及其制备方法
。

技术介绍

[0002]在芯粒技术路线中，目前最常用的是硅转接板方法
。
其主要特点是在一个硅片上倒装不同的芯片，硅转接板上包含不同芯片间的互连信号线，同时包括芯片与封装基板的互连载体和通道
。
[0003]硅转接板的最大优势是，基于半导体加工平台制作的硅转接板上的线路层可以实现亚微米级的线路，因此可以极大地缩短芯片间的互连信号线距离
。
[0004]但硅转接板也有不可忽视的劣势：
(a)
硅转接板与封装基板或印制线路板的材料热膨胀系数差异大，这就导致硅转接板尺寸越大，可靠性风险越高；
(b)
硅转接板的成本极高；
(3)
硅转接板中的
TSV(
硅通孔
)
结构，以及多次的焊接，对阻抗连续性有不利影响，也会增加可靠性风险
。

技术实现思路

[0005]本专利技术提供封装体，以解决上述
技术介绍
中所涉及的问题
。
[0006]为解决上述技术问题，本专利技术提供了一种封装体的制备方法，包括：获取到线路板；在线路板的一侧制备多个金属基；其中，各金属基与线路板中的导电线路连通；将至少一个桥连硅片固定在线路板的一侧，并使各桥连硅片形成有至少两个焊盘的一侧远离线路板；将至少两个芯片的多个凸点分别焊接在对应的各金属基以及各桥连硅片的焊盘上，以制备封装体
。
[0007]其中，在线路板的一侧制备多个金属基；其中，各金属基与线路板中的导电线路连通的步骤包括：在线路板的一侧设置阻挡层，其中，阻挡层上形成有对应裸露各金属基的对应位置的多个通孔；对各通孔进行电镀，直至形成各金属基；去除阻挡层
。
[0008]其中，在线路板的一侧制备多个金属基；其中，各金属基与线路板中的导电线路连通的步骤之前包括：在线路层的一侧整板制备导电种子层；去除阻挡层的步骤包括：去除阻挡层，并蚀刻掉与各金属基不对应的导电种子层
。
[0009]其中，将至少一个桥连硅片固定在线路板的一侧，并使各桥连硅片形成有焊盘的一侧远离线路板的步骤包括：在各桥连硅片远离焊盘的一侧设置贴覆膜；将各桥连硅片贴覆有贴覆膜的一侧贴覆在线路板的一侧
。
[0010]其中，将至少两个芯片的多个凸点分别焊接在对应的各金属基以及各桥连硅片的焊盘上，以制备封装体的步骤之前包括：对多个金属基以及至少一个桥连硅片进行塑封，并裸露各金属基远离线路板的一侧以及裸露各桥连硅片的焊盘，形成第一塑封层
。
[0011]其中，将至少两个芯片的多个凸点分别焊接在对应的各金属基以及各桥连硅片的焊盘上，以制备封装体的步骤还包括：对各芯片进行塑封，以形成包裹各芯片并填充满各芯片与第一塑封层之间的空隙的第二塑封层；在线路板远离芯片的一侧进行植球，以得到加
工板件；对加工板件进行切割，以得到封装体
。
[0012]为解决上述技术问题，本专利技术还提供了一种封装体，包括：至少两个芯片，各芯片的一侧形成有多个凸点；多个金属基，各金属基的第一端分别与各芯片上的部分凸点连接；至少一个桥连硅片，各桥连硅片的一侧形成有至少两个焊盘，各桥连硅片的至少两个焊盘分别与各芯片的另一部分凸点连接；线路板，线路板的一侧与各金属基的第二端连接，且各桥连硅片远离焊盘的一侧与线路板的一侧贴合且固定设置；其中，线路板中的导电线路与各金属基导通
。
[0013]其中，封装体还包括：第一塑封层以及第二塑封层；第一塑封层上形成有多个通孔以及至少一个安装槽，各金属基分别安装在对应的各通孔内，且各桥连硅片分别安装在安装槽内，其中，第二塑封层的相对两侧分别与各金属基的相对两侧对应平齐；第二塑封层贴合设置于第一塑封层远离线路板的一侧，且第二塑封层包裹至少两个芯片
。
[0014]其中，线路板远离芯片的一侧的多个焊盘上分别固定有锡球
。
[0015]本专利技术的有益效果是：区别于现有技术的情况，本专利技术提供了一种封装方法和封装体，本技术方案通过在线路板一侧制作多个金属基，然后贴装桥连硅片，可以解决盲槽加工效率低
、
盲槽底部平整度差不利于桥连硅片高精度贴装及互连的问题；基于阻挡层电镀一次成型的金属基相比多阶盲孔的垂直互连方案，可以减少信号传输损耗，提高封装体结构的信号完整性
。
附图说明
[0016]图1是本专利技术封装体的制备方法第一实施例的流程示意图；
