一种应用于制造技术

本申请提供一种应用于

【技术实现步骤摘要】
一种应用于NB
‑
IOT芯片的压控振荡器电路


[0001]本申请涉及集成电路设计
，尤其涉及一种应用于
NB
‑
IOT
芯片的压控振荡器电路
。

技术介绍

[0002]随着物联网
(IOT)
需求的日益增长，
NB
‑
IOT(
窄带物联网
)
技术已成为万物互联网络的一个重要分支
。NB
‑
IOT
构建于蜂窝网络，可直接部署于
GSM
网络
、UMTS
网络或
LTE
网络，以降低部署成本
、
实现平滑升级
。
很多企业预计未来全球物联网连接数将是千亿级的时代
。
已经出现了大量物与物的联接，这些联接大多通过蓝牙
、Wi
‑
Fi
和
Zigbee
等短距通信技术承载
。
然而
NB
‑
IOT
的应用范围与这些短距离通信技术的应用范围有很多重叠
。NB
‑
IOT
芯片与其它通信芯片类似都有射频模块和基带模块
。
射频模块分为接收机
、
发射机和锁相环
。
锁相环由鉴频鉴相器
、
环路滤波器和压控振荡器组成前向通路，由分频器组成频率相位的反馈通路
。
[0003]现有压控振荡器电路通过电阻
、
电容来滤除镜像电流时带来的噪声干扰
。
[0004]在实现现有技术中，专利技术人发现：
[0005]增加电阻值和电容值需要牺牲芯片面积，并且对于
MOS
场效晶体管产生的电流噪声也不能改善
。
[0006]因此，需要提供一种应用于
NB
‑
IOT
芯片的压控振荡器电路，用以解决相位噪声过大的技术问题
。