[0017]图2是本专利技术封装体的制备方法第二实施例的流程示意图；
[0018]图3是图2实施例中步骤
S22
中去除阻挡层后一实施方式的结构示意图；
[0019]图4是图3实施例中步骤
S23
中设置桥连硅片后一实施方式的结构示意图；
[0020]图5是图2实施例中步骤
S24
中塑封后一实施方式的结构示意图；
[0021]图6是图2实施例中步骤
S25
中焊接芯片后一实施方式的结构示意图；
[0022]图7是本专利技术封装体一实施例的结构示意图
。
具体实施方式
[0023]下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚
、
完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例
。
基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，均属于本专利技术保护的范围
。
[0024]需要说明，若本专利技术实施例中有涉及方向性指示
(
诸如上
、
下
、
左
、
右
、
前
、
后
……
)
，则该方向性指示仅用于解释在某一特定姿态
(
如附图所示
)
下各部件之间的相对位置关系
、
运动情况等，如果该特定姿态发生改变时，则该方向性指示也相应地随之改变
。
[0025]另外，若本专利技术实施例中有涉及“第一”、“第二”等的描述，则该“第一”、“第二”等的描述仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示其相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量
。
由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征
。
另外，各个实施例之间的技术方案可以相互结合，但是必须是以本领域普通技术人员能
够实现为基础，当技术方案的结合出现相互矛盾或无法实现时应当认为这种技术方案的结合不存在，也不在本专利技术要求的保护范围之内
。
[0026]请参阅图1，图1是本专利技术封装体的制备方法第一实施例的流程示意图
。
[0027]步骤
S11<本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种封装体的制备方法，其特征在于，所述封装体的制备方法包括：获取到线路板；在所述线路板的一侧制备多个金属基；其中，各金属基与所述线路板中的导电线路连通；将至少一个桥连硅片固定在所述线路板的一侧，并使各所述桥连硅片形成有至少两个焊盘的一侧远离所述线路板；将至少两个芯片的多个凸点分别焊接在对应的各金属基以及各桥连硅片的焊盘上，以制备所述封装体
。2.
根据权利要求1所述的封装体的制备方法，其特征在于，所述在所述线路板的一侧制备多个金属基；其中，各金属基与所述线路板中的导电线路连通的步骤包括：在所述线路板的一侧设置阻挡层，其中，所述阻挡层上形成有对应裸露各金属基的对应位置的多个通孔；对各所述通孔进行电镀，直至形成各所述金属基；去除所述阻挡层
。3.
根据权利要求2所述的封装体的制备方法，其特征在于，所述在所述线路板的一侧制备多个金属基；其中，各金属基与所述线路板中的导电线路连通的步骤之前包括：在所述线路层的一侧整板制备导电种子层；所述去除所述阻挡层的步骤包括：去除所述阻挡层，并蚀刻掉与各所述金属基不对应的导电种子层
。4.
根据权利要求1所述的封装体的制备方法，其特征在于，所述将至少一个桥连硅片固定在所述线路板的一侧，并使各所述桥连硅片形成有焊盘的一侧远离所述线路板的步骤包括：在各所述桥连硅片远离所述焊盘的一侧设置贴覆膜；将各所述桥连硅片贴覆有所述贴覆膜的一侧贴覆在所述线路板的一侧
。5.
根据权利要求1所述的封装体的制备方法，其特征在于，所述将至少两个芯片的多个凸点分别焊接在对应的各金属基以及各桥连硅片的焊盘上，以制备所述封装体的步骤之前包括：对所述多个金属基以及所述至少一个桥连硅片进...

【专利技术属性】
技术研发人员：朱凯，缪桦，黄立湘，
申请(专利权)人：深南电路股份有限公司，
类型：发明
国别省市：