技术实现思路

[0007]本申请实施例需要提供一种应用于
NB
‑
IOT
芯片的压控振荡器电路，用以解决相位噪声过大的技术问题
。
[0008]具体的，一种应用于
NB
‑
IOT
芯片的压控振荡器电路，包括：
[0009]正反馈电路；
[0010]与正反馈电路连接的谐振电路，用于控制压控振荡器的谐振频率；
[0011]与正反馈电路连接的反馈回路，用于控制正反馈电路，以减小压控振荡器相位噪声；
[0012]所述正反馈电路和谐振电路间存在第一电路连接节点
、
第二电路连接节点；
[0013]所述正反馈电路和反馈回路间存在第三电路连接节点
、
第四电路连接节点
、
第五电路连接节点；
[0014]其中，所述第一电路连接节点为压控振荡器电路的第一输出端；所述第二电路连接节点为压控振荡器电路的第二输出端；
[0015]所述第三电路连接节点为反馈回路的第一输出端；第四电路连接节点为反馈回路的第二输出端；所述第五电路连接节点为反馈回路的第三输出端
。
[0016]进一步的，所述正反馈电路包括可变电阻
R1、MOS
场效晶体管
PM1、MOS
场效晶体管
PM2、
第一电容
、
第二电容；
[0017]所述可变电阻
R1
的一端连接第一电源，另一端连接第五电路连接节点；
[0018]所述
MOS
场效晶体管
PM1
的源极连接第五电路连接节点，栅极连接第二电容的一端，漏极连接第一电路连接节点；所述第二电容的另一端连接第二电路连接节点；
[0019]所述
MOS
场效晶体管
PM2
的源极连接第五电路连接节点，栅极连接第一电容的一端，漏极连接第二电路连接节点；所述第一电容的另一端连接第一电路连接节点
。
[0020]进一步的，所述反馈回路包括：
MOS
场效晶体管
PM3、MOS
场效晶体管
PM4、
电路镜电路；
[0021]所述
MOS
场效晶体管
PM3
的源极连接第二电源，栅极连接第五电路连接节点，漏极连接电路镜电路；
[0022]所述
MOS
场效晶体管
PM4
的源极连接第二电源，栅极连接第五电路连接节点，漏极连接电路镜电路
。
[0023]进一步的，所述电路镜电路包括：
MOS
场效晶体管
NM1、MOS
场效晶体管
NM2、MOS
场效晶体管
NM3
；
[0024]所述
MOS
场效晶体管
PM3
的漏极连接
MOS
场效晶体管
NM1
的漏极；
[0025]所述
MOS
场效晶体管
PM4
的漏极连接
MOS
场效晶体管
NM2
的漏极；
[0026]所述
MOS
场效晶体管
NM1、MOS
场效晶体管
NM2
的源极接地，栅极都分别连接
MOS
场效晶体管
NM3
的栅极和漏极；
[0027]所述
MOS
场效晶体管
NM3
的源极接地，漏极还连接第三电源；
[0028]其中，所述
MOS
场效晶体管
NM3
输出镜像电流至
MOS
场效晶体管
NM1、MOS
场效晶体管
NM2。
[0029]进一步的，所述压控振荡器电路还包括第一电阻
、
第二电阻；
[0030]所述第一电阻的一端连接第三电路连接节点，另一端连接
MOS
场效晶体管
PM3
的漏极；所述第二电阻的一端连接第四电路连接节点，另一端连接
MOS
场效晶体管
PM4
的漏极
。
[0031]进一步的，所述谐振电路包括第三电容
、
第四电容
、
第五电容
、
第六电容
、
第七电容
、
电感
L1、
第三电阻
、
第四电阻；
[0032]所述第三电容的一端连接第一电路连接节点，另一端分别连接第五电容的一端和第三电阻的一端；所述第五电容的另一端连接环路本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种应用于
NB
‑
IOT
芯片的压控振荡器电路，其特征在于，包括：正反馈电路；与正反馈电路连接的谐振电路，用于控制压控振荡器的谐振频率；与正反馈电路连接的反馈回路，用于控制正反馈电路，以减小压控振荡器相位噪声；所述正反馈电路和谐振电路间存在第一电路连接节点
、
第二电路连接节点；所述正反馈电路和反馈回路间存在第三电路连接节点
、
第四电路连接节点
、
第五电路连接节点；其中，所述第一电路连接节点为压控振荡器电路的第一输出端；所述第二电路连接节点为压控振荡器电路的第二输出端；所述第三电路连接节点为反馈回路的第一输出端；第四电路连接节点为反馈回路的第二输出端；所述第五电路连接节点为反馈回路的第三输出端
。2.
如权利要求1所述压控振荡器电路，其特征在于，所述正反馈电路包括可变电阻
R1、MOS
场效晶体管
PM1、MOS
场效晶体管
PM2、
第一电容
、
第二电容；所述可变电阻
R1
的一端连接第一电源，另一端连接第五电路连接节点；所述
MOS
场效晶体管
PM1
的源极连接第五电路连接节点，栅极连接第二电容的一端，漏极连接第一电路连接节点；所述第二电容的另一端连接第二电路连接节点；所述
MOS
场效晶体管
PM2
的源极连接第五电路连接节点，栅极连接第一电容的一端，漏极连接第二电路连接节点；所述第一电容的另一端连接第一电路连接节点
。3.
如权利要求1所述压控振荡器电路，其特征在于，所述反馈回路包括：
MOS
场效晶体管
PM3、MOS
场效晶体管
PM4、
电路镜电路；所述
MOS
场效晶体管
PM3
的源极连接第二电源，栅极连接第五电路连接节点，漏极连接电路镜电路；所述
MOS
场效晶体管
PM4
的源极连接第二电源，栅极连接第五电路连接节点，漏极连接电路镜电路
。4.
如权利要求3所述压控振荡器电路，其特征在于，所述电路镜电路包括：
MOS
场效晶体管
NM1、MOS
场效晶体管
NM2、MOS
场效晶体管
NM3
；所述
MOS
场效晶体管
PM3
的漏极连接
MOS
场效晶体管
NM1
的漏极；所述
MOS
场效晶体管
PM4
的漏极连接
MOS
场效晶体管
NM2
的漏极；所述
...

【专利技术属性】
技术研发人员：梁振，农恩宁，
申请(专利权)人：广州粒子微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：